A Novel ZCS PWM Half- bridge Converter

al principles fig.1 shows the circuit diagram of the half-bridge converter. in the schematic, lr1 to lr4 are resonant inductors, the cr is resonant capacitor, s1 and s2 are main switches, s3 and s4 are auxiliary switches, d1 to d4 are anti-parallel diodes in the switches, cs1 to cs4 are snubber-capacities. the circuit is the conventional half bridge topology incorporating the auxiliary resonant tank that composed of switches s3 and s4. the zero current switching state can be obtained by controlling

電解電容壽命紋波電流測試

1. 工作原理/working principle ★ 當(dāng)u2為正半周并且數(shù)值大于電容兩端電壓uc時，二極管d1和d3管導(dǎo)通，d2和d4管截止，電流一路流經(jīng)負(fù)載電阻rl，另一路對電容c充電。當(dāng)uc>u2，導(dǎo)致d1和d3管反向偏置而截止，電容通過負(fù)載電阻rl放電，uc按指數(shù)規(guī)律緩慢下降。 ★ the diode d1&d3 work, d2&d4 cut off, the current flows through the load resistance rl in a loop and charge the capacitor c up when u2 in the positive half circuit and its value exceeding the voltage uc which is parallel connected in the two terminals of capacitor. when uc exceeds u2, and causes the diode d1&d3 cut off, the capacit

放大器電氣過應(yīng)力EOS問題分析

生瞬態(tài)過壓條件。如果電源電壓超出放大器的電壓擊穿極限，則 esd 吸收器件可能會被觸發(fā)，從而在電源引腳之間形成一個傳導(dǎo)路徑。 圖 8 電源引腳過壓保護(hù)圖中翻譯： (左)5v 電源電壓 1us 瞬態(tài)(1us transient riding on 5v supply voltage) (右上)+5v 電源線 5v 1us 瞬態(tài)(5v 1us transient riding on+5v supply line) (右下)無 tvs 模型時仿真中使用的齊納二極管(zener diode used in simulation on tvs model available) a、rlc 電路的輸入電流限制(limits input current with rlc circuit) b、tvs 的輸入電壓限制(limits input voltage with tvs)利用 rc 或 rlc 電路，您可以保護(hù)器件免于電源瞬態(tài)(請參見圖 8)。使用一個普通的板上 emi/rfi 濾波器便可完成這項(xiàng)工作。然而，電路的響應(yīng)會隨 rlc 常數(shù)和負(fù)載特性的不同而呈現(xiàn)出極大的差異

開關(guān)電源設(shè)計原理及全過程

0.86cm2,可繞面積（槽寬）=10mm,因margin tape使用2.8mm,所以剩余可繞面積為4.4mm. 假設(shè)濾波電容使用47uf/400v,vin（min）暫定90v. 決定變壓器的線徑及線數(shù)： 假設(shè)np使用0.32ψ的線 電流密度= 可繞圈數(shù)= 假設(shè)secondary使用0.35ψ的線 電流密度= 假設(shè)使用4p,則 電流密度= 可繞圈數(shù)= 決定dutyl cycle: 假設(shè)np=44t,ns=2t,vd=0.5（使用schottky diode） 決定ip值： 決定輔助電源的圈數(shù)： 假設(shè)輔助電源=12v na1=6.3圈 假設(shè)使用0.23ψ的線 可繞圈數(shù)= 若na1=6tx2p,則輔助電源=11.4v 決定mosfet及二次側(cè)二極體的stress（應(yīng)力）： mosfet（q1） =最高輸入電壓（380v）+ = =463.6v diode（d5）=輸出電壓（vo）+ x最高輸入電壓（380v）= =20.57v diode（d4）= = =41.4v 其它： 因?yàn)檩敵?/p>

