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與電流變化的比值。該比值隨工作電流的不同而改變，一般是工作電流愈大，動態(tài)電阻則愈小。例如，2cw7c穩(wěn)壓管的工作電流為 5ma時，rz為18ω;工作電流為1oma時，rz為8ω;為20ma時，rz為2ω ; > 20ma則基本維持此數(shù)值。 4.pz— 額定功耗。 由芯片允許溫升決定，其數(shù)值為穩(wěn)定電壓vz和允許最大電流izm的乘積。例如2cw51穩(wěn)壓管的vz為3v，izm為20ma，則該管的pz為60mwo 5.ctv— 電壓溫度系數(shù)。 是說明穩(wěn)定電壓值受溫度影響的參數(shù)。例如2cw58穩(wěn)壓管的ctv是+0.07%/°c，即溫度每升高1°c，其穩(wěn)壓值將升高0.07%。 6.ir— 反向漏電流。 指穩(wěn)壓二極管在規(guī)定的反向電壓下產生的漏電流。例如2cw58穩(wěn)壓管的vr=1v時，ir=o.1ua;在vr=6v時，ir=10ua。 (三)選擇二極管的基本原則 1.要求導通電壓低時選鍺管;要求反向電流小時選硅管。 2.要求導通電流大時選面結合型;要求工作頻率高時選點接觸型。 3.要求反向擊穿電壓高時選硅管。 4.要求耐高溫時選硅管。 來源:零八我的愛
0.023A/9.5~10.5V
穩(wěn)壓管兩端電壓變化與電流變化的比值。該比值隨工作電流的不同而改變，一般是工作電流愈大，動態(tài)電阻則愈小。例如，2cw7c穩(wěn)壓管的工作電流為5ma時，rz為18ω;工作電流為1oma時，rz為8ω;為20ma時，rz為2ω ; > 20ma則基本維持此數(shù)值。 4.pz— 額定功耗。 由芯片允許溫升決定，其數(shù)值為穩(wěn)定電壓vz和允許最大電流izm的乘積。例如2cw51穩(wěn)壓管的vz為3v，izm為20ma，則該管的pz為60mwo 5.ctv— 電壓溫度系數(shù)。 是說明穩(wěn)定電壓值受溫度影響的參數(shù)。例如2cw58穩(wěn)壓管的ctv是+0.07%/°c，即溫度每升高1°c，其穩(wěn)壓值將升高0.07%。 6.ir— 反向漏電流。 指穩(wěn)壓二極管在規(guī)定的反向電壓下產生的漏電流。例如2cw58穩(wěn)壓管的vr=1v時，ir=o.1ua;在vr=6v時，ir=10ua。 (三)選擇二極管的基本原則 1.要求導通電壓低時選鍺管;要求反向電流小時選硅管。 2.要求導通電流大時選面結合型;要求工作頻率高時選點接觸型。 3.要求反向擊穿電壓高時選硅管。 4.要求耐高溫時選硅管。
393 bwd136 3 9.2 280 2cw136、2cw22f bzx83-7v5 0.5 7.0 53 2cw21d2cw37-7.5、2cw56 bwd137 3 10 250 2cw137、2cw22g bzx83-9v1 0.5 8.5 43 2cw37-9.1、2cw73、2cw57 bwd138/d 3 11.5 230 2cw138 bzx83-10 0.5 9.4 40 05w10v、2cw37-10、2cw58 bwd139/d 3 12.2 200 2cw139、2cw22h bzx83-11 0.5 10.4 36 05w11v、2cw37-11、2cw398 bwd140/d 3 13.5 170 2cw140、2cw22i bzx83-13 0.5 12.4 29 05w12v、2cw37-12、zs73-12 bwd141/d 3 16 150 2cw141、2cw22j bzx83-27 0.5 25.1 14 05w
