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6.5MHz, 585UA, Rail-to-Rail I/O CMOS...
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6.5MHz, 585UA, Rail-to-Rail I/O CMOS...
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General Purpose Amplifier 1 Circuit ...
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6.5MHz, 585UA, Rail-to-Rail I/O CMOS...
BURR-BROWN [Burr-Brown Corporation]
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于該放大器非反相輸入端前面的電阻限制了產生輸入電流的大小。esd 單元設計旨在極短的時間內安全地傳導數(shù)安培電流,該傳導持續(xù)時間不超過幾十到數(shù)百納秒。當 esd 單元在 eos 事件期間激活時,電流傳導的時間取決于 eos 脈沖或過壓特性。這些相同的 esd 單元一般可持續(xù)處理五到十毫安的電流,當占空比下降時可持續(xù)處理的電流安培數(shù)會大大增加。在這些條件下,它們可能非常安全并且不受過壓的影響。在一些應用中,在電源電壓施加到放大器以前就出現(xiàn)了輸入信號(請參見圖 5)。該圖是使用 tina 軟件工具和 opa374 宏模型生成的。如果未將電流限制在一個安全值范圍內,則該上電行為就有可能會損壞輸入 esd 保護電路。 圖5 圖 5 觀察上電過程中的 vin!圖中翻譯:(右上)在電源斜坡下降時 iin 過高(iin excessively high while supply ramps)圖 5 中,電源 (vg2) 在 50ms 內從 0v 斜坡上升到 5v。電源開始斜坡上升 5ms 以后,施加一個 3.5v 的輸入信號 (vg1) 時便可完成上述過程。這種情況下,輸入開始為一個高于正電壓軌的電壓。這