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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TR...
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VHF/UHF AMPLIFIER
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+擴(kuò)區(qū),對于輸入端鋁條跨過n+擴(kuò)區(qū)的雙極電路,使用時應(yīng)采取必要的防靜電措施。 e.測試和傳遞中出現(xiàn)肖特基ttl電路(54s181、54s420)電性能異常,輸入漏電增大。經(jīng)解剖分析,在金相顯微鏡下觀察芯片表面未發(fā)現(xiàn)任何電損傷痕跡,但在去除鋁和sio2后,在輸入端的發(fā)射極接觸孔內(nèi)卻發(fā)現(xiàn)了較輕的小坑,再用cp4溶液進(jìn)行腐蝕后小坑變得更加明顯。用“靜電模擬器”進(jìn)行模擬試驗(yàn),出現(xiàn)的失效現(xiàn)象與它十分類似??梢娺@種失效是由esd損傷引起,也可能是其它的輕度電損傷引起。 f.某儀表系統(tǒng)輸入端使用的2n5179超高頻晶體管多次發(fā)生失效,失效模式為放大系數(shù)降低,特別是在小電流下(例如ic=100μa)的放大系數(shù)下降到大約為1左右,同時eb結(jié)出現(xiàn)較大反向漏電。解剖后,在金相顯微鏡下觀察芯片表面,在eb極之間的鋁條上有一個很小的變色區(qū),它是由瞬間的電過應(yīng)力(電浪涌)引起的過合金區(qū),這種失效一般由靜電放電引起,對于輸入端為超高頻小功率管基極的電子系統(tǒng),輸入端應(yīng)設(shè)計輸入保護(hù)網(wǎng)絡(luò),如果系統(tǒng)特性不允許增加保護(hù)網(wǎng)絡(luò),則必須采取防靜電放電操作措施。 g.帶有mos電容器作為內(nèi)補(bǔ)償?shù)倪\(yùn)算放大器,在使用中常有失效,失
材料性質(zhì):Si-NPN,甚高頻(VHF),超高頻/特高頻(UHF),低噪放大(ra),直插封裝,20V,0.05A,900MHZ,0.2W,25<β<250
0.05A/20V
+擴(kuò)區(qū),對于輸入端鋁條跨過n+擴(kuò)區(qū)的雙極電路,使用時應(yīng)采取必要的防靜電措施。 e.測試和傳遞中出現(xiàn)肖特基ttl電路(54s181、54s420)電性能異常 ,輸入漏電增大 。經(jīng)解剖分析,在金相顯微鏡下觀察芯片表面未發(fā)現(xiàn)任何電損傷痕跡,但在去除鋁和sio2后,在輸入端的發(fā)射極接觸孔內(nèi)卻發(fā)現(xiàn)了較輕的小坑,再用cp4溶液進(jìn)行腐蝕后小坑變得更加明顯。用“靜電模擬器”進(jìn)行模擬試驗(yàn),出現(xiàn)的失效現(xiàn)象與它十分類似。可見這種失效是由esd損傷引起,也可能是其它的輕度電損傷引起。 f.某儀表系統(tǒng)輸入端使用的2n5179超高頻晶體管多次發(fā)生失效 ,失效模式為放大系數(shù)降低 ,特別是在小電流下(例如ic=100μa)的放大系數(shù)下降到大約為1左右,同時eb結(jié)出現(xiàn)較大反向漏電。解剖后,在金相顯微鏡下觀察芯片表面,在eb極之間的鋁條上有一個很小的變色區(qū),它是由瞬間的電過應(yīng)力(電浪涌)引起的過合金區(qū),這種失效一般由靜電放電引起,對于輸入端為超高頻小功率管基極的電子系統(tǒng),輸入端應(yīng)設(shè)計輸入保護(hù)網(wǎng)絡(luò),如果系統(tǒng)特性不允許增加保護(hù)網(wǎng)絡(luò),則必須采取防靜電放電操作措施。 g.帶有mos電容器作為內(nèi)補(bǔ)償?shù)倪\(yùn)算放大器,在使用中常有失效,
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