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電導(dǎo)率儀的電極的使用
被測(cè)熔液電導(dǎo)率低于0.3 ns·cm 1，使用djs o.1量電極，這時(shí)應(yīng)把rp2調(diào)節(jié)在所配套的電極的電極常數(shù)的10倍位置上，例如，配套電極常數(shù)為0.090，則應(yīng)把rp2調(diào)節(jié)在0.90位置上。 ②當(dāng)被測(cè)熔液的電導(dǎo)率低于10p，s·cm 1，使用djs—型光亮電板。這時(shí)應(yīng)把rw，調(diào)節(jié)與所配套的電極的常數(shù)相對(duì)應(yīng)的位置上，例如：若配套電極的常數(shù)為0.95，則應(yīng)把rp2調(diào)節(jié)在0.95處，又如若配套電極的常數(shù)為1.1，則應(yīng)把rp2兩節(jié)在1.1的位置上。 ③當(dāng)被測(cè)溶液的電導(dǎo)率在10～104μs·cm-1范圍，則使用djs-1型鉑黑電極，應(yīng)把fip2調(diào)節(jié)在與所配套的電極的常數(shù)相對(duì)應(yīng)的位置上。 ④當(dāng)被測(cè)熔液的電導(dǎo)率大于104μs·cm-1，則選用djs-10型鉑黑電極，這時(shí)應(yīng)把rp2調(diào)節(jié)在所配套的電機(jī)有的常數(shù)的1/10位置上。例如，若電極的常為9.8，則應(yīng)使rp2指在0.98位置上，再將測(cè)得的讀數(shù)乘以10，即為被測(cè)熔液的電導(dǎo)率。 2）將電極插頭插入電極插口內(nèi)，旋緊插口上的緊固螺釘，再將電極浸人待測(cè)熔液中。 3）接著校正（當(dāng)用1～8量程測(cè)量時(shí)，校正時(shí)高/低頻開關(guān)8扳在低頻，不用9～
PECVD法低溫形成納米級(jí)薄介質(zhì)膜擊穿特性的實(shí)驗(yàn)研究
成薄膜樣品(以p-si襯底為例)，其中，7號(hào)樣品氣壓33．25pa；11號(hào)樣品氣壓39．90pa；2號(hào)樣品氣壓46.55pa；9號(hào)樣品氣壓53．20pa；10號(hào)樣品氣壓59.85pa。相應(yīng)的準(zhǔn)靜態(tài)c-v、高頻c-v特性測(cè)試，得到膜的電學(xué)參數(shù)列在表1。分析發(fā)現(xiàn)，薄膜樣品i-v擊穿特性并不是隨反應(yīng)室氣壓增加而單調(diào)變化，相對(duì)來(lái)說(shuō)，2號(hào)樣品的i-v特性最好，開始時(shí)隨電壓增大電流幾乎為零并保持不變，當(dāng)電壓增大到200v左右時(shí)，電流突變急劇上升，曲線上升陡直，擊穿“硬”，擊穿電場(chǎng)eb高(約6．7×107v·cm-1)。結(jié)合表1結(jié)果分析看出，該薄膜樣品各項(xiàng)電學(xué)參數(shù)都比較好，同時(shí)其抗熱電子注入等物理電學(xué)性能也較好[10]。11號(hào)樣品及9號(hào)樣品的i-v特性都相當(dāng)好，擊穿電流上升陡直，曲線較“硬”，eb高(約6．6×107v·cm-1)。但從表1看到，11號(hào)及9號(hào)樣品的ditm,δvfb與nf都不如2號(hào)的好。7號(hào)樣品及10號(hào)樣品的i-v擊穿曲線也較好，eb較高(約6．5×107v·cm-1)。而從表1看出，這兩批薄膜樣品各項(xiàng)電學(xué)參數(shù)與2號(hào)比相差較遠(yuǎn)，7號(hào)和10號(hào)樣品擊穿曲線有些輕微波動(dòng)，可能是電流急增時(shí)探針與樣品
電導(dǎo)率儀的
