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AD642 Precision, Low Cost Dual BiFET Op Am... AD AD642PDF下載
AD642 Precision, Low Cost Dual BiFET Op Am... AD [Analog Devices] AD642PDF下載
AD6421 Telecommunication IC ETC AD6421PDF下載
AD6423 GSM/DCS1800/PCS1900 Baseband Process... AD AD6423PDF下載
AD6423 GSM/DCS1800/PCS1900 Baseband Process... AD [Analog Devices] AD6423PDF下載
AD6426 Enhanced GSM Processor AD AD6426PDF下載
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AD642J Precision, Low Cost Dual BiFET Op Am... AD AD642JPDF下載
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集成運算放大器:制造工藝對其性能影響
壞。另一個缺點是di電路比p-n結(jié)隔離的等效電路需要更大的幾何面積，結(jié)果要求稍大一點的芯片尺寸。四、bifet工藝 bifet工藝使用離子注入，在同時包含標(biāo)準(zhǔn)的雙極型器件的芯片上，制作高擊穿電壓的結(jié)型場效應(yīng)晶體管（jfet），可以把這樣一對jfet管用作運放的輸入器件，通常是以犧牲失調(diào)電壓、漂移、cmr和噪聲指標(biāo)來獲得其它一些性能。較新的設(shè)計為工廠修正bifet運放的失調(diào)電壓和漂移提供了可能。一些精密的bifet型放大器的實例有ad542、ad544、ad547和雙運放ad642、ad644、ad647。五、bi-mos工藝由于jfet能被用作高阻抗的輸入級，人們可能很想考慮把mosfet管用于同一目的，某些廠商開發(fā)出能使mosfet包含在雙極型集成電路上的生產(chǎn)工藝。理想狀態(tài)mosfet管僅有氧化物漏流而沒有jfet中的結(jié)漏流。這一漏流低得多，可能使輸入偏置電流降低，然而，mosfet是種esd敏感器件，它要求在輸入級上有二極管保護(hù)，常常是這些二極管呈現(xiàn)的漏流至少像jfet輸入放大器的輸入偏置電流一樣大，而且在音頻頻譜內(nèi)，mosfet往往是比

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