（8）式中：fc(c1)=0.1fs=10khz；vramp=2.5v為振蕩器斜坡谷—峰值電壓；vo=400v，rs=r5=0.05ω，l=420μh。因此根據(jù)式（8）可得gpwm(boost)=0.303。在跨越頻率上的電流誤差放大器增益為gc(c)=1020loggpwm(boost)/20=10=3.3r12可通過式（9）計算。r12=gc(c)/g(ca) (9)式中：電流誤差放大器跨導g(ca)=0.1ms（即0.1ma/v）。因此r12=3.3/0.1ms=33kω，實際選擇33.2kω。電容c6和c7容值分別利用式（10）和式（11）計算。c6=1/[2πfcl(z)r12] （10）c7=1/[2πfc1(p)r12] （11）式中：fc1(z)=0.2fc(c1)=2khz，fc1(p)=10fc(c1)=100khz，分別是兩個補償網絡的零點和極點頻率。根據(jù)式（10）和式（11）計算c6=2.39nf，c7=47.9pf，實際選取c6=2.2nf，c7=47pf。 2.2.2.7 電壓誤差放大器補償網絡元件的選取r7(r7a＋r7b＋r7c)和r8組
發(fā)器送到功率mosfet的驅動級可使mosfet管開通，而來自脈寬調制器的信號或占空比限制電路信號，則可使mosfet關斷。當pwm輸出波形不穩(wěn)時，觸發(fā)器將停止輸出pwm波形。pwm波形的最大占空比為80%。在脈寬調制電路中，將振蕩器輸出的鋸齒波電壓與誤差放大器的輸出進行比較，可調整pwm波形的占空比。振蕩器被全部集成在ic內，通過內部電容的充、放電產生鋸齒波，鋸齒波的斜坡段占整個振蕩周期的80％，所以ic輸出波形的最大占空比為80％。改變外部參考電阻rref的電阻值（rref可在16.9kω～33.2kω之間選擇）可使振蕩頻率在50～100khz之間改變。ic內部有一個頻率控制單元，它能根據(jù)輸出負載的輕重自動使振蕩器工作于低頻或高頻狀態(tài)。當開關電源的輸出功率小于最大輸出功率的1/9時，tea1504將轉換到低頻工作模式，低頻與高頻工作模式的頻率比為1:2.5。低頻工作可減小開關電源的開關損耗，而且在轉換時不會影響到輸出電壓的調節(jié)。tea1504輸出的驅動脈沖正向電流可達120ma，反向脈沖電流可達550ma。它允許快速開通和關斷功率mosfet管。選擇較低的正向脈沖，是為了限制mosfet管開
送到功率mosfet的驅動級可使mosfet管開通，而來自脈寬調制器的信號或占空比限制電路信號，則可使mosfet關斷。當pwm輸出波形不穩(wěn)時，觸發(fā)器將停止輸出pwm波形。pwm波形的最大占空比為80%。 在脈寬調制電路中，將振蕩器輸出的鋸齒波電壓與誤差放大器的輸出進行比較，可調整pwm波形的占空比。振蕩器被全部集成在ic內，通過內部電容的充、放電產生鋸齒波，鋸齒波的斜坡段占整個振蕩周期的80％，所以ic輸出波形的最大占空比為80％。改變外部參考電阻rref的電阻值（rref可在16.9kω～33.2kω之間選擇）可使振蕩頻率在50～100khz之間改變。ic內部有一個頻率控制單元，它能根據(jù)輸出負載的輕重自動使振蕩器工作于低頻或高頻狀態(tài)。當開關電源的輸出功率小于最大輸出功率的1/9時，tea1504將轉換到低頻工作模式，低頻與高頻工作模式的頻率比為1:2.5。低頻工作可減小開關電源的開關損耗，而且在轉換時不會影響到輸出電壓的調節(jié)。 tea1504輸出的驅動脈沖正向電流可達120ma，反向脈沖電流可達550ma。它允許快速開通和關斷功率mosfet管。選擇較低的正向脈沖，是為了限制mosfet
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