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當(dāng)前位置：維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>SST39VF040 更新時(shí)間:2026-04-12 09:14:03

SST39VF040供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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  • SST39VF040-70-4I-NHE-T

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  • Microchip Technology

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SST39VF040價(jià)格行情

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歷史最低報(bào)價(jià)：￥3.5000 歷史最高報(bào)價(jià)：￥13.5000 歷史平均報(bào)價(jià)：￥6.6192

SST39VF040中文資料

  • TMS320C6711的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)研究與設(shè)計(jì)

    摘要：引導(dǎo)裝載是dsp系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必不可少的重要環(huán)節(jié)。文章對(duì)ti公司tms320c6711中flash引導(dǎo)裝載的概念、方法及特點(diǎn)做了詳細(xì)闡述，同時(shí)以sst公司的flash器（sst39vf040）為例，設(shè)計(jì)了一個(gè)利用flash進(jìn)行引導(dǎo)裝載的系統(tǒng)方案，并給出相應(yīng)的自加載程序源代碼。 關(guān)鍵詞：數(shù)字信號(hào)處理器 flash存儲(chǔ)器 引導(dǎo)裝載 tms320c67111 概述在一些脫機(jī)運(yùn)行的dsp系統(tǒng)中，用戶代碼需要在加電后自動(dòng)裝載運(yùn)行。dsp系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載（bootload）是指在系統(tǒng)加電時(shí)，由dsp將一段存儲(chǔ)在外部非易失性存儲(chǔ)器中的代碼移植到高速存儲(chǔ)器單元中去執(zhí)行。這樣既可利用外部存儲(chǔ)單元來(lái)擴(kuò)展dsp本身有限的rom資源，又能充分發(fā)揮dsp內(nèi)部資源的效能。因此，在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲(chǔ)器和dsp的性能顯得尤為重要。flash是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲(chǔ)器，而且單位存儲(chǔ)比特的價(jià)格比傳統(tǒng)eprom要低，十分適合用于低功耗、小尺寸和高性能的便攜式系統(tǒng)。本文介紹了ti公司tms320c6711浮點(diǎn)dsp芯片和sst公司sst39vf040 flash存儲(chǔ)器的基本特點(diǎn)，同時(shí)給出了一

  • TMS320C6711中心定位實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)研究

    器相連，以進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)試和程序下載。 1.5 外部存儲(chǔ)器設(shè)計(jì) c6711訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器必須通過(guò)emif。emif不僅有很高的數(shù)據(jù)吞吐率，而且還有很強(qiáng)的接口能力，可以與目前所有類型的存儲(chǔ)器直接接口。設(shè)計(jì)采用三種類型的存儲(chǔ)器：flash rom、雙口ram和同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器sdram。flash rom 是現(xiàn)場(chǎng)可擦除、掉電后可保持?jǐn)?shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，用來(lái)固化程序和保存掉電后需要保存的數(shù)據(jù)；雙口ram用來(lái)存儲(chǔ)一幀圖像數(shù)據(jù)；sdram運(yùn)行速度快，用來(lái)存放實(shí)時(shí)運(yùn)行程序和臨時(shí)數(shù)據(jù)。本系統(tǒng)flash rom采用sst39vf040，且配置在ce1空間。雙口ram采用idt70v28，且配置在ce2空間。選用hy57v653220作為sdram，配置在ce0空間，這樣的配置與引導(dǎo)方式相配合。 1.6 輸出電路 系統(tǒng)根據(jù)輸入的圖像，由c6711進(jìn)行處理后得出一個(gè)衛(wèi)星姿態(tài)角信息。該姿態(tài)角信息由c6711輸出到pc機(jī)的rs-232口，由于通信的信息量少，所以可以利用c6711的多通道緩沖串口mcbsp，在不擴(kuò)展其他硬件的情況下，用軟件實(shí)現(xiàn)異步數(shù)據(jù)傳輸格式。發(fā)送時(shí)，發(fā)送轉(zhuǎn)換子程序把每一個(gè)數(shù)據(jù)位擴(kuò)展成16位的uart字，并把

  • 讓單片機(jī)運(yùn)行速度更快一些

    硬件技術(shù)背景 單片機(jī)的頻率越來(lái)越高，ram的訪問(wèn)速度也來(lái)也快，但單片機(jī)系統(tǒng)的效率并不一定成比例的提高。 目前，使用的主流單片機(jī)有80386ex(50mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線16位)、mpc860t(66mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線32位)以及ds80c32(25mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線8位)；使用的sdram有hy57系列、k416系列(訪問(wèn)速度100mhz或133mhz)；使用的sram 如idt71024、idt7256(50mhz)；使用的flash有at29c512、sst39vf040、at29c010(8mhz或15mhz)等。可見(jiàn)，sdram，sram的速度和單片機(jī)是匹配的，甚至比單片機(jī)的速度更快一點(diǎn)，不需要單片機(jī)插入等待狀態(tài)。而flash的訪問(wèn)頻率則比單片機(jī)慢2~6倍，單片機(jī)往往要通過(guò)插入多個(gè)等待狀態(tài)來(lái)和它相匹配，況且flash多為8位，而當(dāng)前單片機(jī)多為16，32位，更多的降低了單片機(jī)的工作性能。 根據(jù)上述分析，如果提高flash的訪問(wèn)速度，擴(kuò)展flash為16位或32位，那么程序執(zhí)行的速度就快了，單片機(jī)的性能也就提高了。如果能夠?qū)⑦@一想法變成事實(shí)，而且成本低

