IRF7325TRPBF
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HEXFET Power MOSFET
IRF
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HEXFET Power MOSFET
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這個負(fù)載開關(guān)可以簡單地提供大于3a的輸出電流。因為電路靜態(tài)電流只是由兩個三極管的漏電流產(chǎn)生的(小于100na),因此它可以被看作是零功耗。 因為ald 和 international rectifier device都是“雙”的,一個常開、雙極版的電路很容易就被建立了。電路的輸入端既可以被連接在一起而提供一個dpst功能,也可以保持獨立,而組成兩個spst開關(guān)。 為了建立一個常開零功耗電路而且其負(fù)載通常處于關(guān)斷狀態(tài),需要用一個n溝道負(fù)載驅(qū)動器(例如irf7313)取代p溝道負(fù)載驅(qū)動器irf7325。在這種情況下,電路是通常開通狀態(tài)而且負(fù)載處于通常關(guān)閉狀態(tài),整個電路只消耗漏電流。相對于一個繼電器激活的電路,這個電路的靜態(tài)消耗被降低了幾個數(shù)量級,從幾瓦到幾微瓦。 如圖2的一個單常開、高側(cè)spst開關(guān)電路,展示了一個應(yīng)用ald110900a的超低功耗開關(guān)。 圖2:一個使用了ald epd mosfets的微功耗、常開、高側(cè)負(fù)載開關(guān)實現(xiàn)了零功耗;q2是一個零閥值器件。 advanced linear devices的ald110800(quad) 和 ald110900