ST 電源變換器一次側(cè)開關(guān)

per53的替代產(chǎn)品。 當(dāng)viper53e用于二側(cè)穩(wěn)壓功能時(shí)，vdd電源電壓范圍9v到18v ，因此，電源設(shè)計(jì)人員可以更加靈活地選擇變壓器。 這個(gè)器件還具備其它優(yōu)點(diǎn)，例如，反饋監(jiān)控和延時(shí)設(shè)備復(fù)位可以控制過載和短路條件；通過改進(jìn)器件跳躍脈沖的方式提高了待機(jī)效率；集成的啟動(dòng)電流源在正常工作時(shí)被關(guān)斷，以降低所需的輸入功率。 新產(chǎn)品還具有其它保護(hù)功能，如超過18v的過壓保護(hù)以及欠壓保護(hù)、過熱保護(hù)和過漏流保護(hù)等。從外部可以把開關(guān)頻率設(shè)定到300khz。 這個(gè)器件采用貼面封裝dip-8 和 powerso-10 封裝，定貨量1萬件的單價(jià)為0.90美元。 來源:零八我的愛

意法半導(dǎo)體針對工業(yè)應(yīng)用推出微歐功率MOSFET晶體管STV300NH02L

發(fā)出一項(xiàng)引線帶楔焊鍵合創(chuàng)新技術(shù)，典型導(dǎo)通電阻rds(on)極低，只有800微歐(0.8毫歐)，為高電流的mosfet器件創(chuàng)造了一個(gè)新的工業(yè)基準(zhǔn)。這款20v的產(chǎn)品是降低高效直流直流變換器二次側(cè)功耗的理想器件，短路保護(hù)功能十分優(yōu)越，關(guān)斷時(shí)間極短。 關(guān)鍵系統(tǒng)經(jīng)常使用并聯(lián)電源來提供冗余電源，或者用于提高電源輸出功率。過去這個(gè)功能通常使用二極管，現(xiàn)在，為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，mosfet取代了二極管。現(xiàn)在功耗低的stv300nh02l在電源效率上又向前邁出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封裝，訂貨1000件，單價(jià)4.50美元。 來源:小草

意法半導(dǎo)體針對工業(yè)應(yīng)用推出微歐功率MOSFET晶體管STV300NH02L9

發(fā)出一項(xiàng)引線帶楔焊鍵合創(chuàng)新技術(shù)，典型導(dǎo)通電阻rds(on)極低，只有800微歐(0.8毫歐)，為高電流的mosfet器件創(chuàng)造了一個(gè)新的工業(yè)基準(zhǔn)。這款20v的產(chǎn)品是降低高效直流直流變換器二次側(cè)功耗的理想器件，短路保護(hù)功能十分優(yōu)越，關(guān)斷時(shí)間極短。 關(guān)鍵系統(tǒng)經(jīng)常使用并聯(lián)電源來提供冗余電源，或者用于提高電源輸出功率。過去這個(gè)功能通常使用二極管，現(xiàn)在，為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，mosfet取代了二極管?，F(xiàn)在功耗低的stv300nh02l在電源效率上又向前邁出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封裝，訂貨1000件，單價(jià)4.50美元。 來源:小草

ST推出微歐功率MOSFET晶體管提高并聯(lián)服務(wù)器電源的能效

一項(xiàng)引線帶楔焊鍵合創(chuàng)新技術(shù)，典型導(dǎo)通電阻rds(on) 極低，只有800微歐 (0.8毫歐)，為高電流的mosfet器件創(chuàng)造了一個(gè)新的工業(yè)基準(zhǔn)。這款20v的產(chǎn)品是降低高效直流直流變換器二次側(cè)功耗的理想器件，短路保護(hù)功能十分優(yōu)越，關(guān)斷時(shí)間極短。 關(guān)鍵系統(tǒng)經(jīng)常使用并聯(lián)電源來提供冗余電源，或者用于提高電源輸出功率。過去這個(gè)功能通常使用二極管，現(xiàn)在，為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，mosfet取代了二極管?，F(xiàn)在功耗低的stv300nh02l在電源效率上又向前邁出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封裝，訂貨1000件，單價(jià)4.50美元。 ST的ac-dc轉(zhuǎn)換器專用開關(guān)芯片適合離線電源應(yīng)用

et、起動(dòng)高壓電源和幾種片上保護(hù)電路集成在一起。用作二次側(cè)變壓器時(shí)，viper53e的vdd電壓范圍從9v到18v，可幫助電源設(shè)計(jì)師更加靈活地選擇變壓器。 該器件的其它優(yōu)點(diǎn)還包括：過載和短路條件由反饋監(jiān)視和延遲的器件重置來控制；待機(jī)模式增加了跳躍脈沖(skips pulses)；集成的起動(dòng)電源在正常工作時(shí)不起作用，從而降低輸入功率。 viper53e還提供其它的保護(hù)，如電壓大于18v和欠壓、超溫和漏極過流保護(hù)等，開關(guān)頻率可從外部設(shè)定，最高可達(dá)300khz。st現(xiàn)可提供表面安裝dip-8和powerso-10兩種封裝的viper53e開關(guān)，10k訂量時(shí)單價(jià)為0.90美元(僅供參考)。 來源:小草