供給vt一個合適的偏置電壓，適當調節(jié)電阻r1可使考畢茲振蕩器工作在軟激勵狀態(tài)。電阻r4、電容c5為專耦電路。調節(jié)電容c1，可將振蕩器精密的微調在工作頻率上。調節(jié)電位器rp，可改變振蕩信號輸出電平的大小。 元器件選擇：電容cl為5～20p，c2為51p，c3、c6為100p，c4為15p，c5為100μ／32v。電阻rl為62kω，r2為300ω，r3為2．4kω，r4為360ω，1／2w，r5為15kω。電位器rp選4．7kω。三極管vt為3dgl20c，65≤β≤115。穩(wěn)壓二極管vd用2cw58。晶體sjt選用ja5b型-1499hz。 來源:university
電壓降壓供給vt一個合適的偏置電壓，適當調節(jié)電阻r1可使考畢茲振蕩器工作在軟激勵狀態(tài)。電阻r4、電容c5為專耦電路。調節(jié)電容c1，可將振蕩器精密的微調在工作頻率上。調節(jié)電位器rp，可改變振蕩信號輸出電平的大小。元器件選擇：電容cl為5～20p，c2為51p，c3、c6為100p，c4為15p，c5為100μ／32v。電阻rl為62kω，r2為300ω，r3為2．4kω，r4為360ω，1／2w，r5為15kω。電位器rp選4．7kω。三極管vt為3dgl20c，65≤β≤115。穩(wěn)壓二極管vd用2cw58。晶體sjt選用ja5b型-1499hz。 來源:university
m通電吸合，電動機m起動運轉。 一旦三相交流電源的相序接錯或出現(xiàn)缺相時，則與非門d4輸出高電平，使v1、v2和vt均截止，ka和km不吸合或釋放，從而達到了保護電動機的目的。 元器件選擇 r1～r3和r9均選用1w金屬膜電阻器；m～r8選用1／4w金屬膜電阻器或碳膜電阻器。 c1選用耐壓值為16v的鋁電解電容器；c2選用耐壓值為630v的cbb電容器。 vd1～vd3選用2cp18型硅普通二極管或1 n4007型硅整流二極管。 vs1～vs3均選用2cw17、2cw58（10v、1／4w）或1n5240（1／2w、10v）的硅穩(wěn)壓二極管。 ur選用1a、50v的整流橋堆。 v1選用58550或3cg8550、3ck2型硅pnp晶體管；1／2選用3dg12或c8050、58050型硅npn晶體管。 ic選用cd4011或cc4011、c036型四與非門集成電路。 vt選用3cts3或tlc336a（3a、600v）型雙向晶閘管。 t選用3～5w、二次電壓為12v的電源變壓器。 ka選用線圈電壓為交流2201／的中間繼電器。
端電壓變化與電流變化的比值。該比值隨工作電流的不同而改變，一般是工作電流愈大，動態(tài)電阻則愈小。例如，2cw7c穩(wěn)壓管的工作電流為5ma時，rz為18ω;工作電流為1oma時，rz為8ω;為20ma時，rz為2ω ; > 20ma則基本維持此數(shù)值。 4.pz— 額定功耗。 由芯片允許溫升決定，其數(shù)值為穩(wěn)定電壓vz和允許最大電流izm的乘積。例如2cw51穩(wěn)壓管的vz為3v，izm為20ma，則該管的pz為60mwo 5.ctv— 電壓溫度系數(shù)。 是說明穩(wěn)定電壓值受溫度影響的參數(shù)。例如2cw58穩(wěn)壓管的ctv是+0.07%/°c，即溫度每升高1°c，其穩(wěn)壓值將升高0.07%。 6.ir— 反向漏電流。 指穩(wěn)壓二極管在規(guī)定的反向電壓下產生的漏電流。例如2cw58穩(wěn)壓管的vr=1v時，ir=o.1ua;在vr=6v時，ir=10ua。 (三)選擇二極管的基本原則 1.要求導通電壓低時選鍺管;要求反向電流小時選硅管。 2.要求導通電流大時選面結合型;要求工作頻率高時選點接觸型。 3.要求反向擊穿電壓高時選硅管。 4.要求耐高溫時選硅管。
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