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m技術(shù)，在集成度和性價(jià)比上都要優(yōu)于先前spartan系列的fpga，系統(tǒng)外掛一塊micron公司的32m×16bits的ddr2芯片mt47h32m16作為外擴(kuò)sdram，以及一片numonyx公司的16mb的spi flash m25p16作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，而10／100mb以太網(wǎng)我們采用單片phy芯片加xilinx的mac軟核來(lái)實(shí)現(xiàn)。該方案將物理層和mac分開(kāi)，將mac用ip來(lái)實(shí)現(xiàn)，從而整個(gè)系統(tǒng)更加靈活。其中單片phy芯片有broadcom公司的bcm5221，intel公司的lxt971a、lxt972a，smsc公司的dm9000、lan83c185等。這里我們采用smsc公司的lan83c185來(lái)實(shí)現(xiàn)物理層。 1．2 系統(tǒng)整體框圖 雖然matlab中可以采用相關(guān)命令創(chuàng)建一個(gè)tcp／ip的模塊進(jìn)行數(shù)據(jù)的接收和顯示，但是與simulink中tc／ip模塊相比較為繁鎖，因此選擇用后者動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)顯示從以太網(wǎng)發(fā)送過(guò)來(lái)的數(shù)據(jù)，并可進(jìn)行相應(yīng)的處理。本設(shè)計(jì)主要是完成發(fā)送正弦函數(shù)數(shù)據(jù)并在simulink的接收模塊中顯示正弦函數(shù)圖形。系統(tǒng)的整體的框圖如圖l所示： 2 microblaze
語(yǔ)音處理dsp芯片選用audiocodes公司的ac483，它能同時(shí)支持4通道語(yǔ)音編解碼器，支持g．729a、g．723．1、g．727、g．726、g．711等壓縮算法標(biāo)準(zhǔn)，可完成實(shí)時(shí)的語(yǔ)音壓縮、dtmf信號(hào)的檢測(cè)、產(chǎn)生和回音消除等工作。 系統(tǒng)cpu芯片選用samsung公司arm7tdmi系列的s3c4510b，其工作頻率為50nhz，片內(nèi)集成了豐富的通用模塊，含有支持10m／100m自適應(yīng)的以太網(wǎng)控制器，可以直接通過(guò)phy芯片引出以太網(wǎng)接口。以太網(wǎng)phy芯片選用intel公司的lxt972a芯片，它具有1om／100m自適應(yīng)收發(fā)功能，支持全雙工操作。此外，系統(tǒng)還使用了2mb flash、16mb sdram和512kb sram作為存儲(chǔ)器。2．2 軟件設(shè)計(jì)方案 軟件部分主要由嵌入式操作系統(tǒng)和應(yīng)用層軟件組成，完成協(xié)議棧處理、路由處理和其他控制功能，軟件方案層次結(jié)構(gòu)如圖5所示。 嵌入式操作系統(tǒng)采用μclinux。μclinux是一種針對(duì)無(wú)內(nèi)存管理單元的處理器定制的嵌入式操作系統(tǒng)，具有豐富的網(wǎng)絡(luò)功能、源代碼公開(kāi)、內(nèi)棱可剪裁和易于移植等特點(diǎn)。根據(jù)硬件平臺(tái)的特點(diǎn)，還
計(jì) 本系統(tǒng)微處理器采用三星公司的硬件s3c4510b,網(wǎng)口控制芯片采用realtek公司的rtl8201,串口控制芯片采用常見(jiàn)的max232.主要芯片都是高度集成，接線簡(jiǎn)潔，原理清晰。體系結(jié)構(gòu)如圖1所示。 2.1 s3c4510b簡(jiǎn)介 s3c4510cpu芯片是samsung公司arm7tdmi系列中的一個(gè)型號(hào)，其工作頻率為50mhz,片內(nèi)集成了豐富的通用模塊，含有支持10m/100m自適應(yīng)的以太網(wǎng)控制器，可以直接通過(guò)phy芯片引出以太網(wǎng)接口。已太網(wǎng)phy芯片選用intel公司的lxt972a芯片，它具有10m、100m自適應(yīng)收發(fā)功能，支持全雙工操作，經(jīng)過(guò)網(wǎng)絡(luò)變壓器yl18-2050s連接到rj45,進(jìn)行收發(fā)數(shù)據(jù)包功能。此外，該系統(tǒng)還使用聊2mbflash,16mbsdram和512kbsram作為存儲(chǔ)器。 2.2 flash存儲(chǔ)器接口電路 flash閃存閃存的英文名稱是"flashmemory",一般簡(jiǎn)稱為"flash",它屬于內(nèi)存器件的一種。不過(guò)閃存的物理特性與常見(jiàn)的內(nèi)存有根本性的差異：目前各類ddr、sdram或者rdram都屬于揮發(fā)性內(nèi)存，只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)
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