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優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨
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POWER TRANSISTORS(1.5A,150V,25W)
MOSPEC
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POW...
WINGS
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Plastic-Encapsulated Transistors
TRSYS
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POWER TRANSISTORS(1.5A,150V,25W)
MOSPEC [Mospec Semiconductor]
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POW...
WINGS [Wing Shing Computer Components]
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TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, VERTICA...
TOSHIBA
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TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, VERTICA...
TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
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寸 在to系列封裝的晶體管中,其t0一3封裝外形與國產(chǎn)管的f一2封裝外形基本相同;to一92封裝外形與國產(chǎn)管s-l、s-4的封裝外形基本相同;to一220封裝外形與國產(chǎn)管s一7b封裝外形基本相同;t0一202封裝外形與國產(chǎn)管s一6封裝外形基本相同。 采用to系列封裝的常用晶體管有:t0一3為:2sd869、2sd850、2sd951、2sd821、2sd871、2sd822;t0一92為:2sa562、2sa608、2sa1015、2sc388、2sc1815、2sc536;to一220為:2sa940、2sb546、2sc2073、2sc4004、2sd880、2sdl138、d880、3cg940、ds3l、bu406、bu407等。 來源:ks99
選用1/2w金屬膜電阻器;r2、r3和r5-r9均選用1/4w碳膜電阻器;r4和rlo均選用2w金屬膜電阻器。 rp選用小型實心電位器或可變電阻器。 cl和c2均選用耐壓值為i6v的鋁電解電容器;c3和c4選用獨石電容器或滌綸電容器。 vd1選用1n4001或1n4007型硅整流二極管;vd2和vd3選用不著n4148型硅開關二極管。 vl選用φ3mm的發(fā)光二極管。 vs1和vs2均選用1/2w的硅穩(wěn)壓二極管。 ur選用2a、5ov的整流全橋。 v1選用3calof或3cd568、2sa940、2n6476等型號的硅pnp晶體管;v2選用s90133或c8050型硅npn晶體管;v3選用3ddl00a或3da410、bd410、mje5655、2sd401、2sd381等型號的硅npn晶體管。 ic選用cd4o11型四與非門集成屯路。 t選用low、二次電壓為l2v的電源變壓器。 來源:零八我的愛
1.5A/150V
* pnp 2sa608f 30v 0.1a 0.25w * * pnp 2sa673 50v 0.5a 0.4w * * pnp 2sa720-q 50v 0.5a 0.4w * * pnp 2sa778ak 180v 0.05a 0.2w * * pnp 2sa904 90v 0.05a 0.2w * * pnp 2sa933s 50v 0.1a 0.9w * * pnp 2sa940 150v 1.5a 1.5w * * pnp 2sa950y 150v 0.8a 0.6w * * pnp 2sa966y 30v 1.5a 0.9w * * pnp 2sa968y 160v 1.5a 25w * * pnp 2sb1013a 30v 0.5a 0.3w * * pnp 2sb1185 60v 3a 25w * 75mhz pnp 2sb1238 80v 0.7a
