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osfet進(jìn)入有效模式，第二個(gè)階段將其關(guān)閉。 圖4所示電路配置使mosfet周期性地進(jìn)入有效模式，使功率耗散在mosfet上，需要考慮mosfet散熱問題?；谶@一原因，ic內(nèi)部包含了門限約為+160°c的高溫保護(hù)單元，當(dāng)溫度下降到+140°c以下時(shí)，電路恢復(fù)到正常模式。為了優(yōu)化設(shè)計(jì)，ic應(yīng)靠近mosfet放置，使兩者具有良好的熱傳導(dǎo)通路。 眾所周知，電路板電源總線可能存在負(fù)向電壓尖峰或正向電壓尖峰。抑制負(fù)電壓的保護(hù)電路可以采用無源器件或特殊ic。圖5提供了max6496反向電壓保護(hù)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 除了限制正向電壓以外，max6496還包含一個(gè)p通道m(xù)osfet柵極控制電路，可以在正電壓時(shí)使mosfet 保持導(dǎo)通狀態(tài)，而在負(fù)電壓時(shí)保持關(guān)閉狀態(tài)。在高負(fù)載電流、低輸入電壓情況下，這個(gè)電路比典型的肖特基二極管更實(shí)用。 結(jié)論 本文討論的限壓電路都提供了相應(yīng)的特性參數(shù)，便于器件在各種場(chǎng)合的應(yīng)用。每個(gè)限壓電路在負(fù)載上電時(shí)允許72v的最大輸入電壓，而在負(fù)載切斷時(shí)允許80v的最大輸入電壓。下表總結(jié)了限壓ic的主要特性。 來
輸入過壓時(shí)，控制外部n溝道m(xù)osfet開關(guān)，隔離輸出負(fù)載。max6495–max6499可工作在較寬的+5.5v至+72v供電電壓范圍內(nèi)。 當(dāng)監(jiān)控輸入低于用戶設(shè)置的過壓門限時(shí)，n溝道m(xù)osfet柵極被驅(qū)動(dòng)為高。集成的電荷泵電路提供一個(gè)10v柵極-源極電壓，完全導(dǎo)通n溝道m(xù)osfet。當(dāng)輸入電壓超過用戶設(shè)置的過壓門限時(shí)，迅速拉低mosfet的柵極，將負(fù)載與輸入斷開。在某些應(yīng)用中，不希望將負(fù)載和輸出斷開。在這些情況下，保護(hù)電路可配置為電壓限幅器，gate輸出齒波來限制負(fù)載電壓(max6495/max6496/max6499)。 max6496支持較低的輸入電壓，通過外部串聯(lián)p溝道m(xù)osfet替換外部電池反接保護(hù)二極管來降低功率損耗。max6496產(chǎn)生合適的偏置電壓，確保p溝道m(xù)osfet在正常工作時(shí)打開導(dǎo)通。出現(xiàn)拋負(fù)載情況時(shí)，柵極-源極電壓被嵌箝位，電池反接時(shí)p溝道m(xù)osfet被關(guān)斷。 max6497/max6498具有一個(gè)開漏、通用比較器，在輸出低于設(shè)置門限時(shí)，可通知系統(tǒng)。max6497保持mosfet開關(guān)閉鎖，直至輸入電源重新上電或者刷新/shdn引腳為止。當(dāng)vovset降至130
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