剖析電腦關(guān)鍵元器件

時的反向恢復(fù)時間trr 短，因此，其特長是急速地變成 關(guān)閉的轉(zhuǎn)移時間顯著地短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因 tt（轉(zhuǎn)移時間）短， 所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產(chǎn)生很多高頻諧波。 j、穩(wěn)壓二極管 是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品。 被制作成為硅的擴(kuò)散型或合金型。 是反向擊穿特性曲線 急驟變化的二極管。作為控制電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱 齊納電壓）從 3v 左右到 150v，按每隔 10%，能劃分成許多等級。 k、 雪崩二極管 （avalanche diode） 它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的： 利用雪崩擊穿對晶體注入載流子， 因載流子渡越晶片需要一定的時間， 所以其電流滯后于電 壓， 出現(xiàn)延遲時間， 若適當(dāng)?shù)乜刂贫稍綍r間， 那么， 在電流和電壓關(guān)系上就會出現(xiàn)負(fù)阻效應(yīng)， 從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應(yīng)用于微波領(lǐng)域的振蕩電路中。 l、江崎二極管 （tunnel diode） 它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。 其 p 型區(qū)的 n 型區(qū)是高摻雜的（即高濃度

Diodes新推ZXTR2000高壓線性穩(wěn)壓器晶體管

　　Diodes公司 （Diodes Incorporated） 為針對網(wǎng)絡(luò)、電信和以太網(wǎng)供電 （Power over Ethernet,簡稱PoE） 設(shè)備內(nèi)48V電路，推出有效節(jié)省空間的高壓線性穩(wěn)壓器晶體管ZXTR2000系列。

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Diodes新增ZXTR2000高壓線性穩(wěn)壓器晶體管

　　Diodes公司 （Diodes Incorporated） 為針對網(wǎng)絡(luò)、電信和以太網(wǎng)供電 （Power over Ethernet,簡稱PoE） 設(shè)備內(nèi)48V電路，推出有效節(jié)省空間的高壓線性穩(wěn)壓器晶體管ZXTR2000系列。

Diodes新推小體積高壓線性穩(wěn)壓器晶體管ZXTR2000系列

　　Diodes公司 （Diodes Incorporated） 為針對網(wǎng)絡(luò)、電信和以太網(wǎng)供電 （Power over Ethernet,簡稱PoE） 設(shè)備內(nèi)48V電路，推出有效節(jié)省空間的高壓線性穩(wěn)壓器晶體管ZXTR2000系列。

Diodes推出高功率因數(shù)升壓LED驅(qū)動器

Diodes推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管

　　Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計(5 matrix emitter Bipolar process)。

泰科電子于第六屆PCIM新品展示 盡現(xiàn)電子組件元老風(fēng)采

開關(guān)損耗，增加了系統(tǒng)可靠性； ·可選的半控輸入整流橋，從而可以有效進(jìn)行瞬時電流控制和短路保護(hù)； ·模塊內(nèi)部完全隔離，經(jīng)過ul認(rèn)證； ·內(nèi)部集成ntc電阻，低成本溫度檢測； ·基于flow 0封裝的小型化，易安裝的設(shè)計。 產(chǎn)品概括： 型號 電壓 功率 (50 khz) 功率 (400 khz) 特點(diǎn) v23990-p802-1)-pm 500 v 4.0 kw 1.6 kw coolmos + tandem diode v23990-p803-1)-pm 500 v 8.0 kw 3.2 kw coolmos + tandem diode v23990-p804-d-pm2) 500 v 8.0 kw highspeed igbt + tandem diode v23990-p800-1)-pm 500 v 7.8 kw 4.9 kw coolmos + sic diode 1) d30：標(biāo)準(zhǔn)整流橋產(chǎn)品

