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以及 400 nvpp 頻率噪聲。ac 參數(shù)包括 18 mhz gbw、22 v/µs 壓擺率以及 1 khz 頻率下的 0.0004% 總諧波失真 (thd)。 opa827 的工作電源電壓范圍為 ±4 v 至 ±18 v,電源電流只需 4.5 ma。該器件采用8 引腳 msop 封裝,與 8 引腳 so 封裝相比占用面積減少了一半。jfet 運算放大器實現(xiàn)了極低的偏置電流,非常適合信號源阻抗較高的應用。 ti 為客戶提供適用于高精度應用的工藝一流的信號鏈解決方案,其中包括 ads8505 等模數(shù)轉換器以及 dac8811 等數(shù)模轉換器。opa211 與 opa827 為配合 ti tms320™高性能 dsp 平臺與 msp430 超低功耗微控制器系列的協(xié)同工作而專門進行了優(yōu)化。 bicom3hv 工藝采用 ti 最先進的制造技術,可滿足未來高電壓工業(yè)應用的需求。新工藝技術實現(xiàn)了高速度、低噪聲、低功耗等特性,與前代技術相比,封裝面積顯著縮小。bicom3hv 是率先采用硅鍺技術的 36 v 工業(yè)工藝,其晶體管速度較前代技術得到顯著提高。出色的晶體管匹配與
壓漂移以及 400 nvpp 頻率噪聲。ac 參數(shù)包括 18 mhz gbw、22 v/?s 壓擺率以及 1 khz 頻率下的 0.0004% 總諧波失真 (thd)。 opa827 的工作電源電壓范圍為 ±4 v 至 ±18 v,電源電流只需 4.5 ma。該器件采用8 引腳 msop 封裝,與 8 引腳 so 封裝相比占用面積減少了一半。jfet 運算放大器實現(xiàn)了極低的偏置電流,非常適合信號源阻抗較高的應用。 ti 為客戶提供適用于高精度應用的工藝一流的信號鏈解決方案,其中包括 ads8505 等模數(shù)轉換器以及 dac8811 等數(shù)模轉換器。opa211 與 opa827 為配合 ti tms320高性能 dsp 平臺與 msp430 超低功耗微控制器系列的協(xié)同工作而專門進行了優(yōu)化。 業(yè)界首次采用互補雙極 36v 硅鍺工藝 bicom3hv 工藝采用 ti 最先進的制造技術,可滿足未來高電壓工業(yè)應用的需求。新工藝技術實現(xiàn)了高速度、低噪聲、低功耗等特性,與前代技術相比,封裝面積顯著縮小。bicom3hv 是率先采用硅鍺技術的 36 v 工業(yè)工藝,其晶體管速度較前代技術得到顯著提高。出色
/rthz電壓噪聲、250μv失調電壓、1μv/degc失調電壓漂移以及400 nvpp頻率噪聲。ac參數(shù)包括18mhz gbw、22v/μs壓擺率以及1 khz頻率下的0.0004%總諧波失真(thd)。 opa827的工作電源電壓范圍為±4v至±18v,電源電流只需4.5ma。該器件采用8引腳msop封裝,與8引腳 so封裝相比占用面積減少了一半。jfet運算放大器實現(xiàn)了極低的偏置電流,非常適合信號源阻抗較高的應用。 ti為客戶提供適用于高精度應用的工藝一流的信號鏈解決方案,其中包括ads8505等模數(shù)轉換器以及dac8811等數(shù)模轉換器。opa211與opa827為配合ti tms320高性能dsp平臺與msp430超低功耗微控制器系列的協(xié)同工作而專門進行了優(yōu)化。 供貨情況與封裝 opa211現(xiàn)已開始提供樣片,計劃于2007年第2季度投入量產。該器件采用8引腳dfn、8引腳msop以及8引腳 so3種封裝版本,批量訂購千片以上單價為3.45美元(僅供參考)。 opa827現(xiàn)已開始提供樣片,計劃于2007年第2季度投入量產。該器件采用8引腳msop與8引腳so兩種封裝版本,批
