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512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY
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讀出/擦除/編程操作電壓3V/3.3V:在70ns時(shí)3.0~3.6V,90ns時(shí)2.7~3.6V; 快速編程操作:按字節(jié)編程:9μs(典型值);快速擦除操作:芯片擦除操作時(shí)間:6s(典型值),扇區(qū)擦除操作時(shí)間:0.7s(典型值);讀取時(shí)間:70ns/90ns;8個(gè)等64KB扇區(qū);任意單一扇區(qū)可以被擦除;典型編程/擦除操作周期:10000;掉電數(shù)據(jù)保持20年;低功耗:動(dòng)態(tài)讀出電流:5MHz時(shí)7mA(典型值),動(dòng)態(tài)編程/擦除操作電流:5MHz時(shí)15mA(典型值),待機(jī)電流:0.2μA(典型值);監(jiān)測(cè)程序是否完成:軟件方法:Toggle位和Data輪詢;符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的字節(jié)寬度引腳分布;存取時(shí)間:70ns