  • 淺談嵌入式網(wǎng)絡(luò)視頻服務(wù)器的設(shè)計(jì)

    可以控制8個(gè)存儲(chǔ)體或外圍設(shè)備，支持gpcm （general purpose chip select machine）和upm（user programmable machines）兩種方式，可提供與sram，eprom，flash，dram，sdram等設(shè)備的無(wú)縫連接。gpcm提供與eprom，sram，flash以及其他的外設(shè)的無(wú)縫連接，upm則常常用于sdram以及猝發(fā)式sram的控制與連接。flash存儲(chǔ)器是一種電可擦除、可重寫的存儲(chǔ)設(shè)備。bootrom flash采用512kbyte的sst39vf040。bootrom主要作用是引導(dǎo)及初始化cpu，以及引導(dǎo)單板程序。bsp在嵌入式系統(tǒng)和windows系統(tǒng)中的不同其實(shí)運(yùn)行與pc機(jī)上的windows或linux系統(tǒng)也是有bsp的。只是pc機(jī)均采用統(tǒng)一的x86體系架構(gòu)，這樣一定操作系統(tǒng)的bsp相對(duì)x86架構(gòu)是單一確定的，不需要做任何修改就可以很容易支持os在x86上正常運(yùn)行，所以在pc機(jī)上談?wù)揵sp這個(gè)概念也沒(méi)什么意義了。而對(duì)嵌入式系統(tǒng)來(lái)說(shuō)情況則完全不同，目前市場(chǎng)上多種結(jié)構(gòu)的嵌入式cpu（risc）并存（ppc,arm,mips…），為了性能的需要，

  • LED圖文顯示屏控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案

    示，sram的最高位地址線a14由單片機(jī)的p3.2單獨(dú)控制，以便于將紅色和綠色led點(diǎn)陣的數(shù)據(jù)分塊存放，當(dāng)p3.2輸出為0時(shí)，選中ram地址0x0000～0x3fff,為紅色led的數(shù)據(jù)區(qū)；當(dāng)p3.2輸出為1時(shí)，選中ram地址0x4000～0x7fff,為綠色led的數(shù)據(jù)區(qū)。 flash用于存儲(chǔ)代碼，顯示的數(shù)據(jù)信息和字庫(kù)?？刹捎貌楸淼姆绞秸{(diào)用需要顯示的漢字和英文點(diǎn)陣數(shù)據(jù)。用64k字節(jié)的存儲(chǔ)空間存儲(chǔ)16×16點(diǎn)陣的漢字，可以顯示2048個(gè)，512k的flash可滿足常用字不同字體的存儲(chǔ)需求。sst39vf040的地址線有19位，單片機(jī)用p1口來(lái)擴(kuò)充高三位地址線。 系統(tǒng)中單片機(jī)，sram,flash要求313v供電，而系統(tǒng)接入電源為5v,可通過(guò)lm1117-3.3為芯片提供3.3v穩(wěn)壓電源。 低壓差電源芯片lm1117輸出電流可達(dá)800ma,輸出電壓精度在±1%以內(nèi)，還具有電流限制和熱保護(hù)功能。 1.2 串行接口電路 控制器接收數(shù)據(jù)采用單片機(jī)內(nèi)部全雙工的通用異步收發(fā)器（uart）。在傳輸距離小于20m時(shí)采用非平衡的rs-232,在傳輸距離為幾十m到上km時(shí)采用rs-485。r

  • SST39VF040

    SST39VF040引腳圖組織結(jié)構(gòu)為512K×8；讀、寫操作電壓2.7～3.6V；高可靠性，保證100000次讀/寫，數(shù)據(jù)保持100年；低功耗操作，動(dòng)態(tài)電流：5mA(典型值)，待機(jī)電流：1μA(典型值)；扇墾擦除操作功能：均勻的4KB扇區(qū)；快速讀取時(shí)間：70ns；鎖存地址和數(shù)據(jù)；快速擦除操作和字節(jié)編程時(shí)間，扇區(qū)擦除操作時(shí)間：18ms(典型值)，芯片擦除操作時(shí)間：70ms(典型值)；字節(jié)編程時(shí)間：14μs(典型值)，芯片重寫時(shí)間：8s；自動(dòng)調(diào)節(jié)寫操作時(shí)間；寫操作完成監(jiān)測(cè)：Toggle位，Data＃輪詢；兼容CMOS I/O；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)；所有無(wú)鉛裝置遵從RoHS標(biāo)準(zhǔn)