ST推出微歐功率MOSFET提高并聯(lián)服務(wù)器電源能效

st開發(fā)出一項(xiàng)引線帶楔焊鍵合創(chuàng)新技術(shù)，典型導(dǎo)通電阻rds(on)極低，只有800微歐(0.8毫歐)，為高電流的mosfet器件創(chuàng)造了一個(gè)新的工業(yè)基準(zhǔn)。這款20v的產(chǎn)品是降低高效直流直流變換器二次側(cè)功耗的理想器件，短路保護(hù)功能十分優(yōu)越，關(guān)斷時(shí)間極短。 關(guān)鍵系統(tǒng)經(jīng)常使用并聯(lián)電源來提供冗余電源，或者用于提高電源輸出功率。過去這個(gè)功能通常使用二極管，現(xiàn)在，為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，mosfet取代了二極管。現(xiàn)在功耗低的stv300nh02l在電源效率上又向前邁出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封裝，訂貨1,000件，單價(jià)4.50美元。

ST推微歐功率MOSFET晶體管，提高并聯(lián)服務(wù)器電源能效

t開發(fā)出一項(xiàng)引線帶楔焊鍵合創(chuàng)新技術(shù)，典型導(dǎo)通電阻rds(on) 極低，只有800微歐 (0.8毫歐)，為高電流的mosfet器件創(chuàng)造了一個(gè)新的工業(yè)基準(zhǔn)。這款20v的產(chǎn)品是降低高效直流直流變換器二次側(cè)功耗的理想器件，短路保護(hù)功能十分優(yōu)越，關(guān)斷時(shí)間極短。 關(guān)鍵系統(tǒng)經(jīng)常使用并聯(lián)電源來提供冗余電源，或者用于提高電源輸出功率。過去這個(gè)功能通常使用二極管，現(xiàn)在，為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，mosfet取代了二極管?，F(xiàn)在功耗低的stv300nh02l在電源效率上又向前邁出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封裝，訂貨1000件，單價(jià)4.50美元。 詳情登錄st公司網(wǎng)站：www.stmicroelectronics.com.cn/pmos 關(guān)于意法半導(dǎo)體（st）公司 意法半導(dǎo)體，是微電子應(yīng)用領(lǐng)域中開發(fā)供應(yīng)半導(dǎo)體解決方案的世界級主導(dǎo)廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合，雄厚的制造實(shí)力，廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合(ip)，以及強(qiáng)大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使意法半導(dǎo)體在系統(tǒng)級芯片(soc)技術(shù)方面居最前沿地位。在今天實(shí)現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢中，st的產(chǎn)品扮演了一個(gè)重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎euro

意法微歐功率MOSFET提高并聯(lián)服務(wù)器電源能效

引線帶楔焊鍵合創(chuàng)新技術(shù)，典型導(dǎo)通電阻rds(on)極低，只有800微歐(0.8毫歐)，為高電流的mosfet器件創(chuàng)造了一個(gè)新的工業(yè)基準(zhǔn)。這款20v的產(chǎn)品是降低高效直流直流變換器二次側(cè)功耗的理想器件，短路保護(hù)功能十分優(yōu)越，關(guān)斷時(shí)間極短。 關(guān)鍵系統(tǒng)經(jīng)常使用并聯(lián)電源來提供冗余電源，或者用于提高電源輸出功率。過去這個(gè)功能通常使用二極管，現(xiàn)在，為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，mosfet取代了二極管。現(xiàn)在功耗低的stv300nh02l在電源效率上又向前邁出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封裝，訂貨1,000件，單價(jià)4.50美元。

意法半導(dǎo)體上市導(dǎo)通電阻僅800μΩ的功率MOSFET

減小電源系統(tǒng)的電力損耗及提高轉(zhuǎn)換效率。 為提高服務(wù)器電源系統(tǒng)的可靠性，一般采用并聯(lián)電源，使系統(tǒng)具有冗余性，或者增大電源容量的辦法。此前，這種電源系統(tǒng)采用的是二極管。近年來，為進(jìn)一步提高性能，很多廠商使用mosfet取代了二極管。意法半導(dǎo)體此次上市的產(chǎn)品，利用引線帶楔焊鍵合（ribbon bonding）技術(shù)使用電阻比金屬線低的帶狀引線進(jìn)行封裝，減小了導(dǎo)通電阻。這樣，在降低高效dc-dc轉(zhuǎn)換器的二次整流損耗方面，可以實(shí)現(xiàn)20v的最優(yōu)元件，將關(guān)閉性能高速化，提高保護(hù)性能。 該產(chǎn)品采用powerso-10封裝，1000個(gè)批量購買時(shí)的單價(jià)約4.50美元。

意法半導(dǎo)體針對工業(yè)應(yīng)用推出微歐功率MOSFET晶體管STV300NH02L

st開發(fā)出一項(xiàng)引線帶楔焊鍵合創(chuàng)新技術(shù)，典型導(dǎo)通電阻rds(on)極低，只有800微歐(0.8毫歐)，為高電流的mosfet器件創(chuàng)造了一個(gè)新的工業(yè)基準(zhǔn)。這款20v的產(chǎn)品是降低高效直流直流變換器二次側(cè)功耗的理想器件，短路保護(hù)功能十分優(yōu)越，關(guān)斷時(shí)間極短。 關(guān)鍵系統(tǒng)經(jīng)常使用并聯(lián)電源來提供冗余電源，或者用于提高電源輸出功率。過去這個(gè)功能通常使用二極管，現(xiàn)在，為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，mosfet取代了二極管?，F(xiàn)在功耗低的stv300nh02l在電源效率上又向前邁出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封裝，訂貨1000件，單價(jià)4.50美元。