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場效應(yīng)管（MOSFET）檢測方法與經(jīng)驗
2．判定源極s、漏極d 由圖1可見，在源-漏之間有一個pn結(jié)，因此根據(jù)pn結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別s極與d極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是s極，紅表筆接d極。 3．測量漏-源通態(tài)電阻rds（on）將g-s極短路，選擇萬用表的r×1檔，黑表筆接s極，紅表筆接d極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的rds（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表r×1檔實測一只irfpc50型vmos管，rds（on）=3.2w，大于0.58w（典型值）。 4．檢查跨導(dǎo) 將萬用表置于r×1k（或r×100）檔，紅表筆接s極，黑表筆接d極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高。注意事項：（1）vmos管亦分n溝道管與p溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于n溝道管。對于p溝道管，測量時應(yīng)交換表筆的位置。（2）有少數(shù)vmos管在g-s之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。（3）目前市場上還有一種vmos管功率模塊

IRFPC50
10.0A/600V

常用場效用管
有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以id不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜n+區(qū)（源極s）出發(fā)，經(jīng)過p溝道流入輕摻雜n-漂移區(qū)，最后垂直向下到達漏極d。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型mos場效應(yīng)管。國內(nèi)生產(chǎn)vmos場效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有vn401、vn672、vmpt2等。表1列出六種vmos管的主要參數(shù)。其中，irfpc50的外型如右上圖所示。 vmos場效應(yīng)管的檢測方法（1）．判定柵極g 將萬用表撥至r×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為g極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。（2）．判定源極s、漏極d 由圖1可見，在源-漏之間有一個pn結(jié)，因此根據(jù)pn結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別s極與d極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是s極，紅表筆接d極。（3）．測量漏-源通態(tài)
場效應(yīng)管的工作原理
個管腳是絕緣的。（2）．判定源極s、漏極d 由圖1可見，在源-漏之間有一個pn結(jié)，因此根據(jù)pn結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別s極與d極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是s極，紅表筆接d極。（3）．測量漏-源通態(tài)電阻rds（on）將g-s極短路，選擇萬用表的r×1檔，黑表筆接s極，紅表筆接d極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的rds（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表r×1檔實測一只irfpc50型vmos管，rds（on）=3.2w，大于0.58w（典型值）。（4）．檢查跨導(dǎo) 將萬用表置于r×1k（或r×100）檔，紅表筆接s極，黑表筆接d極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高。注意事項：（1）vmos管亦分n溝道管與p溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于n溝道管。對于p溝道管，測量時應(yīng)交換表筆的位置。（2）有少數(shù)vmos管在g-s之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。（3）目前市場上還有一種vmos管功率模塊，專供交流電機調(diào)速器、逆變器使用。例如

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