STF7N95K3
860000
TO220F/25+
原裝現(xiàn)貨庫存，支持訂貨可開發(fā)票。
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8000
SO8/2024+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
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89999
TO220/-
原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務
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助力國營二十余載，一站式BOM配單
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5000
Tube/2015+
原裝正品，配單能手
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原裝現(xiàn)貨,提供優(yōu)質(zhì)配單服務
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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
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12100
TO220FP/2025
優(yōu)勢庫存全新原裝現(xiàn)貨熱賣
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258200
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奧利騰只做原裝正品，實單價優(yōu)可談
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5000
-/25+
只做原裝，價格市場
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20918
TO220FP/2024
原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎查詢
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1
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TO220F/25+
原裝現(xiàn)貨庫存，支持訂貨可開發(fā)票。
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1793
TO220F/2024+/25+
MOSFET單管,原裝和國產(chǎn)替代
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10000
TO220F/22+
原裝現(xiàn)貨
STF7N95K3
8735
NA//23+
原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票
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7300
2013+/23+
原裝現(xiàn)貨
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5000
TO220FP/25+
只做原裝
現(xiàn)了導通損耗最小化，導通電阻rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，設計人員 可以提高功率密度及能效。 同時，因為達成低柵電荷量(qg)和低本征電容，這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代supermesh3?技術。新產(chǎn)品采用工業(yè)標準封裝：stf7n95k3采用 to-220fp封裝；stp7n95k3采用標準的to-220封裝；stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品，包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。 來源:風中的葉子
3系列還實現(xiàn)了導通損耗最小化，導通電阻rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，設計人員可以提高功率密度及能效。 同時，因為達成低柵電荷量(qg)和低本征電容，這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代supermesh3技術。新產(chǎn)品采用工業(yè)標準封裝：stf7n95k3采用 to-220fp封裝；stp7n95k3采用標準的to-220封裝；stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品，包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。
系列還實現(xiàn)了導通損耗最小化，導通電阻rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，設計人員可以提高功率密度及能效。 同時，因為達成低柵電荷量(qg)和低本征電容，這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代supermesh3?技術。新產(chǎn)品采用工業(yè)標準封裝：stf7n95k3采用 to-220fp封裝；stp7n95k3采用標準的to-220封裝；stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品，包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。
rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，設計人員可 以提高功率密度及能效。 同時，因為達成低柵電荷量(qg)和低本征電容，這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關性能，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代supermesh3™技術。新產(chǎn)品采用工業(yè)標準封裝：stf7n95k3采用 to-220fp封裝；stp7n95k3采用標準的to-220封裝；stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品，包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。
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