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混頻器模塊的選擇
，中頻輸出隨輸入射頻電平的增長而線性地增加。但是，當(dāng)射頻輸入電平增加到與本振電平相差不到10db時(shí)，中頻輸出隨射頻輸入增加的速度變慢，混頻器開始進(jìn)入飽和狀態(tài)，如圖2所示。圖2 變頻壓縮點(diǎn)（1db）從圖中可知，變頻壓縮點(diǎn)是中頻輸出功率電平偏離（低于）線性變換功率值1db處的交點(diǎn)。顯然，變頻壓縮點(diǎn)間接地表示了混頻器的非線性失真程度。對于lna，也可以用這個(gè)1db壓縮點(diǎn)來表示線性放大范圍。根據(jù)上述性能指標(biāo)以及系統(tǒng)的工作頻率要求，選用motorola公司生產(chǎn)的雙平衡有源混頻器mrfic2002。mrfic2002是為工作在800～1000mhz頻率范圍內(nèi)的發(fā)射機(jī)而設(shè)計(jì)的，適用于gsm以及ism頻帶發(fā)射機(jī)，性能價(jià)格比優(yōu)良，低功耗模式控制使用最小的恢復(fù)和接通時(shí)間，能夠?qū)崿F(xiàn)最小電路消耗。 mrfic2002的變換增益gc=10db（典型值），電源電流消耗為5．5ma（典型值），低功耗模式電源電流消耗為2．0μa（最大值），本機(jī)振蕩器與射頻隔離為25db（典型值），射頻輸出通道無匹配要求，所有端口都是單端形式。mrfic2002引腳封裝形式如圖3所示，各引腳功能見表1。mrfic200
混頻器模塊的芯片選擇
由于電子標(biāo)簽中包含接收部分和發(fā)送部分，這里選擇在發(fā)送部分時(shí)所需的上變頻混頻器和接收部分所需要的下變頻混頻器。結(jié)合混頻器的主要性能指標(biāo)（變頻增益、三階互調(diào)阻斷點(diǎn)、噪聲系數(shù)和隔離度等），我們對混頻器做出以下選擇。（1）上變頻模塊上變頻模塊我們選擇motorola公司生產(chǎn)的雙平衡混頻器mrfic2002。該芯片是為工作在800～1000mhz頻率范圍的發(fā)射機(jī)而設(shè)計(jì)的，適用于gsm以及ism頻帶發(fā)射機(jī)。性能價(jià)格比優(yōu)良，低功耗模式控制用最小的恢復(fù)和接通時(shí)間，能夠?qū)崿F(xiàn)最小電路消耗，這對于無源超高頻電子標(biāo)簽是非常必要的。（2）下變頻模塊下變頻模塊我們選擇atmel公司生產(chǎn)的800～1000mhz下變頻混頻器70780。該芯片應(yīng)用于數(shù)字通信系統(tǒng)和 800～1000mflz頻率范圍的收發(fā)機(jī)。采用5v電源供電，當(dāng)0db輸入到集成的本振驅(qū)動(dòng)器時(shí)，可提供10db增益。re和lo輸入可采用差分或單端方式驅(qū)動(dòng)，并具有高lo－rf隔離。歡迎轉(zhuǎn)載，信息來源維庫電子市場網(wǎng)（www.hbjingang.com）來源:ks99

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