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2ED020I12-F2
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Dual IGBT Driver IC for eupec Low an...
EUPEC [eupec GmbH]
2ED020I12-FPDF下載
之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓ugs 的控制，ugs 越高， id 越大。它與gtr 的輸出特性相似。也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的igbt ，正向電壓由j2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由j1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)n+ 緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入n+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了igbt 的某些應(yīng)用范圍。 igbt的驅(qū)動(dòng)電路必須具備2個(gè)功能：1）實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)igbt柵極的電隔離；2）提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。本設(shè)計(jì)采用2ed020i12-f作為igbt驅(qū)動(dòng)器，2ed020i12-f不僅體積小而且速度快，工作頻率最高可達(dá)60 khz，開通和關(guān)斷延時(shí)分別為120 ns和94 ns：并采用高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，單相橋式電路中，僅用一組電源即可，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和節(jié)省成本。2ed020i12-f用于半橋驅(qū)動(dòng)電路如圖2所示。圖中 c1、vdb分別為自舉電容和二極管，c2為濾波電容。假定在vq1關(guān)斷期間c1已經(jīng)充電完成。當(dāng)高端輸入為高電平時(shí)，vq1導(dǎo)通，vq2關(guān)斷，vcc加到vq1的柵極和源極之間。隨著vq1的導(dǎo)通，vq1源極電壓接近直流母線的正端電
些應(yīng)用中不能直接加強(qiáng)隔離。如果半導(dǎo)體技術(shù)不能通過(guò)使用介電隔離或通過(guò)將電路分離在兩個(gè)芯片上提供保護(hù)，那么流過(guò)襯底的電流可能會(huì)導(dǎo)致某個(gè)特殊點(diǎn)上的ic故障。更重要的是，一旦當(dāng)高邊柵極驅(qū)動(dòng)芯片，其可方便、可*的應(yīng)用到中等功率的應(yīng)用場(chǎng)合中。驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如圖5所示。 具有隔離功能的半橋驅(qū)動(dòng)器2eid020i12-f可實(shí)現(xiàn)高邊驅(qū)動(dòng)和+1a/-2a的輸出電流。低邊驅(qū)動(dòng)和輸入連同一個(gè)通用比較器和一個(gè)通用運(yùn)算放大器一起集成在同一個(gè)芯片里，標(biāo)準(zhǔn)邏輯功能如高低邊的欠壓鎖定也集成在芯片里。 圖5 2ed020i12-f內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 5 結(jié)語(yǔ) 本文表明放大作用和電平位移是柵極驅(qū)動(dòng)的主要任務(wù)，討論了多種實(shí)現(xiàn)電平位移的技術(shù)。介紹了一種新型的高邊驅(qū)動(dòng)解決方案，用無(wú)磁芯變壓器技術(shù)設(shè)計(jì)具有電隔離的高邊驅(qū)動(dòng)。最后介紹了一款合并了無(wú)磁芯變壓器技術(shù)的產(chǎn)品2ed020i12-f，體現(xiàn)了無(wú)磁芯變壓器技術(shù)的優(yōu)越性。 來(lái)源:ks99
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