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當(dāng)前位置:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>aat3200 更新時(shí)間:2026-04-14 09:27:25

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aat3200中文資料

  • LD0、QLDO、VLDO的設(shè)計(jì)原理及測(cè)試

    ,因此它兼有普通集成穩(wěn)壓器驅(qū)動(dòng)電流小、低壓差集成穩(wěn)壓器輸入-輸出壓差低的優(yōu)點(diǎn)。其 輸入-輸出壓差的計(jì)算公式為 式中包含ube這一項(xiàng),意味著qldo的輸入-輸出壓差介于npn穩(wěn)壓器和ldo之間。qldo具有較好的性能指標(biāo):例如lml085能輸出 3a的電流,而靜態(tài)工作電流僅為10ma。qldo也需要接輸出電容,但其容量可比ldo用得小,對(duì)電容的等效串聯(lián)電阻(esr)要求較低。 2 vldo的設(shè)計(jì)原理 vldo的設(shè)計(jì)原理如圖4所示,典型產(chǎn)品為analogic tech公司的aat3200。vld0的最大特點(diǎn)是采用p溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管mosfet來(lái)代替pnp型功率管作為調(diào)整管,mosfet本身還帶保護(hù)二極管(vd)。p溝道m(xù)osfet屬于電壓控制型器件,其柵極驅(qū)動(dòng)電流板小,而通態(tài)電阻非常低,通態(tài)壓降遠(yuǎn)低于雙極性晶體管的飽和壓降,這不僅能大大降低輸入-輸出壓差,還能在微封裝下輸出更大的電流。圖4中還給出了內(nèi)部過(guò)電流及過(guò)熱保護(hù)電路,rs為電流檢測(cè)電阻。 一種改進(jìn)型vldo的設(shè)計(jì)原理如圖5所示。其主要特點(diǎn)是增加了輸出狀態(tài)自檢(pok)、延遲供電、電源關(guān)斷等功能。pok(powe

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