(四)中、低頻晶體管 低頻晶體管的特征頻率一般低于或等于3mhz,中頻晶體管的特征頻率一般低于30mhz。 1.中、低頻小功率晶體管 中低頻小功率晶體管主要用于工作頻率較低、功率在1w以下的低頻放大和功率放大等電路中。 常見的國產(chǎn)低頻小功率晶體管有3ax1~3ax15、3ax21~3ax25、3ax31、3bx31、3ax81、3ax83、3ax51~3ax55、3dx200~3dx204、3cx200~3cx204等型號,表5-7是各管的主要參數(shù)。 常用的進口中、低頻小功率晶體管有2sa940、2sc2073、2sc1815、2sb134、2sb135、2n2944~2n2946等型號,各管的主要參數(shù)見表5-8。 2.中、低頻大功率晶體管 中、低頻大功率晶體管一般用在電視機、音響等家電中作為電源調整管、開關管、場輸出管、行輸出管、功率輸出管或用在汽車電子點火電路、逆變器、不間斷電源(ups)等系統(tǒng)中。 常用的國產(chǎn)低頻大功率晶體管有3dd102、3dd14、3dd15、3dd52、dd01、dd03、d74、3ad6、3ad30、3da58、df104等型號。 常用的進口中、低頻大功
勵 10000 1500 25 20 8 40~320 cs11 514 功放 20000 2000 50 50 8 40~320 b514 536 激勵 20000 1500 60 50 70~240 b536 3cd5b 544 預視放 750 1000 25 25 180 60 cd715 2sa950 2sb733 546 功放 20000 2000 200 150 90 2sa940 549 幀輸出 2sb631 2sa794 562 低放 900 1000 25 20 >60 cd715 2sb544 2sa966 566 電源 40000 4000 70 50 7 60~200 3cf5a/b cd77-1a/b 568 功放 30000 2000 200 60~320 3cf5a cd568 621 電源 600 1
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相關元件pdf下載:2sa940 9013 2sd401 cd4011
輸入端電壓而輸出高電平,使v3導通,k吸合,其常閉觸頭斷開,從而保證負載 (用電器)不會因過電壓而損壞。 元器件選擇 r8和r9均選用lw金屬膜電阻器,其余各電阻器選用1/4w或l/2w金屬膜電阻器。 rpl和rp2均選用精密可變電阻器。 cl-c4均選用耐壓值為16v的鋁電解電容器。 vdl-vd4均選用ln5404型硅整流二極管。 vs選用1/2w、6v的硅穩(wěn)壓二極管,例如ln5233a或ln5995b等型號。 vl選用dsl5或2sc2073型硅npn晶體管;v2選用csl5或2sa940型硅pnp晶體管;v3選用s805o或c8050型硅npn晶體管。 ic選用lm324型運算放大集成電路。 m選用l2v直流電動機。 k選用jrx-l3f型l2v直流繼電器,使用時將其兩組常閉觸頭并聯(lián),以增大電流負荷。 t采用300-500w的電源變壓器改制。先計算出匝/伏比等有關數(shù)據(jù)后再進行繞制,每5v處取出一抽頭并作好標記。先繞wl-w3繞組,后繞w4和w5繞組。將t各抽頭的外接點與滑臂的滑動觸頭分別裝在兩塊完全一樣的印制板上,粘合后對應連接?;蹫樯?、下兩片型式,印制板夾在其中間,
入端電壓而輸出高電平,使v3導通,k吸合,其常閉觸頭斷開,從而保證負載 (用電器)不會因過電壓而損壞。 元器件選擇 r8和r9均選用lw金屬膜電阻器,其余各電阻器選用1/4w或l/2w金屬膜電阻器。 rpl和rp2均選用精密可變電阻器。 cl-c4均選用耐壓值為16v的鋁電解電容器。 vdl-vd4均選用ln5404型硅整流二極管。 vs選用1/2w、6v的硅穩(wěn)壓二極管,例如ln5233a或ln5995b等型號。 vl選用dsl5或2sc2073型硅npn晶體管;v2選用csl5或2sa940型硅pnp晶體管;v3選用s805o或c8050型硅npn晶體管。 ic選用lm324型運算放大集成電路。 m選用l2v直流電動機。 k選用jrx-l3f型l2v直流繼電器,使用時將其兩組常閉觸頭并聯(lián),以增大電流負荷。 t采用300-500w的電源變壓器改制。先計算出匝/伏比等有關數(shù)據(jù)后再進行繞制,每5v處取出一抽頭并作好標記。先繞wl-w3繞組,后繞w4和w5繞組。將t各抽頭的外接點與滑臂的滑動觸頭分別裝在兩塊完全一樣的印制板上,粘合后對應連接?;蹫樯?、下兩片型式,印制板夾在其中間,
可能是2sa940(pnp)
pnp 2sa562t 30v 0.4a 0.3w * * pnp 2sa564a 25v 0.1a 0.25w * * pnp 2sa608f 30v 0.1a 0.25w * * pnp 2sa673 50v 0.5a 0.4w * * pnp 2sa720-q 50v 0.5a 0.4w * * pnp 2sa778ak 180v 0.05a 0.2w * * pnp 2sa904 90v 0.05a 0.2w * * pnp 2sa933s 50v 0.1a 0.9w * * pnp 2sa940 150v 1.5a 1.5w * * pnp 2sa950y 150v 0.8a 0.6w * * pnp 2sa966y 30v 1.5a 0.9w * * pnp 2sa968y 160v 1.5a 25w * * pnp 2sb 2sb1013a 30v 0.5a 0.3w * * pnp 2sb1020 100v 7a 40w 6000 * pnp(達林頓) 2sb1079 100v 20a 100w 5000 * pnp(達林頓) 2sb1185 60v 3a 25w * 75mhz