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當前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>mbr360 更新時間:2026-04-13 19:37:47

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mbr360價格行情

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歷史最低報價：￥0.2100 歷史最高報價：￥165.0000 歷史平均報價：￥6.1807

mbr360中文資料

  • 基于C8051F的模數(shù)轉(zhuǎn)換及直流電機驅(qū)動系統(tǒng)中的應用

    間的電壓差必須滿足數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)定 d <0.5 v。 2) 將模擬地和數(shù)字地分開，不能混用。注意一定要在遠離cpu處(或電源處)通過導線連接，否則會在cpu的模擬地和數(shù)字地引腳之間產(chǎn)生電勢差，造成系統(tǒng)不穩(wěn)定，甚至死機現(xiàn)象。 3) 沒有用到的模擬引腳要接模擬地。 4) 在vref引腳接0.1μf和4.7μf電容，用于濾波和抑制噪聲。 5) 模擬信號的輸入電壓不能超過av+-0.3 v，為保證模擬輸入引腳不被高電平損傷，要采取保護措施，如加入穩(wěn)壓二極管mbr360等。另外為防止模擬輸入通過大的電流，還要在模擬引腳和模擬地之間加一只1μf的電容。 參考文獻:[1]. c8051f001 datasheet http://www.hbjingang.com/datasheet/c8051f001_209881.html.[2]. max873 datasheet http://www.hbjingang.com/datasheet/max873_862955.html.[3]. mbr360 datasheet http://www.hbjingang.com/datasheet/m

  • TNY256型單片機開關電源及其應用

    f1為保險絲電阻器。85～265v交流電經(jīng)過d1～d4橋式整流和c1、c2濾波后，得到約300v的直流高壓vi。鑒于在功率mosfet關斷瞬間，脈沖變壓器的漏感會產(chǎn)生尖峰電壓，因此，由電阻器r3、c3和超快恢復二極管d5（1n4937）組成的功率mosfet漏極鉗位保護電路，可有效抑制漏極上的反向峰值電壓，從而保護tny256內(nèi)的功率mosfet不受損壞。c3選用10000pf/1kv的高壓陶瓷電容器。 次級電壓通過d6、c6、c7、l3和c8整充濾波后，得到9v、0.6a的直流輸出。d4采用mbr360的肖特基二極管。為了抑制初、次級之間的共模干擾，在初、次級的同名端還并聯(lián)一只2200pf/2kv的高壓陶瓷電容c5。輸出電壓由精密電阻r7、r8決定，電阻r9為tl431的限流電阻。 5 tny256的使用注意事項 tny256在中等負載或輕負載下工作時會跳過一些時鐘周期，這容易使高頻變壓器產(chǎn)生音頻噪聲干擾。為減小此干擾，宜選磁通密度小于0.3t的磁芯材料。此外，最好用tvs二極管和陶瓷電容構成的漏極箝位保護電路來衰減視頻噪聲。使用nty256系列時推薦的一種印制板設計如圖4所示。 設計時

  • SEPTNY256型單片機開關電源及其應用

    、c2濾波后，得到約300v的直流高壓vi。鑒于在功率mosfet關斷瞬間，脈沖變壓器的漏感會產(chǎn)生尖峰電壓，因此，由電阻器r3、c3和超快恢復二極管d5（1n4937）組成的功率mosfet漏極鉗位保護電路，可有效抑制漏極上的反向峰值電壓，從而保護tny256內(nèi)的功率mosfet不受損壞。c3選用10000pf/1kv的高壓陶瓷電容器。 圖３ 5.5w、9vdc電源適配器電路原理圖 次級電壓通過d6、c6、c7、l3和c8整充濾波后，得到9v、0.6a的直流輸出。d4采用mbr360的肖特基二極管。為了抑制初、次級之間的共模干擾，在初、次級的同名端還并聯(lián)一只2200pf/2kv的高壓陶瓷電容c5。輸出電壓由精密電阻r7、r8決定，電阻r9為tl431的限流電阻。 5 tny256的使用注意事項 tny256在中等負載或輕負載下工作時會跳過一些時鐘周期，這容易使高頻變壓器產(chǎn)生音頻噪聲干擾。為減小此干擾，宜選磁通密度小于0.3t的磁芯材料。此外，最好用tvs二極管和陶瓷電容構成的漏極箝位保護電路來衰減視頻噪聲。 使用tny256系列時推薦的一種印制板設計如圖4

