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小在osco管腳的電容可以獲得更接近實際的振蕩波形）。工作良好的振蕩波形應(yīng)該是一個漂亮的正弦波，峰峰值應(yīng)該大于電源電壓的70%.若峰峰值小于70%,可適當(dāng)減小osci及osco管腳上的外接負(fù)載電容。反之，若峰峰值接近電源電壓且振蕩波形發(fā)生畸變，則可適當(dāng)增加負(fù)載電容。 用示波器檢測osci（oscillator input）管腳，容易導(dǎo)致振蕩器停振，原因是： 部分的探頭阻抗小不可以直接測試，可以用串電容的方法來進(jìn)行測試。如常用的4mhz石英晶體諧振器，通常廠家建議的外接負(fù)載電容為10~30pf左右。若取中心值15pf,則c1,c2各取30pf可得到其串聯(lián)等效電容值15pf.同時考慮到還另外存在的電路板分布電容，芯片管腳電容，晶體自身寄生電容等都會影響總電容值，故實際配置c1,c2時，可各取20~15pf左右。并且c1,c2使用瓷片電容為佳。 問：如何判斷電路中晶振是否被過分驅(qū)動？ 答：電阻rs常用來防止晶振被過分驅(qū)動。過分驅(qū)動晶振會漸漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升?？捎靡慌_示波器檢測osc輸出腳，如果檢測一非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都符合時鐘
（b）。但為了精簡系統(tǒng)電路，在電路系統(tǒng)設(shè)計中，還是采用了圖5（b）所示的復(fù)位電路。 4.1.2 振蕩器電路設(shè)計 晶振設(shè)計是單片機(jī)系統(tǒng)設(shè)計的重要環(huán)節(jié)之一，通?？捎脙煞N方式產(chǎn)生單片機(jī)所需的時鐘信號。一種為內(nèi)部方式，主要利用單片機(jī)內(nèi)部的反相器作振蕩電路，具體接法如圖6所示。 圖6 晶體振蕩/陶瓷振蕩電路 該方式利用外接晶體作定時單元。晶體的頻率范圍在112～12mhz之間任選。電阻rs用來防止晶振被過分驅(qū)動。 在晶體振蕩下，電阻rf≈10mω。圖中并聯(lián)的兩個小電容可在5～30pf之間選擇，起頻率微調(diào)的作用，當(dāng)vdd>415v時，建議c1=c2≈30pf（c1為相位調(diào)節(jié)電容；c2為增益調(diào)節(jié)電容）；另一種為外部方式，此方式的時鐘源直接來自外部硬件電路（見圖7）。對此電路來說，mcs-51系列單片機(jī)可使用已集成在片內(nèi)的振蕩器，亦可使用由ttl門電路構(gòu)成的簡單振蕩器電路。由于內(nèi)部時鐘發(fā)生器是一個二分頻的觸發(fā)器，所以對外部振蕩源要求不嚴(yán)，通常是產(chǎn)生112～12mhz的方波。當(dāng)外接振蕩器時，外部振蕩信號從xtal1端，即內(nèi)部三相波形發(fā)生器的輸入端輸入，xtal2端可浮空。
為命令碼寫入ch372芯片中。ch372芯片的ud+和ud-引腳應(yīng)該直接連接到usb總線上。如果為了芯片安全而串接保險電阻或者電感，那么交直流等效串聯(lián)電阻應(yīng)該在5ω之內(nèi)。ch372芯片內(nèi)置了電源上電復(fù)位電路，一般情況下，不需要外部提供復(fù)位。 ch372芯片正常工作時需要外部為其提供12mhz的時鐘信號。一般情況下，時鐘信號由ch372內(nèi)置的反相器通過晶體穩(wěn)頻振蕩產(chǎn)生。外圍電路只需要在x1和x0引腳之間連接一個標(biāo)稱頻率為12mhz的晶體，并且分別為x1和x0引腳對地連接一個容量為30pf的高頻振蕩電容。ch372芯片支持5v電源電壓或者3.3v電源電壓。當(dāng)使用5v工作電壓時，ch372芯片的vcc引腳輸入外部5v電源，并且，v3引腳應(yīng)該外接容量為0.1μf左右的電源退耦電容。當(dāng)使用3.3v工作電壓時，ch372芯片的v3引腳應(yīng)該與vcc引腳相連接，同時輸入外部的3.3v電源，并且與ch372芯片相連接的其它電路的工作電壓不能超過3.3v。接口電路如圖2所示。 圖2 can總線接口電路這部分由can控制器、can接口芯片和光耦組成
sja1000工作在intel的模式。 can收發(fā)器與can總線接口 can收發(fā)器與can總線的接口如圖2所示，其中sja1000的tx0,rx0分別與can收發(fā)器的txd，rxd相連，為提高can收發(fā)器82c250與can總線的接口部分的抗干擾能力，特在82c250 的canh 和canl 引腳串接一個共模扼流圈，以消除一定的共模干擾，而使得總線差分信號能夠順利通過。并且canh和canl分別通過一個磁珠與總線相連，以起到消除一定的高頻干擾。同時canh 和canl與地之間并聯(lián)了兩個30pf 的小電容，可以起到濾除總線上的高頻干擾和一定的防電磁輻射的能力。另外在兩根can總線接入端與地之間分別接了一個tvs,當(dāng)can 總線有較高的電壓時通過tvs的擊穿而接地，可起到一定的過壓保護(hù)作用。82c250 的rs引腳上接有一個斜率電阻以降低can總線的向外輻射。 對于其他無內(nèi)置can控制器的能夠承受5v的ttl電平的處理器來說，只需改變與sja1000的數(shù)據(jù)端口ale/as，rd/e，wr，cs，int，rst相連接的引腳即可完成外擴(kuò)can接口的硬件設(shè)計工作，否則在兩者之間加一個邏輯電
