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2.2NF 10% 50V X7R 0603(222)
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誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)...品質(zhì)保證..價(jià)格優(yōu)勢(shì)...可提供一站式配套
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；壩刂試規(guī)程iso/iec 10373） 某些類型的塑料的形狀與大小，隨大氣溫度的變化而明顯改變。因此，卡滿足標(biāo)準(zhǔn)的能力也必須在這些條件下測(cè)試。測(cè)試時(shí)，卡平放在一表面上而改變溫度與濕度，測(cè)試條件為-35℃，+50℃和+25℃時(shí)相對(duì)濕度為5％以及＋25℃時(shí)相對(duì)濕度為95％，每次在這些條件中暴露ω分鐘后，檢驗(yàn)尺寸與形狀相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)值的改變。 15，觸點(diǎn)位置 （根據(jù)：iso 7816－2；測(cè)試規(guī)程：iso/iec 10373） 這項(xiàng)測(cè)試用來(lái)測(cè)量觸點(diǎn)的位置?？ū环胖玫揭黄矫嫔喜⑹艿?.2n±0.2n之力。接著，使用一種預(yù)期精度至少為0.05mm的方法測(cè)量觸點(diǎn)相對(duì)于卡的邊緣的位置。 16，光透明度 （根據(jù)：iso 7810；測(cè)試規(guī)程：iso/iec 10373） 某些卡具有嵌入薄膜上的光學(xué)條碼。這項(xiàng)測(cè)試宜于用來(lái)決定覆蓋層和卡體的其余部分的透明度?？ǖ囊幻嬗霉庠凑彰?，在另一面用靈敏度為900nm光的檢測(cè)器測(cè)量光的傳輸。 17，觸點(diǎn)表面輪廓 （根據(jù)：iso 7816－1/2；測(cè)試規(guī)程：iso/iec 10373） 這項(xiàng)測(cè)試把單個(gè)觸點(diǎn)的表面的輪廓與卡其
在初級(jí)mos開通后到穩(wěn)態(tài)時(shí)的電壓為vo+ui/n,(vo為輸出電壓，ui輸入電壓，n為變壓器初次級(jí)匝比)，因?yàn)槲覀冊(cè)O(shè)計(jì)的rc的時(shí)間參數(shù)遠(yuǎn)小于開關(guān)周期，可以認(rèn)為在一個(gè)吸收周期內(nèi)，rc充放電能到穩(wěn)態(tài)，所以每個(gè)開關(guān)周期，其吸收損耗的能量為：次級(jí)漏感尖峰能量+rc穩(wěn)態(tài)充放電能量，近似為rc充放電能量=c*(vo+ui/n)^2(r上消耗能量，每個(gè)周期充一次放一次)，所以rc吸收消耗的能量為 fsw*c*(vo+ui/n)^2,以dc300v輸入，20v輸出，變壓器匝比為5，開關(guān)頻率為100k，吸收電容為2.2nf為例，其損耗的能量為2.2n*(20+300/5)^2*100k=1.4w ; 采用rcd吸收，因?yàn)椴捎胷cd吸收，其吸收能量包括兩部分，一部分是電容c上的dc能量，一部分就是漏感能量轉(zhuǎn)換到c上的尖峰能量，因?yàn)槁└蟹浅Ｐ?，其峰值電流由不可能太大，所以能量也非常有限，相?duì)來(lái)講，只考慮r消耗的直流能量就好了，以上面同樣的參數(shù)，c上的直流電壓為vo+ui/n=80v，電阻r取47k，其能量消耗為0.14w，相比上面的1.4w，“低碳”效果非凡。 再談?wù)勥@兩種吸收電路的特點(diǎn)及其他吸收電路：
求購(gòu)求購(gòu)2.2n~10n/1600v高頻電容
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