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SOD723/2024+ROHS
主營TVS,ESD,高分子保護(hù)全系列,可供樣品
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SOD723/2019+
TVS二極管,ESD二極管,壓敏電阻,可供樣品
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ESD Protection diode
ROHM [Rohm]
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RSB6.8CSFH
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ROHM
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RSB6.8CST2RA
TVS DIODE 3.5VWM VMN2
RSB6.8CST2RAPDF下載
于第一個過沖之后。應(yīng)該重點(diǎn)關(guān)注第二個峰值,這是因為該峰值的持續(xù)時間較長,被測ic承受的能量將因此增加。在以下的討論中,箝位電壓被定義為第二峰值的最大電壓。 幾種保護(hù)二極管的比較 為了進(jìn)行公平的比較,所選元器件應(yīng)當(dāng)有相似的封裝尺寸和參數(shù)指標(biāo)。用來比較的是三只esd保護(hù)二極管,當(dāng)對它們的電特性進(jìn)行比較時,認(rèn)為這些器件可以彼此互換。這些器件都是雙向的esd保護(hù)器件,具有同樣的擊穿電壓(6.8v)、電容(15pf)和封裝外形(1.0×0.6×0.4 mm)。這里所選擇的產(chǎn)品分別是競爭對手1的rsb6.8cs、競爭對手2的pg05dbtfc和安森美半導(dǎo)體的esd9b5.0st5g。 當(dāng)對以上器件的dc性能進(jìn)行比較的時候,結(jié)果看起來似乎是相同的(參見圖2所示曲線)。此外,它們都聲稱符合iec61000-4-2第4級標(biāo)準(zhǔn),這就意味著它們將都經(jīng)受住高達(dá)8kv接觸電壓的esd沖擊。 圖2:三種esd器件的dc特性對比。 為了比較每個器件的箝位性能,利用示波器來抓取esd發(fā)生期間的電壓波形。利用完全相同的測試條件,對上述器件進(jìn)行并排測試。圖3中顯示出每個二極管對正/負(fù)esd脈沖的響應(yīng)曲線
點(diǎn)關(guān)注第二個峰值,這是因為該峰值的持續(xù)時間較長,被測ic承受的能量將因此增加。在以下的討論中,鉗位電壓被定義為第二峰值的最大電壓。 幾種保護(hù)二極管的比較 為了進(jìn)行公平的比較,所選元器件應(yīng)當(dāng)有相似的封裝尺寸和參數(shù)指標(biāo)。用來比較的是三只esd保護(hù)二極管,當(dāng)對它們的電特性進(jìn)行比較時,認(rèn)為這些器件可以彼此互換。這些器件都是雙向的esd保護(hù)器件,具有同樣的擊穿電壓(6.8 v)、電容(15 pf)和封裝外形(1.0 × 0.6 × 0.4 mm)。這里所選擇的產(chǎn)品分別是競爭對手1的rsb6.8cs、競爭對手2的pg05dbtfc和安森美半導(dǎo)體的esd9b5.0st5g。 當(dāng)對以上器件的dc性能進(jìn)行比較的時候,結(jié)果看起來似乎是相同的(參見圖2所示曲線)。此外,它們都聲稱符合iec61000-4-2第4級標(biāo)準(zhǔn),這就意味著它們將都經(jīng)受住高達(dá)8 kv接觸電壓的esd沖擊。確保保護(hù)敏感ic的esd保護(hù)器件至關(guān)重要的性能不是dc性能; 盡管器件符合iec61000-4-2的第4級標(biāo)準(zhǔn)是重要,但更重要的是保護(hù)ic。為確保在esd事件期間ic沒有被損壞,保護(hù)二極管必須把esd電壓鉗位至足夠低