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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10o...
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HEXFET Power MOSFET
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還表明，當在初級比較directfet產(chǎn)品與并聯(lián)的so-8產(chǎn)品時，directfet仍然獲得大約0.4%的更高效率，確認了directfet產(chǎn)品可替換并聯(lián)的標準器件的事實。 directfet半導體封裝技術實際上消除了整個通態(tài)電阻對mosfet封裝的影響，最大化了電路效率。directfet封裝技術還提供了非常好的到pcb的熱阻，大約為1oc/w，而通過器件的頂部(殼)的熱大約為1.4 oc/w。irf6612 或irf6618 門驅 動電壓通過采用雙30v so-8 封裝mosfet irf9956鉗位到7.5v 的最佳值。潛在的220w 直流總線變換器的大小可以是2.05英寸x 0.85英寸，這比業(yè)界標準1/8磚減小了大約25%，1/8磚的尺寸測量為2.30英寸x 0.90英寸。當今提供的一些具有完全特色的解決方案是1/4磚的波形因數(shù)，其標準大小為2.30英寸x 1.45英寸，如果使用直流總線變換器的設計方法，可提供53%的 空間節(jié)省。 開關頻率的選擇會影響變換器的效率、大小和費用。提高開關頻率降低輸出電壓波紋，并且可采用更小的磁性元件，因為磁通密度降低了。變壓器可以更小，具有更低
fet功率晶體管，可以用于副邊的自驅動同步整流電路。 directfet 半導體封裝技術實際上消除了mosfet晶體管的封裝電阻，最大程度地提高了電路的效率，處于導通狀態(tài)時的總電阻很小。利用directfet 封裝技術，它到印刷電路板的熱阻極小，大約是1°c/w，directfet器件的半導體結至頂部（外殼）的熱阻大約是 1.4°c/w。 irf6612 或者irf6618的柵極驅動電壓限制在最優(yōu)的數(shù)值7.5v ，與包含兩個 30v、使用 so-8 封裝的mosfet晶體管irf9956一樣。副邊的偏置電路是為了把兩個直流母線轉換器的輸出并聯(lián)起來，而它們的輸入電壓是不同的，而且在其中一個輸入出現(xiàn)短路或者切斷的情況下，仍然可以連續(xù)地提供輸出功率。 功率為150w 的直流母線轉換器的尺寸可以做到是1.95 × 0.85英寸，比符合工業(yè)標準的1/8磚還小，1/8磚的標準尺寸是2.30 × 0.90英寸，小了25%。有一些功能齊全的解決方案現(xiàn)在有尺寸為1/4磚的產(chǎn)品，它的標準尺寸是2.30 × 1.45英寸，如果使用直流母線轉換器，可節(jié)省空間53%。如
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