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意法半導(dǎo)體（st）推出一系列新的通信線路保護(hù)器件。trisil產(chǎn)品為保護(hù)adsl/vdsl調(diào)制解調(diào)器和類似的用戶終端設(shè)備（cpe）高數(shù)據(jù)傳輸速率的通信設(shè)備而專門(mén)設(shè)計(jì)。 smp80mc系列微電容瞬變避雷器完全符合數(shù)字傳輸標(biāo)準(zhǔn)如adsl2和adsl2+，是第一個(gè)結(jié)電容與器件擊穿電壓無(wú)關(guān)的trisil產(chǎn)品，是第一個(gè)反復(fù)峰值脈沖電流額定值達(dá)到80a而典型電容只有12pf的系列產(chǎn)品。 因?yàn)槿菀自獾嚼纂娎擞康墓?，電信系統(tǒng)通常需要兩級(jí)保護(hù)單元:安裝在每條線路上的吸收大部分瞬間過(guò)壓的主浪涌抑制器和安裝在每個(gè)pcb電路板上的消除殘余峰值過(guò)壓的輔助保護(hù)器件。主抑制器的浪涌電流處理能力必須很高，并能夠承受很高的電壓。與非硅保護(hù)產(chǎn)品（如氣體放電管）相比，st的trisil技術(shù)具有更加優(yōu)異的性能，包括使用壽命長(zhǎng)而無(wú)老化現(xiàn)象、緊公差、響應(yīng)時(shí)間快速和失效保護(hù)操作。此外，當(dāng)出現(xiàn)極大的雷電浪涌時(shí)，故障模式可導(dǎo)致短路，以保護(hù)設(shè)備和人員的安全。 這個(gè)擴(kuò)展的產(chǎn)品系列符合主要的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)如gr-1089 core、itu-t-k20/k21、vde0433、vde0878、iec6100
max12557可以接受差分或單端模擬輸入信號(hào)。差分輸入可提供最佳性能。 轉(zhuǎn)換器的裸露墊盤(pán)(ep)作為器件的主要接地途徑，必須正確連接到指定地平面。 在adc電路和同一塊板上的其他相鄰電路之間放置一塊“地島”進(jìn)行隔離。例如，如果同一塊pcb上有多個(gè)adc電路，在它們之間放置一塊地平面，將各個(gè)adc的相關(guān)電路隔離開(kāi)來(lái)。 原理設(shè)計(jì)建議(圖2-5) (引腳2和3，inap和inan)：為了獲得最佳的總體交流性能，根據(jù)具體應(yīng)用，這些引腳與地之間應(yīng)并聯(lián)一定的電容，容值范圍在5.6pf到12pf之間。這些電容有可能被包含在驅(qū)動(dòng)adc的抗混疊濾波器中，且應(yīng)放在電路板的頂層。 (引腳6，coma)：coma通過(guò)一個(gè)高頻性能良好的2.2µf陶瓷電容旁路至gnd。 (引腳7，refap)：通過(guò)一個(gè)位于pcb頂層的高頻陶瓷電容(最大1.0µf)，將refap旁路至gnd。所有refap連線應(yīng)盡可能短。 (引腳8，refan)：通過(guò)一個(gè)位于pcb頂層的高頻陶瓷電容(最大1.0µf)，將refan旁路至gnd。所有refan連線應(yīng)盡可能短。 (引腳
日前，vishay intertechnology, inc.宣布推出采用小型塑料sod923封裝的新型esd單線路保護(hù)二極管。 憑借0.6 毫米×1.0毫米的占位面積以及0.4毫米的超薄厚度，vesd05a1b-02z可在面向移動(dòng)計(jì)算、移動(dòng)通信、消費(fèi)類、工業(yè)、汽車(chē)及醫(yī)療應(yīng)用的電子設(shè)備中的應(yīng)用，且節(jié)省板面空間及提供esd保護(hù)。 該新型器件在2.5v時(shí)具有12pf的低典型電容，在0v（接地電平）時(shí)具有19pf的典型電容，在5v時(shí)具有0.1μa的較低最大漏電流。該esd保護(hù)二極管在1ma時(shí)可提供7.5v（最大）及6.8v（典型）的擊穿電壓，在3a及1a時(shí)分別可提供11v及9.5v的最大鉗位電壓。 該vesd05a1b-02z為一條數(shù)據(jù)線提供了符合iec 61000-4-2 (esd)規(guī)范的在20kv（空氣及觸點(diǎn)放電）瞬態(tài)保護(hù)，以及符合iec 61000-4-5（雷電）規(guī)范的3a (tp = 8/20μs)瞬態(tài)保護(hù)。該新器件還符合rohs 2002/95/ec及weee 2002/96/ec規(guī)范。 目前，采用小型sod923封裝的新型esd