LED辭典

動化而生。初期廠商裹足不前，主要因素是表面粘著led最早面臨的問題是無法完成高溫紅外線下焊錫回流的步驟。led的比熱較ic低，溫度升高時不僅會造成亮度下降，且超過攝氏100度時將加速組件的劣化。led封裝時使用的樹脂會吸收水分，這些水分子急速汽化時，會使原封裝樹脂產(chǎn)生裂縫，影響產(chǎn)品效益。在1990年初，hp和siemens component group合作開發(fā)長分子鍵聚合物，作為表面粘著型led配合取放機(jī)器的設(shè)計，表面粘著型led到此才算正式登場。 led light emitting diode。發(fā)光二極管。 led為通電時可發(fā)光的電子組件，是半導(dǎo)體材料制成的發(fā)光組件，材料使用iii- v族化學(xué)元素（如：磷化鎵(gap)、砷化鎵(gaas)等），發(fā)光原理是將電能轉(zhuǎn)換為光，也就是對化合物半導(dǎo)體施加電流，透過電子與電洞的結(jié)合，過剩的能量會以光的形式釋出，達(dá)成發(fā)光的效果，屬于冷性發(fā)光，壽命長達(dá)十萬小時以上。led最大的特點(diǎn)在于：無須暖燈時間(idling time)、反應(yīng)速度很快(約在10^-9秒)、體積小、用電省、污染低、適合量產(chǎn)，具高可*度，容易配合應(yīng)用上的需要制成極小或數(shù)組式的組

電子元件基礎(chǔ)知識--二極管

，因tt（轉(zhuǎn)移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產(chǎn)生很多高頻諧波。穩(wěn)壓二極管 是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品。被制作成為硅的擴(kuò)散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3v左右到150v，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從200mw至100w以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動態(tài)電阻rz很小，一般為2cw型；將兩個互補(bǔ)二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2dw型。pin型二極管（pin diode） 這是在p區(qū)和n區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體）構(gòu)造的晶體二極管。pin中的i是“本征”意義的英文略語。當(dāng)其工作頻率超過100mhz時，由于少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)和“本征”層中的渡越時間效應(yīng)，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，“本征”區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入“本征”區(qū)，而使“本征”區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗?fàn)顟B(tài)。因此，可以把pin二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應(yīng)用于高頻開關(guān)（即微波開關(guān)）、移相、調(diào)制、限幅等

光電二極管的分類（二）

光電二極管" 英文通常稱為 photo-diode 光電二極管和普通二極管一樣，也是由一個pn結(jié)組成的半導(dǎo)體器件，也具有單方向?qū)щ娞匦?。但是，在電路中不是用它作整流元件，而是通過它把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。那么，它是怎樣把光信號轉(zhuǎn)換成電信號的呢？大家知道，普通二極管在反向電壓作用在處于截止?fàn)顟B(tài)，只能流過微弱的反向電流，光電二極管在設(shè)計和制作時盡量使pn結(jié)的面積相對較大，以便接收入射光。光電二極管是在反向電壓作用在工作的，沒有光照時，反向電流極其微弱，叫暗電流；有光照時，反向電流迅速增大到幾十微安，稱為光電流。光的強(qiáng)度約大，反向電流也約大。光的變化引起光電二極管電流變化，這就可以把光信號轉(zhuǎn)換成電信號，成為光電傳感器件。 一、根據(jù)構(gòu)造分類 半導(dǎo)體二極管主要是依*pn結(jié)而工作的。與pn結(jié)不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號在內(nèi)，根據(jù)pn結(jié)構(gòu)造面的特點(diǎn)，把晶體二極管分類如下： 1、點(diǎn)接觸型二極管 點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其pn結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較

晶體二極管的分類

）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產(chǎn)生很多高頻諧波。 10、穩(wěn)壓二極管 是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品。被制作成為硅的擴(kuò)散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3v左右到150v，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從200mw至100w以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動態(tài)電阻rz很小，一般為2cw型；將兩個互補(bǔ)二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2dw型。 11、pin型二極管（pin diode） 這是在p區(qū)和n區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體）構(gòu)造的晶體二極管。pin中的i是“本征”意義的英文略語。當(dāng)其工作頻率超過100mhz時，由于少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)和“本征”層中的渡越時間效應(yīng)，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，“本征”區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入“本征”區(qū)，而使“本征”區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗?fàn)顟B(tài)。因此，可以把pin二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應(yīng)用于高頻開關(guān)（即微波開關(guān)）、移相、調(diào)制、限幅