失調電壓漂移以及 400 nvpp 頻率噪聲。ac 參數(shù)包括 18 mhz gbw、22 v/μs 壓擺率以及 1 khz 頻率下的 0.0004% 總諧波失真 (thd)。 opa827 的工作電源電壓范圍為 ±4 v 至 ±18 v,電源電流只需 4.5 ma。該器件采用8 引腳 msop 封裝,與 8 引腳 so 封裝相比占用面積減少了一半。jfet 運算放大器實現(xiàn)了極低的偏置電流,非常適合信號源阻抗較高的應用。 ti 為客戶提供適用于高精度應用的工藝一流的信號鏈解決方案,其中包括 ads8505 等模數(shù)轉換器以及 dac8811 等數(shù)模轉換器。opa211 與 opa827 為配合 ti tms320?高性能 dsp 平臺與 msp430 超低功耗微控制器系列的協(xié)同工作而專門進行了優(yōu)化。 業(yè)界首次采用互補雙極 36v 硅鍺工藝 bicom3hv 工藝采用 ti 最先進的制造技術,可滿足未來高電壓工業(yè)應用的需求。新工藝技術實現(xiàn)了高速度、低噪聲、低功耗等特性,與前代技術相比,封裝面積顯著縮小。bicom3hv 是率先采用硅鍺技術的 36 v 工業(yè)工藝,其晶體管速度較前代技術得到顯著提高
域。”opa827實現(xiàn)了出色dc精度與優(yōu)異 ac 性能的完美結合。dc 特性包括4.5nv/rthz電壓噪聲、250μv失調電壓、1μv/degc失調電壓漂移以及400nvpp頻率噪聲。ac參數(shù)包括18mhz gbw、22v/μs 壓擺率以及1khz頻率下的0.0004%總諧波失真(thd)。它的工作電源電壓范圍為±4v至±18v,電源電流只需4.5ma。該器件采用8引腳msop封裝,與8引腳so封裝相比占用面積減少了一半。 此外,ti還為客戶提供適用于高精度應用的信號鏈解決方案,其中包括ads8505等模數(shù)轉換器以及dac8811等數(shù)模轉換器。opa211與opa827為配合 ti tms320高性能dsp平臺與msp430超低功耗微控制器系列的協(xié)同工作而專門進行了優(yōu)化。 bicom3hv新工藝適用于高壓、高精度要求 bicom3hv工藝可滿足未來高電壓工業(yè)應用的需求,實現(xiàn)了高速度、低噪聲、低功耗等特性,與前代技術相比,封裝面積顯著縮小。bicom3hv 是率先采用硅鍺技術的36v工業(yè)工藝,其晶體管速度較前代技術得到顯著提高。出色的晶體管匹配與高精度硅鉻(sicr)電阻器提高了精
率噪聲。ac 參數(shù)包括 18 mhz gbw、22 v/µs 壓擺率以及 1 khz 頻率下的 0.0004% 總諧波失真 (thd)。 opa827 的工作電源電壓范圍為 ±4 v 至 ±18 v,電源電流只需 4.5 ma。該器件采用8 引腳 msop 封裝,與 8 引腳 so 封裝相比占用面積減少了一半。jfet 運算放大器實現(xiàn)了極低的偏置電流,非常適合信號源阻抗較高的應用。 ti 為客戶提供適用于高精度應用的工藝一流的信號鏈解決方案,其中包括 ads8505 等模數(shù)轉換器以及 dac8811 等數(shù)模轉換器。opa211 與 opa827 為配合 ti tms320™高性能 dsp 平臺與 msp430 超低功耗微控制器系列的協(xié)同工作而專門進行了優(yōu)化。 bicom3hv 工藝采用 ti 最先進的制造技術,可滿足未來高電壓工業(yè)應用的需求。新工藝技術實現(xiàn)了高速度、低噪聲、低功耗等特性,與前代技術相比,封裝面積顯著縮小。bicom3hv 是率先采用硅鍺技術的 36 v 工業(yè)工藝,其晶體管速度較前代技術得到顯著提高。出色的晶體管匹
250µv失調電壓、1µv/degc失調電壓漂移以及400nvpp頻率噪聲。ac參數(shù)包括18mhzgbw、22v/µs壓擺率以及1khz頻率下的0.0004%總諧波失真(thd)。 opa827的工作電源電壓范圍為±4v至±18v,電源電流只需4.5ma。該器件采用8引腳msop封裝,與8引腳so封裝相比占用面積減少了一半。jfet運算放大器實現(xiàn)了極低的偏置電流,非常適合信號源阻抗較高的應用。 ti為客戶提供適用于高精度應用的工藝一流的信號鏈解決方案,其中包括ads8505等模數(shù)轉換器以及dac8811等數(shù)模轉換器。opa211與opa827為配合titms320™高性能dsp平臺與msp430超低功耗微控制器系列的協(xié)同工作而專門進行了優(yōu)化。 業(yè)界首次采用互補雙極36v硅鍺工藝 bicom3hv工藝采用ti最先進的制造技術,可滿足未來高電壓工業(yè)應用的需求。新工藝技術實現(xiàn)了高速度、低噪聲、低功耗等特性,與前代技術相比,封裝面積顯著縮小。bicom3hv是率先采用硅鍺技術的36v工業(yè)工藝,其晶體管速度較前代技術得到顯著提高。出色的晶體管匹配與高精度硅鉻(s
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