1）未開電源開關(guān)前，觀察儀表指針是否指向零，如不指向零，可調(diào)整表頭上的螺釘，使表針指零。如果沒(méi)有表頭調(diào)整螺釘，則必須拆開儀表，卸下表頭，即可調(diào)整零位（水平方向調(diào)整）。 2）將校正/測(cè)量開關(guān)7置于“校正”位置。 3）接通電源線，打開電源開關(guān)，預(yù)熱20min（指針完全穩(wěn)定為止），調(diào)節(jié)校正調(diào)節(jié)器6使電表指示滿度。 4）當(dāng)使用1～8量程來(lái)測(cè)量電導(dǎo)率低于300μs·cm-1的液體時(shí)，選用“低調(diào)”時(shí)高/低頻開關(guān)8扳向低頻即可。當(dāng)使用9～12量程來(lái)測(cè)量電導(dǎo)率在大于300μs·cm-1范圍里的液體時(shí)，即將高/低頻開關(guān)8扳向高頻。 5）將量程選擇開關(guān)5扳到所需要的測(cè)量范圍，如預(yù)先不知被測(cè)熔液電導(dǎo)率的大小，應(yīng)先把其扳到最大電導(dǎo)率測(cè)量擋，然后逐擋下降，以防將表針打彎。歡迎轉(zhuǎn)載，信息來(lái)源維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)（www.hbjingang.com）來(lái)源:ks99
聚合物鋰離子電池技術(shù)
形成該類體系，如：聚氧化乙烯（peo）、聚氧化丙烯、聚氧雜環(huán)丁烷、聚乙烯亞胺、聚（n-丙基-1氮雜環(huán)丙烷）、聚硫化亞烴等。作為硬酸的li+傾向于和硬堿發(fā)生相互作用，所以鋰鹽在含氮、硫極性基團(tuán)的聚合物中的溶解度較在含氧極性基團(tuán)的聚合物中小，電導(dǎo)率（σ）很低而沒(méi)有實(shí)際的意義；peo分子的構(gòu)象比其它聚醚分子更有利于與陽(yáng)離子形成多重配位，能溶解更多的鋰鹽，表現(xiàn)出好的導(dǎo)電性能，因此peo+鋰鹽體系就成為spe中最早和最廣泛研究的體系。但是常規(guī)的固態(tài)聚合物電解質(zhì)（spe）的σ室溫通常小于10-4s·cm-1，為滿足鋰離子電池的要求，在聚合物/鹽體系中加入能促進(jìn)鋰鹽離解、增加體系的自由體積分?jǐn)?shù)并降低其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（tg）的增塑劑，可得到σ室溫大于10-3s·cm-1的凝膠spe。增塑劑通常是高介電常數(shù)、低揮發(fā)性、對(duì)聚合物/鹽復(fù)合物具有可混性和對(duì)電極具有穩(wěn)定性的有機(jī)溶劑。如碳酸乙烯酯（ec）、碳酸丙烯酯（pc）、碳酸二甲酯、n-甲基吡咯烷酮、環(huán)丁砜、γ-丁內(nèi)酯等。常用的鋰鹽有l(wèi)ipf6、lin（so2cf3）等。運(yùn)用xrd、dsc和交流阻抗等測(cè)試手段，對(duì)影響聚合物電導(dǎo)率的因素作了初步探討。
儀器的放大器與指示器
放大器由vu、vt5、vt6及vt7組成，其中vu的輸人阻抗很高，能與低電導(dǎo)測(cè)量范圍高阻抗信號(hào)源相匹配。放大器各級(jí)以及放大器輸出，與第三級(jí)間均存在深度的負(fù)反饋，這樣不但得到了在小信號(hào)時(shí)檢波二極管的非線性特性，使指示具有良好的線性。放大后的信號(hào)是交流電，因電極極片間及電極引線，均出現(xiàn)了不可忽視的分布電容℃（大約60pf左右），電導(dǎo)池則有電抗存在。這樣將電導(dǎo)池視作純電阻來(lái)測(cè)量，則存在相當(dāng)大的附加誤差。特別在（0～0.1）μs·cm-1的低電導(dǎo)率量程里此誤差最顯著，因此有必要進(jìn)行補(bǔ)償，常用的方法是電容補(bǔ)償，如圖1所示。圖1中，信號(hào)源輸出變壓器的二次側(cè)有兩個(gè)輸出信號(hào)e1及e，e1作為電容c，的補(bǔ)償電源，e1與e的相位相反，因而由e1引起的電流i1流經(jīng)rm，的方向與測(cè)量信號(hào)電流r流過(guò)rm的方向相反，調(diào)節(jié)rp1可使i與i1，相等，故其在rm上的影響可以抵消。圖1 電容補(bǔ)償原理歡迎轉(zhuǎn)載，信息來(lái)源維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)（www.hbjingang.com）來(lái)源:ks99

