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SC75 SOT416/2025+
原裝現(xiàn)貨
NTA4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
NTA4153NT1GPDF下載
NTA4153NT1G
Transistor; Transistor Type:MOSFET; ...
ON Semiconductor
NTA4153NT1GPDF下載
6mm×1.6mm）薄型（0.6mm至1.0mm）封裝選擇，節(jié)約了寶貴的板空間。因mosfet極易受到靜電放電（esd）的損害，且封裝越小，受esd損害的可能性越大，安森美半導體所以將齊納二極管集成至溝道m(xù)osfet門，提供優(yōu)異的esd保護?？傊?，這些封裝、性能和集成度的改進進一步簡化整體板設計并騰出額外的板空間。 - nta4151pt1，nte4151pt1，ntzs3151pt1和ntzd3152pt1：用于達850 ma高端負載開關的p溝道m(xù)osfet。提供單模式和雙模式。- nta4153nt1，nte4153nt1 和ntzd3154nt1：用于高達915 ma低端負載開關的n溝道m(xù)osfet。提供單模式和雙模式。- ntzd3155ct1：互補n溝道和p溝道的組合，用于集成負載開關或小電流直流至直流轉(zhuǎn)換。 每個器件有三種薄型的1.6mm×1.6mm封裝。六引腳高度0.6mm的sot-563和三引腳高度0.8mm的 sc-89為扁平引腳封裝。三引腳高度1.0mm的sc-75為鷗翼式器件。扁平引腳封裝與業(yè)內(nèi)標準的鷗翼式封裝相比，具有額外的熱性能，并使高度得到改進
n)范圍介于150至900mω之間，因此可以導通更大電流。 安森美的這幾款trench mosfet提供三種小型超薄封裝選擇，尺寸為1.6mm×1.6mm，厚度為0.6mm至1.0mm，有助于節(jié)省板空間。該公司將齊納二極管集成入trench mosfet的門，以此提供良好的esd保護。 這八款低壓trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端負載開關的p溝道m(xù)osfet，提供單模式和雙模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高達915ma低端負載開關的n溝道m(xù)osfet，提供單模式和雙模式；ntzd3155ct1是互補n溝道和p溝道的組合，用于集成負載開關或小電流dc-dc轉(zhuǎn)換。 上述每個器件均提供三種薄型1.6×1.6mm封裝。6引腳高度為0.6mm的sot-563和3引腳高度0.8mm的sc-89為扁平引腳封裝。3引腳高度為1.0mm的sc-75為鷗翼式器件。扁平引腳封裝與業(yè)內(nèi)標準的鷗翼式封裝相比，具有額外的熱性能。新器件每10,000件的批量單價在0.1
0至900mω之間，因此可以導通更大電流。 安森美的這幾款trench mosfet提供三種小型超薄封裝選擇，尺寸為1.6mm×1.6mm，厚度為0.6mm至1.0mm，有助于節(jié)省板空間。該公司將齊納二極管集成入trench mosfet的門，以此提供良好的esd保護。 這八款低壓trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端負載開關的p溝道m(xù)osfet，提供單模式和雙模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高達915ma低端負載開關的n溝道m(xù)osfet，提供單模式和雙模式；ntzd3155ct1是互補n溝道和p溝道的組合，用于集成負載開關或小電流dc-dc轉(zhuǎn)換。 上述每個器件均提供三種薄型1.6×1.6mm封裝。6引腳高度為0.6mm的sot-563和3引腳高度0.8mm的sc-89為扁平引腳封裝。3引腳高度為1.0mm的sc-75為鷗翼式器件。扁平引腳封裝與業(yè)內(nèi)標準的鷗翼式封裝相比，具有額外的熱性能。新器件每10,000件的批量單價
產(chǎn)品型號:NTA4153NT1G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):26(min)
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):9500
最大漏極電流Id(on)(A):0.915
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):SC-75/-55 ~150
描述:小信號N溝道20 V, 915 mA, MOSFET 帶ESD保護
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聯(lián)系方式：