  • C8051F的模數(shù)轉(zhuǎn)換及直流電機驅(qū)動系統(tǒng)中的應用

    將模擬電源和數(shù)字電源分開，電源之間的電壓差必須滿足數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)定 d <0.5 v。 2) 將模擬地和數(shù)字地分開，不能混用。注意一定要在遠離cpu處(或電源處)通過導線連接，否則會在cpu的模擬地和數(shù)字地引腳之間產(chǎn)生電勢差，造成系統(tǒng)不穩(wěn)定，甚至死機現(xiàn)象。 3) 沒有用到的模擬引腳要接模擬地。 4) 在vref引腳接0.1μf和4.7μf電容，用于濾波和抑制噪聲。 5) 模擬信號的輸入電壓不能超過av+-0.3 v，為保證模擬輸入引腳不被高電平損傷，要采取保護措施，如加入穩(wěn)壓二極管mbr360等。另外為防止模擬輸入通過大的電流，還要在模擬引腳和模擬地之間加一只1μf的電容。 來源:零八我的愛

  • MBR360RLG的技術參數(shù)

    產(chǎn)品型號:MBR360RLG
    反向重復峰值電壓VRRM(max)(V):60
    平均整流器前向電流IO(max)(A):3
    瞬間前向電壓VF(max)@IF(V):0.74@3A
    非重復峰值浪涌電流IFSM(max)(A):80
    瞬間反轉(zhuǎn)電流IR(max)(mA):20
    封裝/溫度(℃):DO-201/-65~150
    ...

  • MBR360G的技術參數(shù)

    產(chǎn)品型號:MBR360G
    反向重復峰值電壓VRRM(max)(V):60
    平均整流器前向電流IO(max)(A):3
    瞬間前向電壓VF(max)@IF(V):0.740@3.0A
    非重復峰值浪涌電流IFSM(max)(A):80
    瞬間反轉(zhuǎn)電流IR(max)(mA):0.600
    封裝/溫度(℃):DIODE201/125（m...

  • MBR360

    35.0A/60V

  • SEPTNY256型單片機開關電源及其應用

    、c2濾波后，得到約300v的直流高壓vi。鑒于在功率mosfet關斷瞬間，脈沖變壓器的漏感會產(chǎn)生尖峰電壓，因此，由電阻器r3、c3和超快恢復二極管d5（1n4937）組成的功率mosfet漏極鉗位保護電路，可有效抑制漏極上的反向峰值電壓，從而保護tny256內(nèi)的功率mosfet不受損壞。c3選用10000pf/1kv的高壓陶瓷電容器。 圖３ 5.5w、9vdc電源適配器電路原理圖 次級電壓通過d6、c6、c7、l3和c8整充濾波后，得到9v、0.6a的直流輸出。d4采用mbr360的肖特基二極管。為了抑制初、次級之間的共模干擾，在初、次級的同名端還并聯(lián)一只2200pf/2kv的高壓陶瓷電容c5。輸出電壓由精密電阻r7、r8決定，電阻r9為tl431的限流電阻。 5 tny256的使用注意事項 tny256在中等負載或輕負載下工作時會跳過一些時鐘周期，這容易使高頻變壓器產(chǎn)生音頻噪聲干擾。為減小此干擾，宜選磁通密度小于0.3t的磁芯材料。此外，最好用tvs二極管和陶瓷電容構成的漏極箝位保護電路來衰減視頻噪聲。 使用tny256系列時推薦的一種印制板設計如圖4

mbr360替代型號

MBR350 MBR340RLG MBR340G MBR340 MBR3100RLG MBR3100 MBR30H100CTG MBR3060 MBR3045WTG MBR3045STG

MBR360G MBR360RLG MBR4015CTLG MBR4015LWTG MBR40250 MBR40250G MBR40250TG MBR4045PT MBR4045PTG MBR4045WTG

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MLX90248ESO MAX809REUR-T MAX1487CSA+T MIC39100-2.5BS MSP430F449IPZR MAX481ECSA MAX490EESA MSC2712GT1G MMBT3906T-7-F M74HC4052RM13TR

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