品。這些新的雙向瞬態(tài)電壓抑制器擴(kuò)大了電壓提供范圍并降低了電容值，可用于保護(hù)高速adsl/vdsl調(diào)制解調(diào)器、以太網(wǎng)和以太網(wǎng)供電電路和其他高速通信設(shè)備，防止它們因?yàn)檫^(guò)電壓而受到損壞。 新的sibar浪涌抑制器符合gr-1089 core、itu k.20/k.21、iec61000-4-5、fcc第68章以及ul60950等主要標(biāo)準(zhǔn)，并能對(duì)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中的50a、80a、100a(10/1000μs)系列的浪涌電流提供快速的雙向保護(hù)。器件的關(guān)鍵性參數(shù)：電壓范圍從6v至400v，電容低至12pf，最大漏電流僅2μa，最小保持電流為150毫安。器件有smb(jedec do-214aa)和sma(jedec do-214ac)兩種表面貼裝封裝可供選擇。 sibar浪涌抑制器能夠保護(hù)敏感的電信設(shè)備和數(shù)據(jù)通信設(shè)備，防止包括雷擊在內(nèi)的瞬態(tài)過(guò)電壓事件造成的損壞，在浪涌電壓超過(guò)器件擊穿電壓時(shí)起分流作用。當(dāng)浪涌電壓超過(guò)擊穿電壓時(shí)，sibar工作在保護(hù)特性曲線的低阻區(qū)，形成一個(gè)低阻通路，有效地降低過(guò)電壓。sibar器件保持低阻狀態(tài)直到流過(guò)該器件的電流下降到低于保持電流。在過(guò)電壓事件過(guò)去之后，
vishay intertechnology, inc.宣布推出采用小型塑料sod923封裝的新型esd單線路保護(hù)二極管。 憑借0.6 毫米×1.0毫米的占位面積以及0.4毫米的超薄厚度，vesd05a1b-02z可在面向移動(dòng)計(jì)算、移動(dòng)通信、消費(fèi)類、工業(yè)、汽車(chē)及醫(yī)療應(yīng)用的電子設(shè)備中的應(yīng)用，且節(jié)省板面空間及提供esd保護(hù)。 該新型器件在2.5v時(shí)具有12pf的低典型電容，在0v（接地電平）時(shí)具有19pf的典型電容，在5v時(shí)具有0.1μa的較低最大漏電流。該esd保護(hù)二極管在1ma時(shí)可提供7.5v（最大）及6.8v（典型）的擊穿電壓，在3a及1a時(shí)分別可提供11v及9.5v的最大鉗位電壓。 該vesd05a1b-02z為一條數(shù)據(jù)線提供了符合iec 61000-4-2 (esd)規(guī)范的在20kv（空氣及觸點(diǎn)放電）瞬態(tài)保護(hù)，以及符合iec 61000-4-5（雷電）規(guī)范的3a (tp = 8/20μs)瞬態(tài)保護(hù)。該新器件還符合rohs 2002/95/ec及weee 2002/96/ec規(guī)范。 目前，采用小型sod923封裝的新型esd單線路保護(hù)二極管的樣品現(xiàn)有提供。大宗訂
的頻率。 3、 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。 4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。 5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。 6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用c0表示。 7、 負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fl的有效外界電容，通常用cl表示。負(fù)載電容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就應(yīng)選推薦值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 負(fù)載諧振頻率（fl）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為 電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。 9、 動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用r1表示。 10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用rl表示。 rl＝r
