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提供BOM一站式配單服務(wù)
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IRFP4232PBF
PDP MOSFET
IRF
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PDP MOSFET
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建模實例：高端開關(guān) 為解讀動態(tài)電熱建模方法在功率開關(guān)應(yīng)用中如何在選取、驅(qū)動并散熱mosfet中發(fā)揮積極效用，驅(qū)動容性負(fù)載的高端開關(guān)是個好例子。在該例中，負(fù)載是一個有大容量輸入電容的電源。 圖7顯示的是pvi1050n光伏隔離器的行為模型，它由一個等效的集電極/漏級開路晶體管控制。state1、state2和trans1觸發(fā)并控制開關(guān)s1。c1和r2模擬pcb負(fù)載。r2得到10.8a的穩(wěn)態(tài)負(fù)載，而c1代表電源的大電容。igate、vgs和pwr_fet分別是電流、電壓和功率探針。irfp4232是準(zhǔn)動態(tài)mosfet模型，它是采用前述方法建構(gòu)的。圖中顯示的連接mosfet的散熱片是一片to-247，其建模后的熱阻抗是4.7℃/w。通過散熱片的殼體到環(huán)境熱通路的熱容抗忽略不計，因它比封裝的熱容抗大。這樣，它不會對快速的瞬間功率-脈沖引入的溫升有多大影響。 在圖8中，非標(biāo)準(zhǔn)電流過沖(overshoot)波形(在電流開始流動和mosfet完全開啟間)由門電壓vg的緩慢上升所引起。圖8表現(xiàn)了vg的緩慢上升，這是由pvi1050n的低驅(qū)動電流能力決定的。 對mosfet mil
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