Easy-Downloader V1.1 with SDCC

sily. figure 1: complete hardware schematic of easy-downloader v1.1 ( see errata below). easy1_3.pdfhardware the hardware has a bit change at rs232 level converter. now the circuit uses a popular rs232 level converter, max232. also i cut the bridge diode at the dc input, now i use only one diode to prevent wrong polarity of a given dc adapter. layout the pcb layout was made with orcad layout plus. the gerber file is available at download section below. here i like to show how nice it is. the top and

手工制作的MP3播放器電路及資料

550a 1 micronas audio d/a converter 5 q1 2sa1300 1 toshiba low saturation, high hfe ---- ----------- -------------- --- ---------- ---------------------------- 6 q2,q3,q4 rn1205 3 toshiba with built-in resisters 7 d1 1gwj42 1 toshiba typical shottky diode 8 d2,d3,d4 1ss319 3 toshiba typical swiching diode 9 d5 nspg320bs 1 nichia super high bright 10 y1 cst6.00mgw 1 murata ceramic resonator w/caps ---- ----------- -------------- --- ---------- ---------------------------- 11 y2 14.725mhz 1 crystal res

變壓器供電的簡單電路介紹

便產(chǎn)生交流磁通，使次級線圈中感應(yīng)出電壓（或電流）。變壓器由鐵芯（或磁芯）和線圈組成，線圈有兩個或兩個以上的繞組，其中接電源的繞組叫初級線圈，其余的繞組叫次級線圈。 變壓器原理： 變壓器的工作原理 變壓器利用電磁感應(yīng)原理，從一個電路向另一個電路傳遞電能或傳輸信號的一種電器，輸送的電能的多少由用電器的功率決定。 元件bom表： c1 0.39uf 250v capacitor c2 220uf 25v electrolytic capacitor d1 1n4741 11v zener diode （see notes） br1 1 amp 200v bridge rectifier misc line cord, board, wire, case 來源:朦煙

晶體管、二極管和集成電路符號

晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100ghz以上。 二極管又稱晶體二極管，簡稱二極管（diode）；它只往一個方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個零件號接合的2個端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動或不流動的性質(zhì)。晶體二極管為一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 集成電路（integrated circuit,港臺稱之為積體電路）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所

汽車LED電池電路

led（light emitting diode），發(fā)光二極管，是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。led的心臟是一個半導(dǎo)體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負(fù)極，另一端連接電源的正極，使整個晶片被環(huán)氧樹脂封裝起來。半導(dǎo)體晶片由兩部分組成，一部分是p型半導(dǎo)體，在它里面空穴占主導(dǎo)地位，另一端是n型半導(dǎo)體，在這邊主要是電子。但這兩種半導(dǎo)體連接起來的時候，它們之間就形成一個"p-n結(jié)".當(dāng)電流通過導(dǎo)線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向p區(qū)，在p區(qū)里電子跟空穴復(fù)合，然后就會以光子的形式發(fā)出能量，這就是led發(fā)光的原理。而光的波長決定光的顏色，是由形成p-n結(jié)材料決定的。 該電路是一個比較器，可以測量的1volt. 來源:朦煙

keven_lee那篇電流鏡E文的翻譯，老外說話就是通俗淺顯

t a constant value. 我們已經(jīng)看到有源晶體管的恒定的基極電流是如何以系數(shù)β控制集電極電流的。系數(shù)α的作用與之類似：如果發(fā)射極電流保持恒定，只要集電極－發(fā)射極電壓足以使其保持在放大區(qū)，集電極電流也將穩(wěn)定保持。于是，只要我們能讓晶體管的發(fā)射極電流保持恒定，它就能保持發(fā)射極電流為恒定值。［4］remember that the base-emitter junction of a bjt is nothing more than a pn junction, just like a diode, and that the "diode equation" specifies how much current will go through a pn junction given forward voltage drop and junction temperature: 其實(shí)，bjt的發(fā)射結(jié)不過是個pn結(jié)，就如同二極管。因此流過pn結(jié)的電流與其正向壓降的關(guān)系也符合“二極管方程”：［5］if both junction voltage and temperature

