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基于MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域中的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：如高壓功率mosfet其工作電壓可達(dá)1000v;低導(dǎo)通電阻mosfet其阻值僅lomω；工作頻率范圍從直流到達(dá)數(shù)兆赫；保護(hù)措施越來越完善；并開發(fā)出各種貼片式功率mosfet（如siliconix最近開發(fā)的厚度為1.5mm"little foot系列）。另外，價(jià)格也不斷降低，使應(yīng)用越來越廣泛，不少地方取代雙極型晶體管。多年來許多制造商持續(xù)推出了許多代功率mosfet產(chǎn)品。30年多來，基準(zhǔn)基本上每年都會(huì)更新。至寫這篇文章時(shí)，100v基準(zhǔn)公認(rèn)為是英飛凌的ipb025n10n3g所保持。與irf100的4ω–mm2品質(zhì)因數(shù)（fom）相比（1），ipb025n10n3g的fom不到0.1ω–mm2.這個(gè)值幾乎已經(jīng)達(dá)到硅器件的理論極限（2）。不過改進(jìn)仍在持續(xù)。例如，coolmos器件和igbt的導(dǎo)通性能已經(jīng)超過了簡單垂直型多數(shù)載流子mosfet的理論極限。這些創(chuàng)新在相當(dāng)長一段時(shí)間內(nèi)可能還會(huì)繼續(xù)，并且會(huì)充分利用功率mosfet的低成本結(jié)構(gòu)和訓(xùn)練有素的設(shè)計(jì)師，而這些設(shè)計(jì)師經(jīng)過多年實(shí)踐后已經(jīng)學(xué)會(huì)如何有效發(fā)掘電源轉(zhuǎn)換電路和系統(tǒng)的性能。開啟gan新時(shí)代 hemt（高電

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