簡(jiǎn)明英漢電子術(shù)語(yǔ)詞典（一：A～G）
em) 銅損電流在繞組中流過(guò)時(shí)損失的功率。這種功率損失是等于電流的平方乘以導(dǎo)線的電阻（i2r）。這種功率損耗轉(zhuǎn)化為熱量。 coperoptics pairgain公司的商標(biāo) pairgain的商標(biāo)，指該公司xdsl技術(shù)的功能。從本質(zhì)上講，使用pairgain的xdsl產(chǎn)品時(shí)，用戶在銅質(zhì)電纜傳送信號(hào)時(shí)，可以達(dá)到光纖中傳播光信號(hào)的質(zhì)量。 core 磁芯放在一個(gè)線圈里面或它的周圍的磁性材料，以便為磁通量提供一個(gè)低阻力的通路。 core constant磁芯常數(shù)（c1）( [cm-1；mm-1] ) 磁路中各段磁路的長(zhǎng)度除以各段磁路相應(yīng)的橫截面積，然后加來(lái)得到的數(shù)。用“∑l/a”表示 core constant 磁芯常數(shù)（c2）( [cm-3；mm-3] ) 磁路中各段磁路的長(zhǎng)度除以各段磁路相應(yīng)的磁橫截面積的平方，然后加來(lái)得到的數(shù)。 core constant 磁芯常數(shù)（cx、cm-* ）磁路中各段磁路的長(zhǎng)度除以各段磁路相應(yīng)的磁橫截面積，然后加來(lái)得到的數(shù)。 core losses 磁芯損失磁芯損失是由于磁芯材料中的交變磁場(chǎng)引起的。磁芯損失與頻
40Gb/s WD-PIN-PD/TIA 組件的光電特性及其測(cè)試
有源區(qū))吸收光產(chǎn)生載流子、通過(guò)高場(chǎng)下漂移或擴(kuò)散，進(jìn)而在pin耗盡區(qū)產(chǎn)生附加電勢(shì)，并在外電路流過(guò)的電流。該電流與入射光功率、光耦合效率、入射面反射系數(shù)、探測(cè)器光敏面面積、探測(cè)器中吸收層材料的光吸收系數(shù)以及內(nèi)量子效率等因素緊密相關(guān)。根據(jù)連續(xù)性方程和邊界條件，光電流iopt可以表示為: iopt = (1- r) iopt (x) d x = (1-r) iopt (0) e(-α(λ)x) d x (1) 這里，r為反射系數(shù);α(λ)為光吸收系數(shù)，對(duì)ingaas ，α(λ)≈ (2-4) ×103 cm-1 ; e-α(λ)反映入射光的利用率，當(dāng)作用區(qū)長(zhǎng)度l> 1/α(λ) 時(shí)，光的利用率可達(dá)95%以上;iopt (0) 為起始光電流。它與探測(cè)器作用區(qū)中的內(nèi)量子效率緊密相關(guān)，是材料結(jié)構(gòu)參數(shù)的靈敏函數(shù)。暗電流是指探測(cè)器在規(guī)定反向電壓下無(wú)光照時(shí)的電流。它對(duì)探測(cè)器光接收靈敏度是一種噪聲限制。也是衡量光探測(cè)器制作技術(shù)優(yōu)劣的主要指標(biāo)。該電流主要由pin結(jié)耗盡區(qū)的產(chǎn)生電流、pin結(jié)鄰近區(qū)域的擴(kuò)散電流、i區(qū)的隧道電流以及表面漏電流組成。對(duì)臺(tái)面型器件，重要的是裸露的pin臺(tái)面周邊保護(hù)問(wèn)題。如果臺(tái)面周邊裸露

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