Diodes發(fā)布新型封裝平臺(tái)及新系列分立器件

發(fā)布了dfn封裝平臺(tái)和一系列新的分立器件。這種封裝平臺(tái)采用先進(jìn)的無鉛方形扁平無引線(qfn)技術(shù)，可超越sod和sot封裝，達(dá)到最高的封裝密度。這種封裝的功率密度接近325mw/mm2，而sot-23和sod-123封裝的功率密度僅分別為30mw/mm2和65mw/mm2，其高度為0.53mm，而sot-23和sod-123封裝則分別為1.1mm和1.35mm。并且，這種封裝的pcb占位面積僅0.77mm2，而sot-23和sod-123封裝則分別為9.9mm2和7.6mm2。 dfn 1006-2和dfn 1006-3封裝分別可用于兩引腳和三引腳的器件。此外，該公司尚在開發(fā)可用于陣列的6引腳和8引腳qfn平臺(tái)。 隨dfn封裝平臺(tái)，diodes公司還發(fā)布了多種分立器件，包括四種肖特基二極管和電壓為5.6v到24v的一系列齊納二極管。該公司還計(jì)劃采用無鉛qfn封裝技術(shù)來封裝其開關(guān)二極管和npn/pnp晶體管。 這種無鉛封裝設(shè)計(jì)有助于器件更加有效地散熱。因而其肖特基二極管和齊納二極管的功率耗散均可達(dá)到250ww，比面積更大的表面貼裝器件的散熱效率更高。 該公司采用這種新