路共同產(chǎn)生的頻率。 3、 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。 4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。 5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。 6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用c0表示。 7、 負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fl的有效外界電容，通常用cl表示。負(fù)載電容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就應(yīng)選推薦值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 負(fù)載諧振頻率（fl）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為 電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。 9、 動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用r1表示。 10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用rl表示。 rl＝r1（1+
在消費(fèi)電子和計(jì)算機(jī)外設(shè)應(yīng)用中減少系統(tǒng)成本和線路板空間，提供常用的諸如如打印機(jī)和高清電視(hdtv)等系統(tǒng)所需通用功能，而且無(wú)需使用分立器件。 ramtron市務(wù)副總裁mike alwais稱：“fm3130專為價(jià)格敏感的應(yīng)用而優(yōu)化，這款“嵌入了鐵電存儲(chǔ)器fram的處理器外圍芯片”亞洲主要的消費(fèi)電子市場(chǎng)廣受歡迎，并經(jīng)過(guò)開(kāi)發(fā)能支持多個(gè)現(xiàn)已就緒的特定客戶設(shè)計(jì)，包括hdtv和打印機(jī)。” fm3130將64kb fram與rtc相結(jié)合，這個(gè)rtc集成了一個(gè)報(bào)警器和一個(gè)可編程頻率時(shí)鐘輸出，支持常用的12pf時(shí)鐘晶體。報(bào)警器將用戶編程的報(bào)警值與相應(yīng)的rtc時(shí)間/日期值進(jìn)行比較，從而為高端電視機(jī)的自動(dòng)開(kāi)/關(guān)、頻道切換、監(jiān)護(hù)控制及個(gè)人視頻錄像機(jī)(pvr)功能提供解決方案。該器件采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2線總線來(lái)訪問(wèn)存儲(chǔ)器并控制rtc，其封裝是與tssop8接腳兼容的8腳tdfn (薄型雙平面無(wú)鉛)，或標(biāo)準(zhǔn)的8腳、150 mil soic封裝。工作電壓為2.7至3.6v，可在整個(gè)工業(yè)溫 度范圍 (-40至85度) 內(nèi)操作。 fm3130特性如下 ?8kx8 fram ?c 真正的64kb非易失性fram(無(wú)需
這些新的雙向瞬態(tài)電壓抑制器擴(kuò)大了電壓提供范圍并降低了電容值，可用于保護(hù)高速adsl/vdsl調(diào)制解調(diào)器、以太網(wǎng)和以太網(wǎng)供電電路和其他高速通信設(shè)備，防止它們因?yàn)檫^(guò)電壓而受到損壞。 新的sibar浪涌抑制器符合gr-1089 core、itu k.20/k.21、iec61000-4-5、fcc第68章以及ul60950等主要標(biāo)準(zhǔn)，并能對(duì)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中的50a、80a、100a（10/1000μs ）系列的浪涌電流提供快速的雙向保護(hù)。 器件的關(guān)鍵性參數(shù)：電壓范圍從6v至400v，電容低至12pf，最大漏電流僅2μa，最小保持電流為150毫安。器件有smb（jedec do-214aa）和sma（jedec do-214ac）兩種表面貼裝封裝可供選擇。 sibar浪涌抑制器能夠保護(hù)敏感的電信設(shè)備和數(shù)據(jù)通信設(shè)備，防止包括雷擊在內(nèi)的瞬態(tài)過(guò)電壓事件造成的損壞，在浪涌電壓超過(guò)器件擊穿電壓時(shí)起分流作用。當(dāng)浪涌電壓超過(guò)擊穿電壓時(shí)，sibar工作在保護(hù)特性曲線的低阻區(qū)，形成一個(gè)低阻通路，有效地降低過(guò)電壓。sibar器件保持低阻狀態(tài)直到流過(guò)該器件的電流下降到低于保持電流。在過(guò)電壓事件過(guò)去之后，s
