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當前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>rtu002p02 更新時間:2026-04-13 17:41:32

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rtu002p02中文資料

  • 典型關(guān)斷延遲時間:

    35 ns

  • 典型接通延遲時間:

    9 ns

  • 典型輸入電容值@Vds:

    50 pF V @ 10

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 寬度:

    1.6mm

  • 封裝類型:

    TSMT

  • 尺寸:

    2.9 x 1.6 x 0.85mm

  • 引腳數(shù)目:

    3

  • 最大功率耗散:

    200 mW

  • 最大柵源電壓:

    ±12 V

  • 最大漏源電壓:

    20 V

  • 最大漏源電阻值:

    1.5

  • 最大連續(xù)漏極電流:

    0.25 A

  • 每片芯片元件數(shù)目:

    1

  • 類別:

    功率 MOSFET

  • 通道模式:

    增強

  • 通道類型:

    P

  • 配置:

    單

  • 長度:

    2.9mm

  • 高度:

    0.85mm

  • RTU002P02

    電流參數(shù)：ID=±2.5A/IDP=±0.5A/IGSS=±10μA/IDSS=-1μA電壓參數(shù)：UDSS=-20V/UGSS=±12V/UGS(th)=-2V功 率：PD=0.2W其他參數(shù)：-4.5V/1Ω,-2.5V/2Ω極 性：P

rtu002p02替代型號

RTS5151 RTS511B-000 RTS5111 RTS510BA-100 RTS501-1B RTS0073 RTS0071 RTR6500 RTR6350 RTR6285

RTU7010 RTU7012 RTU7105 RTU7300 RTU7305 RU2A RU3C RU4B ru4z RUN1

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RCLAMP0504M.TBT RT9161-36CX RTL8139DL RT9161-33PX RSB6.8S RT9182EPES RP1202-18GB RT9361APE RF2374TR7 RB161M-20TR

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