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FGL40N120AND 1200V NPT IGBT FAIRCHILD FGL40N120ANDPDF下載
FGL40N120AND 1200V NPT IGBT FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] FGL40N120ANDPDF下載
FGL40N120ANDTU NPT Trench IGBT; Transistor Type:IGB... Fairchild Semiconductor FGL40N120ANDTUPDF下載
FGL40N120AND_06 1200V NPT IGBT FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] FGL40N120AND_06PDF下載

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歷史最低報(bào)價(jià)：￥2.3000 歷史最高報(bào)價(jià)：￥50.0000 歷史平均報(bào)價(jià)：￥22.8468

基于提高太陽能逆變器的轉(zhuǎn)換效率的解決方案
的導(dǎo)通損耗。目前市面上有采用to-220封裝、rds(on) 值低于100毫歐的mosfet和采用to-247封裝、rds(on) 值低于50毫歐的mosfet。對(duì)于需要1200v功率開關(guān)的太陽能逆變器，igbt是適當(dāng)?shù)倪x擇。較先進(jìn)的igbt技術(shù)，比如npt trench 和 npt field stop，都針對(duì)降低導(dǎo)通損耗做了優(yōu)化，但代價(jià)是較高的開關(guān)損耗，這使得它們不太適合于高頻下的升壓應(yīng)用。飛兆半導(dǎo)體在舊有npt平面技術(shù)的基礎(chǔ)上開發(fā)了一種可以提高高開關(guān)頻率的升壓電路效率的器件fgl40n120and，具有43uj/a的eoff ，比較采用更先進(jìn)技術(shù)器件的eoff為80uj/a，但要獲得這種性能卻非常困難。fgl40n120and器件的缺點(diǎn)在于飽和壓降vce(sat) (3.0v 相對(duì)于125?c的 2.1v) 較高，不過它在高升壓開關(guān)頻率下開關(guān)損耗很低的優(yōu)點(diǎn)已足以彌補(bǔ)這一切。該器件還集成了反并聯(lián)二極管。在正常升壓工作下，該二極管不會(huì)導(dǎo)通。然而，在啟動(dòng)期間或瞬變情況下，升壓電路有可能被驅(qū)使進(jìn)入工作模式，這時(shí)該反并聯(lián)二極管就會(huì)導(dǎo)通。由于igbt本身沒有固有的體二極管，故需要這種共封裝的二極管

2012年2月13日維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)IC報(bào)價(jià)
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