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面：鍵盤輸入模塊、傳感器采集模塊、顯示模塊、報警模塊、cpu處理模塊和電源供電及復(fù)位模塊等。下面詳細(xì)介紹一下各單元的硬件電路和實現(xiàn)的功能。 2.1.1 電源部分設(shè)計 整個系統(tǒng)采用3.3v供電，考慮到硬件系統(tǒng)對電源要求具有穩(wěn)壓功能和紋波小等特點，另外也考慮到硬件系統(tǒng)的低功耗等特點，因此該硬件系統(tǒng)的電源部分采用ti公司的tps76033芯片實現(xiàn)，該芯片能很好滿足該硬件系統(tǒng)的要求，另外該芯片具有很小的封裝，因此能有效節(jié)約pcb板的面積。為了使輸出電源的紋波小，在輸出部分用了一個2.2uf和0.1uf的電容，另外在芯片的輸入端也放置一個0.1uf的濾波電容，減小輸入端受到的干擾。 2.1.2 復(fù)位電路部分設(shè)計 在單片機系統(tǒng)里，單片機需要復(fù)位電路，復(fù)位電路可以采用r-c復(fù)位電路，也可以采用復(fù)位芯片實現(xiàn)的復(fù)位電路，r-c復(fù)位電路具有經(jīng)濟(jì)性，但可靠性不高，用復(fù)位芯片實現(xiàn)的復(fù)位電路具有很高的可靠性，因此為了保證復(fù)位電路的可靠性，該系統(tǒng)采用復(fù)位芯片實現(xiàn)的復(fù)位電路，該系統(tǒng)采用max809芯片。為了減小電源的干擾，還需要在復(fù)位芯片的電源輸入腿加一個0.1uf的電容來實現(xiàn)濾波，以減小輸入端受到的干擾。
resistor. as the low and high frequency ripple shall be measured separately. 低通濾波電路 高通濾波電路 低通濾波電路的帶寬為0~wc（wc=1/rc），高頻濾波電路帶寬則為>wc。 the bandwidth of low pass filter is 0~wc（wc=1/rc）， and >wc in high pass filter. ★ 在檢測電阻上并接一個rc（1k5、0.1uf）電路，（如下圖所示）用有效值表測量0.1uf兩端的有效電壓，即可得低頻紋波電流值，此時高頻成分已被濾除。 add an rc （1k5, 0.1uf） across the sense resistor, measure rms voltage across 0.1uf; this will filter out the high frequency, leaving the 100hz ripple current. 低頻紋波電流測試圖 ★ 在檢測電阻上并接一個rc（0.1
1a電流對應(yīng)50mil能夠滿足大多數(shù)場合的需求）。如果只為了防止信號的竄擾的話，電源線的寬度不是關(guān)鍵。甚至，有時細(xì)一些的電源線更有利！電源的質(zhì)量一般主要不在于其絕對值，而在于電源的波動和迭加的干擾。解決電源干擾的關(guān)鍵在于濾波電容！如果你的應(yīng)用場合對電源質(zhì)量的確有苛刻的要求，就不要吝嗇濾波電容的錢！使用濾波電容時要注意以下幾條： 整個電路的電源輸入端應(yīng)該有"總"的濾波措施，而且各種類型的電容要互相搭配，"一樣都不能少"，至少不會壞事的j對于數(shù)字系統(tǒng)至少要有100uf電解＋10uf片鉭＋0.1uf貼片＋1nf貼片。較高頻（100khz）100uf電解＋10uf片鉭＋0.47uf貼片＋0.1uf貼片。交流模擬系統(tǒng)：對于直流及低頻模擬系統(tǒng)：1000uf｜1000uf電解＋10uf片鉭＋1uf貼片＋0.1uf貼片。 每個重要芯片身邊都應(yīng)該有"一套"濾波電容。對于數(shù)字系統(tǒng)，一個0.1uf貼片一般就夠了，重要的或工作電流較大的芯片還應(yīng)并上一個10uf片鉭或1uf貼片，工作頻率最高的芯片（cpu、晶振）還要并10nf|470pf或一個1nf。該電容應(yīng)盡可能接近芯片的電源管腳并盡可能直接連
去耦電容、旁路電容作用& 在一個大的電容上還并聯(lián)一個小電容的原因。 pcb布局的準(zhǔn)則操作技巧& 濾波電容、去耦電容、旁路電容作用& 在一個大的電容上還并聯(lián)一個小電容的原因。 總結(jié)幾個常用的操作技巧： 盡量將去耦電容和濾波電容等放置在對應(yīng)元件的周圍。去耦電容和濾波電容的布置是改善電路板的電源質(zhì)量，提高抗干擾能力的一項重要舉措。實際上，印制電路板的走線、引腳連線和接線等都有可能帶來較大的電感效應(yīng)，電感的存在會在電源線上引起紋波和毛刺，而在電源和地之間放置一個0.1uf的去耦電容可以有效濾除高頻紋波，如果電路板上使用的是貼片電容，可以使貼片電容緊靠著元件的電源引腳。對于一些電源轉(zhuǎn)換芯片，或者是電源輸入端，最好還布置一個10uf或者更大的電容，以進(jìn)一步改善電源的質(zhì)量。 制作元件庫時一定把第一腳標(biāo)上記號。 元件尺寸拿不準(zhǔn)就1:1打印出來，拿實件直接比對。 導(dǎo)入用原理圖生成的網(wǎng)絡(luò)表，在pcb上顯示的飛線可極大地幫助布局和走線。 元件布局時不要用x,y鍵來翻轉(zhuǎn)元件，否則無法焊接。 兩層板走線的一種方法是：一面只走橫線，一面只走縱線。
