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TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Pho...
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TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Pho...
TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
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GaAs Ired & Photo−Triac
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GaAs Ired & Photo−Triac
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相關(guān)元件pdf下載:ne555 tlp3502
用1/2w金屬膜電阻器;r5選用3w金屬膜電阻器。 ci-c3均選用耐壓值為16v的鋁電解電容器。 vdl和vd2均選用1n4148型硅開關(guān)二極管;vd3選用1n4004或1n4007型硅整流二極管。 vsl選用1/2w、5·lv的硅穩(wěn)壓二極管;vs2選用lw、l2v的硅穩(wěn)壓二極管。 v選用s805o或c8050、3dg8050型硅npn晶體管。 icl選用rcm-la型無線遙控發(fā)射集成電路;ic2選用ne555型時基集成電路;ic3選用rcm-lb型無線遙控接收集成電路。 kn選用tlp3502型固態(tài)繼電器。 vt選用耐壓值為600v的雙向晶閘管,其電流容量應為電動機額定功率的1·5倍以上。
4和r6均選用1/2w金屬膜電阻器;r5選用3w金屬膜電阻器。 c1~c3均選用耐壓值為16v的鋁電解電容器。 vd1和vd2均選用1n4148型硅開關(guān)二極管;vd3選用1n4004或1n4007型硅整流二極管。 vs1選用1/2w、5.1v的硅穩(wěn)壓二極管;vs2選用1w、12v的硅穩(wěn)壓二極管。 v選用58050或c8050、3dg8050型硅npn晶體管。 ic1選用rcm-1a型無線遙控發(fā)射集成電路;ic2選用rcm-1b型無線遙控接收集成電路。 kn選用tlp3502型固態(tài)繼電器。 vt選用耐壓值為600v的雙向晶閘管,其電流容量應為電動機額定功率的1.5倍以上。
脈沖信號的占空比越大,在單位時間內(nèi)vt的導通時間就越長,電動機m的工作電壓也越高,運轉(zhuǎn)速度也越快。 元器件選擇 r1和r5均選用1/2w金屬膜電阻器;r2~m選用1/4w碳膜電阻器或金屬膜電阻器。 rp選用有機實心電位器。 c1和c2均選用耐壓值為16v的鋁電解電容器;c3選用耐壓值為450v的cbb電容器或滌綸電容器。 vd1和vd2均選用1n4148型硅開關(guān)二極管;vd3選用1n4007型硅整流二極管。 vs選用1w、12v的硅穩(wěn)壓二極管。 kn選用tlp3502或sp2110、sp2210、m0c3041等型號的固態(tài)繼電器。 vt選用10a、600v的雙向晶閘管。