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摘要:topswitch-gx器件是一種pwm/mosfet二合一的新型集成芯片,它采用與topswitch相同的電路,擴(kuò)展了topswitch系列的功率范圍,還集成了多項(xiàng)新功能。介紹了一種用top249y設(shè)計(jì)的封閉式電源,使用了topswitch-gx的線路檢測(cè)功能和外部限流功能,設(shè)計(jì)新穎,具有一定的實(shí)用性。 從20世紀(jì)70年代以來,大規(guī)模集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展,使開關(guān)電源有了質(zhì)的飛躍,掀起了電源產(chǎn)品高頻化、小型化、模塊化的浪潮。對(duì)于200w以下的開關(guān)電源,與其它電路相比,應(yīng)用topswitch所需的元器件最少。目前開關(guān)電源的體積主要還是由電容、電感和變壓器等儲(chǔ)能元件決定,而應(yīng)用topswitch系列器件的電路簡(jiǎn)捷,體積小,重量輕,自保護(hù)功能齊全,設(shè)計(jì)方便。topswitch-gx采用與topswitch相同的拓?fù)潆娐?,將高壓功率mosfet、脈寬調(diào)制(pwm)控制器、故障自動(dòng)保護(hù)和其它控制電路集成到單片cmos芯片中,工作頻率提高到132khz.topswitch-gx系列最大輸出功率。 topswitch-gx不僅擴(kuò)展了topswitch系列的功率范圍,將單電壓輸入時(shí)的最大功率提
該DC/DC變換式開關(guān)電源采用一片TOP249Y,輸入為250V~380V直流電壓,輸出為48V、5.2A(250W),電源效率可達(dá)84%。其電路如圖所示。C1為高頻濾波電容,專門抑制從輸入端引入的電磁干擾。由于TOP249工作在它的功率上限...
該DC/DC變換式開關(guān)電源采用一片TOP249Y,輸入為250V~380V直流電壓,輸出為48V、5.2A(250W),電源效率可達(dá)84%。其電路如圖2所示。C1為高頻濾波電容,專門抑制從輸入端引入的電磁干擾。由于TOP249工作在它的功率上...
摘要:介紹了一種采用TOP249Y智能控制集成芯片設(shè)計(jì)的開關(guān)電源的方法,同時(shí)介紹了TOP249Y芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理,給出了基于TOP249Y的單端反激式開關(guān)電源的設(shè)計(jì)電路,并對(duì)外圍電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了分析說明。
該dc/dc變換式開關(guān)電源采用一片top249y,輸入為250v~380v直流電壓,輸出為48v、5.2a(250w),電源效率可達(dá)84%。其電路如圖2所示。c1為高頻濾波電容,專門抑制從輸入端引入的電磁干擾。由于top249工作在它的功率上限,因此需將x端與源極s短接,把極限電流設(shè)置為內(nèi)部最大值,即ilimit=ilimit(max)=5.7a。在l端到ui之間接一只2mω的電阻r1,可進(jìn)行線路檢測(cè)。若ui>450v,則top249y停止工作,直到電壓恢復(fù)正常。這就有效地防止了元器件損壞。 由于初級(jí)電流較大,須采取以下措施:第一,采用低泄漏電感的高頻變壓器并在初、次級(jí)之間增加屏蔽層,將漏感減至最??;第二,在鉗位保護(hù)電路中的瞬態(tài)電壓抑制器兩端并聯(lián)阻容元件r2、r3、c6,構(gòu)成保護(hù)功能完善的vdz1、vd1、r、c型鉗位及吸收電路,以便吸收掉漏感上較大的磁場(chǎng)能量。這種設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)在于,正常工作時(shí)vdz1的損耗非常小,泄漏磁場(chǎng)能量主要由r2和r3分擔(dān);vdz1的關(guān)鍵作用是限制在起動(dòng)(或過載)情況下的尖峰電壓,確保內(nèi)部mosfet的漏極電壓低于700v。 次級(jí)繞組電壓首先經(jīng)過vd2、
topswitchgx適合制作低成本、高效率、小尺寸、全密封式開關(guān)電源模塊或電源適配器(adapter)。由top249y構(gòu)成的密封式70w(19v,3.6a)通用開關(guān)電源模塊,電路如圖1所示。當(dāng)環(huán)境溫度不超過40℃時(shí),模塊的外形尺寸可減小到10.5mm×5.5mm×2.5mm。設(shè)計(jì)的交流輸入電壓范圍是85v~265v,這屬于全世界通用的電壓范圍。該電源能同時(shí)實(shí)現(xiàn)輸入欠壓保護(hù)、過壓保護(hù)、從外部設(shè)定極限電流、降低最大占空比等功能,其主要技術(shù)指標(biāo)為: 額定輸出功率po=70w; 負(fù)載調(diào)整率si=±4%; 電源效率η≥84%(當(dāng)交流輸入電壓u=85v時(shí),滿載效率可達(dá)85%;當(dāng)u=230v時(shí),電源效率高達(dá)90%); 空載功率損耗<0.52w(u=230v時(shí)); 圖1高效率70w通用開關(guān)電源模塊電路 輸出紋波電壓≤120mv(峰峰值)。該電源共使用3片集成電路:top249y型6端單片開關(guān)電源(ic1);線性光耦合器pc817a(ic2);可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器tl431(ic3)。電阻r9和r10用來從外部設(shè)定功率開關(guān)管的漏極極限電流,使之略高于滿載或輸入欠
該dc/dc變換式開關(guān)電源采用一片top249y,輸入為250v~380v直流電壓,輸出為48v、5.2a(250w),電源效率可達(dá)84%。其電路如圖所示。c1為高頻濾波電容,專門抑制從輸入端引入的電磁干擾。由于top249工作在它的功率上限,因此需將x端與源極s短接,把極限電流設(shè)置為內(nèi)部最大值,即ilimit=ilimit(max)=5.7a。在l端到ui之間接一只2mω的電阻r1,可進(jìn)行線路檢測(cè)。若ui>450v,則top249y停止工作,直到電壓恢復(fù)正常。這就有效地防止了元器件損壞。 由于初級(jí)電流較大,須采取以下措施:第一,采用低泄漏電感的高頻變壓器并在初、次級(jí)之間增加屏蔽層,將漏感減至最??;第二,在鉗位保護(hù)電路中的瞬態(tài)電壓抑制器兩端并聯(lián)阻容元件r2、r3、c6,構(gòu)成保護(hù)功能完善的vdz1、vd1、r、c型鉗位及吸收電路,以便吸收掉漏感上較大的磁場(chǎng)能量。這種設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)在于,正常工作時(shí)vdz1的損耗非常小,泄漏磁場(chǎng)能量主要由r2和r3分擔(dān);vdz1的關(guān)鍵作用是限制在起動(dòng)(或過載)情況下的尖峰電壓,確保內(nèi)部mosfet的漏極電壓低于700v。 次級(jí)繞組電壓首先經(jīng)過vd2
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