加了新的產(chǎn)品。這些新的雙向瞬態(tài)電壓抑制器擴(kuò)大了電壓提供范圍并降低了電容值，可用于保護(hù)高速adsl/vdsl調(diào)制解調(diào)器、以太網(wǎng)和以太網(wǎng)供電電路和其他高速通信設(shè)備，防止它們因?yàn)檫^(guò)電壓而受到損壞。 新的sibar浪涌抑制器符合gr-1089 core、itu k.20/k.21、iec61000-4-5、fcc第68章以及ul60950等主要標(biāo)準(zhǔn)，并能對(duì)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中的50a、80a、100a(10/1000μs)系列的浪涌電流提供快速的雙向保護(hù)。器件的關(guān)鍵性參數(shù)：電壓范圍從6v至400v，電容低至12pf，最大漏電流僅2μa，最小保持電流為150毫安。器件有smb(jedec do-214aa)和sma(jedec do-214ac)兩種表面貼裝封裝可供選擇。 sibar浪涌抑制器能夠保護(hù)敏感的電信設(shè)備和數(shù)據(jù)通信設(shè)備，防止包括雷擊在內(nèi)的瞬態(tài)過(guò)電壓事件造成的損壞，在浪涌電壓超過(guò)器件擊穿電壓時(shí)起分流作用。當(dāng)浪涌電壓超過(guò)擊穿電壓時(shí)，sibar工作在保護(hù)特性曲線的低阻區(qū)，形成一個(gè)低阻通路，有效地降低過(guò)電壓。sibar器件保持低阻狀態(tài)直到流過(guò)該器件的電流下降到低于保持電流。在過(guò)電壓事件過(guò)去之后，si
這個(gè)電路用于業(yè)余無(wú)線電發(fā)射機(jī)。電位計(jì)調(diào)整以獲得最大想要的顯示波段。對(duì)于20-10米，6pf的電容已足夠。在低波段（80-40米），則使用7或12pf的電容。 來(lái)源:zhenglili
嘗試結(jié)果=============================================================我把那個(gè)連接vco和i/q調(diào)制器（三個(gè)輸入端：兩個(gè)正交信號(hào)輸入端，一個(gè)載波輸入端）的102電容換成12pf的，現(xiàn)象和先前的情況差不多，載波信號(hào)幅度變小了。在此基礎(chǔ)上我又從12pf電容的一個(gè)管腿接了一個(gè)12pf的電容到地，結(jié)果信號(hào)反而出不來(lái)了:(=============================================================
ds1302.html">ds1302的晶振沒(méi)有起振我使用ds1302時(shí)除了接32.768khz晶振，還接了兩個(gè)12pf的電容，但是沒(méi)有起振，請(qǐng)問(wèn)大俠們是什么原因呢？ * - 本貼最后修改時(shí)間：2005-8-8 13:31:15 修改者：feifan570
建議電容用12pf，晶振用12mhz
rce code for ia4220 registervoid setup_tx (void){ set_tx_config (); set_tx_freq (0); set_tx_pwr (); tx_pwr_mng_start_osc (); cchipstatus = 0x00; low_batt_cntl(); wakeup_time_cntl();}void set_tx_config () { send_spi_cntl(0x9f71); // clk 10m, cap 12pf; deviation 60k/90 //915 century frequece //}void set_tx_freq (unsigned char i){ int cntl; cntl = freqgroup[i]; send_spi_cntl (cntl);}void set_tx_pwr (void){ unsigned char c0; c0 = tx_buf[0]; tx_buf[0] = 0xb0; spi_master (1); tx_buf[0] = c0;}void tx
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