  • CPU(時(shí)鐘為50MHz)讀Bios SST39VF040 (512K X 8bit)的時(shí)序問(wèn)題

    cpu(時(shí)鐘為50mhz)讀bios sst39vf040 (512k x 8bit)的時(shí)序問(wèn)題cpu(時(shí)鐘為50mhz)讀bios sst39vf040 (512k x 8bit)的時(shí)序問(wèn)題時(shí)序圖說(shuō)明1.ams表示最高位地址線,這里為a18.datasheet中要求讀bios時(shí),ce和oe腳都變?yōu)榈碗娖?如圖中時(shí)序圖所示.我理解如下,請(qǐng)各位指點(diǎn).非常感謝!1.cpu(時(shí)鐘為50mhz)送地址0x00010到bios的地址寄存器.2.cpu將ce拉低3.cpu將oe拉底,并延遲70ns.因?yàn)閐atasheet上說(shuō)tce (chip enable access time)的時(shí)間為70nstoe (output enable access time)的時(shí)間為35ns問(wèn)題1: 這里我不確定應(yīng)該延遲多少ns?就采用最大的延遲70ns.4.數(shù)據(jù)輸出有效,cpu從bios寄存器中讀出數(shù)據(jù).5.將地址值加1,即送地址0x00011到bios的地址寄存器6.因?yàn)閠aa (address access time)需要70ns,而toh (output hold from address change)時(shí)間需要0ns(da

  • （轉(zhuǎn)貼，共計(jì)5篇希望喜歡）51單片機(jī)操作系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中的問(wèn)題與技巧

    問(wèn)題的提出1.1 硬件技術(shù)背景 單片機(jī)的頻率越來(lái)越高，ram的訪問(wèn)速度也來(lái)也快，但單片機(jī)系統(tǒng)的效率并不一定成比例的提高。目前，使用的主流單片機(jī)有80386ex(50mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線16位)、mpc860t(66mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線32位)以及ds80c32(25mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線8位)；使用的sdram有hy57系列、k416系列(訪問(wèn)速度100mhz或133mhz)；使用的sram 如idt71024、idt7256(50mhz)；使用的flash有at29c512、sst39vf040、at29c010(8mhz或15mhz)等?？梢?jiàn)，sdram，sram的速度和單片機(jī)是匹配的，甚至比單片機(jī)的速度更快一點(diǎn)，不需要單片機(jī)插入等待狀態(tài)。而flash的訪問(wèn)頻率則比單片機(jī)慢2~6倍，單片機(jī)往往要通過(guò)插入多個(gè)等待狀態(tài)來(lái)和它相匹配，況且flash多為8位，而當(dāng)前單片機(jī)多為16，32位，更多的降低了單片機(jī)的工作性能。 根據(jù)上述分析，如果提高flash的訪問(wèn)速度，擴(kuò)展flash為16位或32位，那么程序執(zhí)行的速度就快了，單片機(jī)的性能也就提高了。如果能夠?qū)⑦@一想法變成事實(shí)，而且成本低廉的話，

  • 關(guān)于 flash的一些問(wèn)題

    關(guān)于 flash的一些問(wèn)題請(qǐng)問(wèn)1:boot code指的是?它的位置可以自己改嗎？ 2：sector address指的是sector的首地址嗎？ 3：top boot與bottom boot在使用上有什么不同嗎？ 4：sector都是4k的嗎？ 5：flash memory和它的控制器是在一起的嗎？我用的是sst39vf040型的。謝謝大家！

  • 大家?guī)臀艺艺疫@種類型的FLASH或EEPROM好嗎？

    sst39vf040應(yīng)該是8位的flash

  • 哪位能幫我一下，W29C040能讀不能寫

    96 bytes for 39vf080 */#define block_size 65536 /* must be 64k bytes for 39vf080 */#define sectorlen 256//128#define sst_id 0xbf /* sst manufacturer's id code */#define sst_29sf040 0x13 /* sst39vf040 device code */#define sst_39vf080 0xd8 /* sst39vf080 device code */xdata uchar u6add _at_ 0x6000 ;idata uchar u6data;xdata word sst_id2;xdata word sst_id1;idata uint iflashtmp1,iflashtmp2;xdata uchar cflashtm

SST39VF040替代型號(hào)

SST39VF020-70-4C-WH SST39VF020 SST39VF010-70-4I-WH SST39VF010-70-4I-B3K SST39VF010 SST39V040 SST39SF512 SST39SF040-70-4C-WH SST39SF040 SST39SF020A-70-4I-WH

SST39VF040-70-4C-WH SST39VF080 SST39VF160 SST39VF1601 SST39VF1601-70-4C SST39VF1601-70-4C-EK SST39VF1601-70-4I-EK SST39VF1601-70-4I-EKE SST39VF1602 SST39VF1602-70-4C-B3K

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SC1474TS SKY65135-21 SRDA05-6 SMBJ6.0A SI4892DY-T1-E3 SI4920DY-T1-E3 SD05C.TCT STM32F101R8T6 SIS402DN-T1-GE3 SN74HC14DR

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