獨設(shè)計成一塊電路板連接在擴(kuò)展板上面。 fps200接口電路如圖2所示。 fps⒛0和arm cpu接線（布線要求）建議如下： （1）為了減少干擾，arm輸出到fps、arm的rd/wr輸出到fps，這些數(shù)據(jù)線段中間不能再接其他線，即其他器件的數(shù)據(jù)線和 rd線不能和fps共用。 （2）這些線周圍0．5cm左右不能有敷銅或者其他導(dǎo)線。這樣來減少數(shù)據(jù)線和地之間的電容。 （3）其中的數(shù)據(jù)線應(yīng)并排走，長度相等。這些線應(yīng)盡量短，導(dǎo)線較粗。 （4）驅(qū)動輸入引腳和地之間接一個30pf的電容。盡量貼近管腳。 圖2 fps200接口電路 （5）fset引腳和指紋自動探測有關(guān)。fset引腳的干擾將觸發(fā)指紋采集，所以“fset引腳”和“接在fset引腳上的電阻”之 間的引線要盡量短，并且引線和周圍引線之間有較大距離。 歡迎轉(zhuǎn)載，信息來源維庫電子市場網(wǎng)（www.hbjingang.com） 來源
在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。 4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率的允許偏差。 5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。 6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用c0表示。 7、 負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fl的有效外界電容，通常用cl表示。負(fù)載電容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就應(yīng)選推薦值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 負(fù)載諧振頻率（fl）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為 電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。 9、 動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用r1表示。 10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用rl表示。 rl＝r1（1+c0/cl）2 1
整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。 4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率的允許偏差。 5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。 6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用c0表示。 7、 負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fl的有效外界電容，通常用cl表示。負(fù)載電容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就應(yīng)選推薦值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 負(fù)載諧振頻率（fl）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為 電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。 9、 動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用r1表示。 10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用rl表示。 rl＝r1（1+c0/cl）2 11、 激勵
vishay推出在超小型無鉛 llp1713 封裝中整合了八個二極管的esd 保護(hù)陣列。 憑借 0.55mm 的超薄厚度，vesd05a8a-hnh在提供 esd 保護(hù)的同時可節(jié)省面向移動計算、移動通信、消費類、工業(yè)、汽車及醫(yī)療應(yīng)用的便攜式電子設(shè)備中的板面空間。 這種新型器件可在雙向非對稱 (bias) 模式下保護(hù)八條信號或數(shù)據(jù)線，并且還可在雙向?qū)ΨQ (bisy) 模式下作為七線保護(hù)器件。該 esd 二極管陣列具有 30pf 的低典型電容，以及在 5v 時不到 1ua 的低最大漏電電流。 該vesd05a8a-hnh為一條數(shù)據(jù)線提供了符合 iec 61000-4-2 (esd) 規(guī)范的 25 kv（空氣及觸點放電）瞬態(tài)保護(hù)，以及符合 iec 61000-4-5（雷電）規(guī)范的 4.5a (tp = 8/20us) 瞬態(tài)保護(hù)。該器件還符合 rohs 2002/95/ec 及 weee 2002/96/ec規(guī)范。 目前，采用小型 llp1713 封裝的新型 8 二極管保護(hù)陣列的樣品已可提供。量產(chǎn)批量將于 2007 年第二季度提供
