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當(dāng)前位置:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>irf6604 更新時(shí)間:2026-04-14 11:52:22

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歷史最低報(bào)價(jià):¥5.0000 歷史最高報(bào)價(jià):¥26.6000 歷史平均報(bào)價(jià):¥10.1700

irf6604中文資料

  • IR推出用于2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器的MOSFET

    作在1至2mhz的頻率范圍。 irf6607很好地滿足了這樣的要求,它的導(dǎo)通電阻僅2.7mω,柵極電荷qgd為16nc,qg為50nc。它采用directfet封裝,芯片裝在銅殼中,銅殼直接裝在印制電路板上。柵極和源極的面積很大,是直接焊到板上,漏極則壓焊在銅殼頂部,因此封裝本身的電阻很小,電感也很小。directfet的封裝電阻只0.1mω(不包括芯片的電阻)、寄生電感為0.6nh。因此,d irctfet可在1mhz至2mhz的頻率范圍內(nèi)保持低損耗。2002年早些時(shí)侯推出的irf6604是用作控制開關(guān)的directfet封裝30v mosfet,導(dǎo)通電阻為8mω、qgd僅3.7nc。ir公司電腦產(chǎn)品銷售經(jīng)理carl blake說,在一個(gè)2相降壓轉(zhuǎn)換器實(shí)例中,每相用兩只dirctfet (用irf6607作同步開關(guān),用irf6604 作控制開關(guān)),氣流速度為425lfm,輸入為12v,輸出為1.7v,開關(guān)頻率為2mhz,每相輸出電流為30a,效率為77%,當(dāng)每相輸出電流為20a時(shí)的效率為81%。與使用so-8封裝的mosfet相比,由于directfet的寄生電感很小,脈沖波形中

irf6604替代型號(hào)

IRF650 IRF640NPBF IRF640N IRF640B IRF640 IRF630NPBF IRF630N IRF630 IRF6215PBF IRF620

IRF6607 IRF6608 IRF6609 IRF6610 IRF6611 IRF6612 IRF6613 IRF6614 IRF6617 IRF6618

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IRFZ44NPBF IRFR2405TRPBF IDT92HD80B1X5NLG IRFR220N IRF7811ATR IPD60R3K3C6 IRFH7923TRPBF IRF3808PBF IRFD120 IRF7811ATRPBF

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