2SA607
PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
ETC
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PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
ETC [ETC]
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0.7A/100V
提高直流工作點的穩(wěn)定性;vt6是為輸出級提供偏置電流的電路,調(diào)節(jié)rp3的阻值使輸出級空載電流約為0.1a。若與功率晶體管進行熱藕合,則可以對偏置電流進行溫度補償。c1為相位補償電容,需要在20一5oμf之間進行調(diào)節(jié)。 圖1場效應(yīng)管直流功率放大器電路圖 電路中,vt1使用e4oo場效應(yīng)晶體管;vt2使用2sk3oa場效應(yīng)晶體管;vt3、vt4和vt5使用2sa818晶體管;vt6使用2scl222晶體管;vt7和vt8使用2sc1628晶體管;vt9使用2sc960晶體管;vt10使用2sa607晶體管;vt11使用2sd188場效應(yīng)晶體管;vt12使用2sa27晶體管。