日前，vishay intertechnology, inc.(威世)宣布推出業(yè)界首款在超小型無鉛llp1713封裝中整合了八個二極管的esd保護(hù)陣列。 憑借0.55mm的超薄厚度，vesd05a8a-hnh在提供esd保護(hù)的同時可節(jié)省面向移動計算、移動通信、消費類、工業(yè)、汽車及醫(yī)療應(yīng)用的便攜式電子設(shè)備中的板面空間。 這種新型器件可在雙向非對稱(bias)模式下保護(hù)八條信號或數(shù)據(jù)線，并且還可在雙向?qū)ΨQ(bisy)模式下作為七線保護(hù)器件。該esd二極管陣列具有30pf的低典型電容，以及在5v時不到1μa的低最大漏電電流。 該vesd05a8a-hnh為一條數(shù)據(jù)線提供了符合iec 61000-4-2(esd)規(guī)范的25kv(空氣及觸點放電)瞬態(tài)保護(hù)，以及符合iec 61000-4-5(雷電)規(guī)范的4.5a(tp=8/20μs)瞬態(tài)保護(hù)。該器件還符合rohs 2002/95/ec及weee 2002/96/ec規(guī)范。 目前，采用小型llp1713封裝的新型8二極管保護(hù)陣列的樣品已可提供。量產(chǎn)批量將于2007年第二季度提供，大宗訂單的供貨周期為10～12周。
導(dǎo)體在一個1.98 x 2.08 mm的倒裝片封裝內(nèi)整合了10條高速信號線emi濾波和esd保護(hù)電路。與等效的分立網(wǎng)絡(luò)相比，新產(chǎn)品 emif10-lcd03f3節(jié)省電路板空間高達(dá)80%，節(jié)省49個元器件，阻帶衰減度更高。 在900mhz 到3ghz的手機(jī)通信頻帶內(nèi)，emif10-lcd03f3 的衰減度優(yōu)于-40db，濾波性能優(yōu)于分立器件，降低攝像機(jī)、手機(jī)、便攜媒體播放器、gps接收機(jī)、家庭娛樂產(chǎn)品、數(shù)字顯示器等產(chǎn)品的尺寸和成本，提高可靠性。在-3db時達(dá)到帶寬 200mhz，最大線路電容30pf ，最大升降時間6ns，新產(chǎn)品為高速信號提供透明的emi濾波功能。 emif10-lcd03f3的輸入輸出引腳可承受+15kv接觸放電，超出最高的 esd防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)iec61000-4-2 的4級標(biāo)準(zhǔn)。新產(chǎn)品的低鉗位電壓還高于普通分立網(wǎng)絡(luò)的性能，在保證信號完整性的同時，還能進(jìn)一步提高保護(hù)功能和可靠性。 這款二階rlc低通濾波器利用st的lc （電感/電容）單元制造工藝，在比同類品更小的硅面積上實現(xiàn)了更高的濾波器性能。在24焊球、0.4mm節(jié)距、0.6mm倒裝片封裝內(nèi)，emif10-lc
ny small signal transistors to replace them. vb1 is male type! all resistors can be 1/4w or 1/8w 5%. bill of materials january 4,2004 10:44:35 page1 item quantity reference part ______________________________________________ 1 2 c1,c2 30pf disceramic 2 2 c8,c3 10uf 16v electrolytic 3 1 c4 10uf 10v electrolytic 4 5 c5,c6,c7,c12,c13 10uf electrolytic 5 1 c9 470uf 25v electrolytic 6 2 c10,c11 0.1uf multilayer 7 2 c14,c15 0.1uf multilayer 8 1 d1 power small red led for power indicator 9 1
軟件能自動分析嗎？例如一般的器件會給出如下的參數(shù)。輸出腳8ma驅(qū)動，30pf負(fù)載。這樣的話，pcb布線的耦合電容就應(yīng)該小于30pf。問題是如何知道小于30pf.
晶振要用33pf的電容，能用30pf或40pf的代替嗎？晶振要用33pf的電容，能用30pf或40pf的代替嗎差點行嗎？
暈，你改得還蠻快的嘛，我還在懷疑我以前看到的那些是錯的呢^_^剛吃飯去了，吃完飯回來，想想一直沒試驗過，都是看資料這么說，不如自己來測試一下。馬上燒熱烙鐵，試了試，測試如下：測試條件：at89s52單片機(jī)，標(biāo)稱16mhz晶振，使用兩只標(biāo)稱值33pf的啟振電容，電源電壓5v。測試儀器：自制頻率計（見http://www.21icbbs.com/club/bbs/showannounce.asp?v=&id=1443685） 未接30pf電容時，測得頻率為： 15.999222mhz~15.999239mhz之間在52的晶振輸出腳跟地之間接上標(biāo)稱值為的30pf電容后，頻率為： 15.998891mhz~15.998906mhz之間 在52的晶振輸入腳跟地之間接上上述電容后，頻率為： 15.998475mhz~15.998491mhz之間 在晶振兩端并聯(lián)上述電容后，頻率為： 15.997699mhz~15.997715mhz之間正如我預(yù)料的那樣，接在out端，對頻
netlist這個是電路的網(wǎng)表：x_cry xin xout xt32768k c_cd xout 0 60pf c_cg xin 0 30pf r_rf xin xout 10meg m_m1 xout xin vdd vdd pmos w=18u l=2um_m2 xout xin 0 0 nmos w=5u l=2u請教 asunmad：為什么會和仿真參數(shù)有關(guān)呢？我的步長.1u，我先試一下。3q～
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