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當前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>stth806 更新時間:2026-04-11 11:24:52

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STTH806 TURBOSWITCHO Tandem 600V ULTRA-FAST ... STMICROELECTRONICS STTH806PDF下載
STTH806 TURBOSWITCHO Tandem 600V ULTRA-FAST ... STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] STTH806PDF下載
STTH806D TANDEM 600V HYPERFAST BOOST DIODE ETC STTH806DPDF下載
STTH806D Diode Standard 600V 8A Through Hole ... STTH806DPDF下載
STTH806D TURBO 2 ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE RECT... STMicro STTH806DPDF下載
STTH806F 暫無描述 STMICROELECTRONICS STTH806FPDF下載
STTH806F TURBO 2 ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE RECT... STMicro STTH806FPDF下載
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STTH806DI 8A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ... STMICROELECTRONICS STTH806DIPDF下載
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高效率PFC電路二極管選擇方案
在一起封裝在絕緣的to-220封裝中構(gòu)成600v tandem(串聯(lián)二極管）。這種硅器件是一種超高速二極管，在絕大多數(shù)情況下可以對平衡網(wǎng)絡(luò)加以抑制。與普通二極管的比較工作在連續(xù)模式和苛刻開關(guān)條件下的pfc（圖1）當晶體管導通時二極管中的電流減少很快（幾百安培/微秒）。在此有兩種功耗：在二極管中的導電和開關(guān)功耗；由于二極管的反向恢復電流引起的在晶體管中的功耗。圖2示出同一pfc用不同的二極管（普通的600v二極管stta806d或600v tandem stth806 tti)的功耗比較，這些結(jié)果是在如下工作條件下得到的：pout=400w,fs=150khz,di/dt=200a/μs,tj=125℃，vmains=110v。從圖2可清楚地看到：開關(guān)功耗的主要部分是在mos晶體管中；用600v tandem(stth806tti)的總功耗比用普通600v二極管（stta806d）要低，這是由于二極管的小恢復電流所致。 tandem二極管選擇指標 600v tandem和普通600v二極管之間的選擇主要取決于下面的參數(shù)：開關(guān)頻率fs; 最小和最大電

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