TE28F400B3T110
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原裝現(xiàn)貨
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, ...
INTEL
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, ...
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, ...
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3 Volt Advanced Boot Block Flash Mem...
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一個字后,要延時足夠的時間,否則就不能正常地寫入下一個字。寫完后,需要將flash rom重新設置為讀模式,這樣才能在開發(fā)環(huán)境ccs中看到正確的結果。te28f400b3的最大讀取速度為90ns,而tms320vc5409最大只能設置7個等待狀態(tài),因此設置dsp的clkmd1、clkmd2、clkmd3管腳,使dsp在上電復位時的系統(tǒng)時鐘為50mhz。這樣就能保證可靠地讀?。妫欤幔螅璧臄?shù)據(jù)。在完成引導過程后,必須首先將clkmd寄存器清零,然后重新設置clkmd寄存器,使系統(tǒng)時鐘為100mhz。te28f400b3的主要操作命令如表2所示。表1 16位并行引導模式的代碼結構10aaswwsr寄存器的初始值bscr寄存器的初始值程序入口地址xpc值程序入口地址pc值程序代碼的長度程序起始地址xpc值程序起始地址pc值程序代碼...0000(表示自舉有結束)表2 te28f400b3的主要操作命令命 令第一總線周期第二總線周期操作地址數(shù)據(jù)操作地址數(shù)據(jù)讀寫xxxffh 讀狀態(tài)寄存器寫xxx70h讀xxx寄存器數(shù)據(jù)擦除寫xxx20h寫塊地址doh寫寫xxx40h寫程序地址程序數(shù)據(jù)4 實驗系統(tǒng)減震彈簧振動實驗
ms320vc5409含16k字的片內(nèi)rom和32k字的片內(nèi)daram,程序空間的尋址范圍達到8m數(shù)據(jù)和i/o空間尋址范圍分別為64k。單周期指令執(zhí)行時間為10ns,雙電源(1.8v和3.3v)供電,帶有符合ieee1149.1標準的jtag邊界掃描仿真邏輯。 dsp電路采用16位并行自引導模式,對于tms320vc5409,用戶程序存儲在外部數(shù)據(jù)空間(8000h~ffffh)中,因此外擴了一片flash rom作為數(shù)據(jù)存儲空間。flash rom采用intel公司的te28f400b3t90te28f400b3t90(256k×16),它共分為15塊(8塊4k字,7塊32k字),可單獨擦寫其中的一塊。編程電壓只需3.3v,最快的讀取速度達到90ns。系統(tǒng)外擴了一片sram作為外部程序空間。sram采用cypress公司的cy7c1041bv33(256k×16),存取速度達到10ns。 2.3 a/d轉換電路 信號的采集和轉換是由ad7874完成的。ad7874ad7874是ad公司生產(chǎn)的12位a/d轉換器。系統(tǒng)要求輸入輸出信號相位要同步,ad7874內(nèi)置采樣保持器,能夠實現(xiàn)四路信號的同步采樣。同