PHILIPS 超牛逼PCF二級管 Trr<19ns

免大功率損耗及emi（電磁干擾），必須謹(jǐn)慎地選擇它。 phliips公司推出超快軟恢復(fù)二極管解決了這個問題，這種新型二極管的推出使pfc電路的性能大大改善了。 結(jié)束語 在離線式開關(guān)電源的連續(xù)電流模式pfc升壓電路中，采用philips公司的600v超塊軟恢復(fù)二極管，配合相應(yīng)的功率管mosfet使用，可以得到較高的pfc效率，減小了超過30%功率損耗，并降低了emi而使電路的可靠性得到提高，同時減少了系統(tǒng)成本，使其應(yīng)用得到有效的推廣。 快恢復(fù)二極管 byc8-600 : rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,8a/600v to220 byc8x-600 : rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,8a/600v to220塑封 byc10-600 : rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,10a/600v to220 byv10x-500 : rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,10a/500v 塑封 byv29x-600 : rectifie

新型600V超快軟恢復(fù)的PFC二極管

免大功率損耗及emi（電磁干擾），必須謹(jǐn)慎地選擇它。 phliips公司推出超快軟恢復(fù)二極管解決了這個問題，這種新型二極管的推出使pfc電路的性能大大改善了。 結(jié)束語 在離線式開關(guān)電源的連續(xù)電流模式pfc升壓電路中，采用philips公司的600v超塊軟恢復(fù)二極管，配合相應(yīng)的功率管mosfet使用，可以得到較高的pfc效率，減小了超過30%功率損耗，并降低了emi而使電路的可靠性得到提高，同時減少了系統(tǒng)成本，使其應(yīng)用得到有效的推廣。 快恢復(fù)二極管 byc8-600 : rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,8a/600v to220 byc8x-600 : rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,8a/600v to220塑封 byc10-600 : rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,10a/600v to220 byv10x-500 : rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,10a/500v 塑封 byv29x-600 : rectifie

請問常用的貼片npn三極管有何型號？

on sil siliconix itt itt semiconductors mot motorola nat national semiconductor roh rohm tem temic semiconductorscode devide manuf. pinout equivalent/info005 sstpad5 sil j pad-5 5pa leakage diode010 sstpad10 sil j pad-10 10pa leakage diode011 so2369r sgs r 2n236902 bst82 phi m n ch mosfet 80v 175ma020 sstpad20 sil j pad-20 20pa leakage diode050 sstpad50

bandgap啟動電路如何設(shè)計？

bandgap啟動電路如何設(shè)計？下面這個bandgap電路，有沒有合適的啟動電路。資料中是通過啟動電路降低p1,p2,p3的柵提供一個啟動電流，可是沒有提供觸發(fā)啟動電路的部分電路。分析可以得知：如果監(jiān)測觸發(fā)點(diǎn)太高，那么可能正常工作電流還在啟動，造成不正常工作。如果監(jiān)測觸發(fā)點(diǎn)太低，那么可能此時電流較小，diode沒有導(dǎo)通，電流全部流過電阻，這個電路簡化為一個總是處于穩(wěn)態(tài)的電路，造成不能啟動。再加上器件的誤差和失調(diào)，小電流激勵（diode導(dǎo)通不夠），也可能進(jìn)入錯誤穩(wěn)定狀態(tài)。通常的bandgap沒有兩邊的電阻，對于很小激勵電流（10na)，兩個diode的電壓差就達(dá)到了vtln(n)，使電路啟動。這個特殊的bandgap，對于較小激勵電流（0.8*vbe/r1),diode不導(dǎo)通，兩個節(jié)點(diǎn)電壓差為零！造成不能啟動。我覺得應(yīng)該有更大電流通過，通過diode的不平衡造成兩個節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)電壓差而啟動電路。為了克服失調(diào)，假設(shè)設(shè)置使兩個節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)10mv電壓差的電流作為可以自己啟動的下限，設(shè)置正常工作的電流為上限。我簡單估計了一下，正常工作電流24ua，啟動下限10ua。也就是要做一個在10~24ua的電流監(jiān)測電路，