1 、ic的電源處理 1.1)保證每個ic的電源pin都有一個0.1uf的去耦電容，對于bga chip，要求在bga的四角分別有0.1uf、0.01uf的電容共8個。對走線的電源尤其要注意加濾波電容，如vtt等。這不僅對穩(wěn)定性有影響，對emi也有很大的影響。 2 時鐘線的處理 2.1)建議先走時鐘線。 2.2)頻率大于等于66m的時鐘線，每條過孔數(shù)不要超過2個，平均不得超過1.5個。 2.3)頻率小于66m的時鐘線，每條過孔數(shù)不要超過3個，平均不得超過2.5個 2.4)長度超過12inch的時鐘線，如果頻率大于20m，過孔數(shù)不得超過2個。 2.5)如果時鐘線有過孔，在過孔的相鄰位置，在第二層（地層）和第三層（電源層）之間加一個旁路電容、如圖2.5-1所示，以確保時鐘線換層后，參考層（相鄰層）的高頻電流的回路連續(xù)。旁路電容所在的電源層必須是過孔穿過的電源層，并盡可能地靠近過孔，旁路電容與過孔的間距最大不超過300mil。 2.6)所有時鐘線原則上不可以穿島。下面列舉了穿島的四種情形。 2.6.1) 跨島出現(xiàn)在電源島與電源島之間。此時時鐘線
相互靠近且放置在pcb上包含txa1、txa2、rin、vc、vref信號走線的一面； c) txa1、txa2、rin、vc、vref信號走線周圍避免放置高噪聲元器件； d) 對於串行dte模塊，dte eia/tia-232-e 系列接口信號的接收/驅(qū)動器盡量靠近connector并遠(yuǎn)離高頻時鐘信號走線，以減少/避免每條線上增加的噪聲抑制器件，如阻流圈和電容等。 2.6 放置數(shù)字元器件及去耦電容： a) 數(shù)字元器件集中放置以減少走線長度； b) 在ic的電源/地間放置0.1uf的去耦電容，連接走線盡量短以減小emi； c) 對并行總線模塊，元器件緊靠 connector邊緣放置，以符合應(yīng)用總線接口標(biāo)準(zhǔn)，如isa總線走線長度限定在2.5in； d) 對串行dte模塊，接口電路靠近connector； e) 晶振電路盡量靠近其驅(qū)動器件。 2.7 各區(qū)域的地線，通常用0 ohm電阻或bead在一點或多點相連。 3. 信號走線 3.1 modem信號走線中，易產(chǎn)生噪聲的信號線和易受干擾的信號線盡量遠(yuǎn)離，如無法避免時要用中性信號線隔離。 mo
容，它們的靜電容量分別為0.47uf和1uf，尺寸分別為0.6×0.3×0.3mm和1.0×0.5×0.3mm，它們的高度均只有0.3mm，特別滿足當(dāng)今便攜式電子設(shè)備越來越薄的設(shè)計趨勢。 此外，村田還展出了工作溫度可達(dá)150℃的rhdl8系列和rhel8系列陶瓷電容，專門針對汽車ecu(電子控制單元)傳感器電路和發(fā)動機應(yīng)用市場，它們的最低工作溫度均可達(dá)到-55℃，直流額定電壓為50v時，rhdl8系列陶瓷電容的容值范圍從0.15uf到1uf，rhel8系列陶瓷電容的容值范圍則從220pf到0.1uf。直流額定電壓為100v時，rhdl8系列陶瓷電容的容值范圍從0.033uf到0.1uf，rhel8系列陶瓷電容的容值范圍則從220pf到0.022uf。rhdl8和rhel系列陶瓷電容的尺寸分別為5.7×4.5×4.5mm和4.0×3.5×3.15mm。 歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫電子市場網(wǎng)（www.hbjingang.com）
蔽電纜。對于高頻和數(shù)字信號，屏蔽電纜兩端都接地。低頻模擬信號用的屏蔽電纜，一端接地為好。 對噪聲和干擾非常敏感的電路或高頻噪聲特別嚴(yán)重的電路應(yīng)該用金屬罩屏蔽起來。 (7) 用好去耦電容。 好的高頻去耦電容可以去除高到1ghz 的高頻成份。陶瓷片電容或多層陶瓷電容的高頻特性較好。設(shè)計印刷線路板時，每個集成電路的電源，地之間都要加一個去耦電容。去耦電容有兩個作用?一方面是本集成電路的蓄能電容，提供和吸收該集成電路開門關(guān)門瞬間的充放電能；另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容為0.1uf 的去耦電容有5nh 分布電感，它的并行共振頻率大約在7mhz 左右，也就是說對于10mhz 以下的噪聲有較好的去耦作用，對40mhz 以上的噪聲幾乎不起作用。 1uf，10uf 電容，并行共振頻率在20mhz 以上，去除高頻率噪聲的效果要好一些。在電源進(jìn)入印刷板的地方和一個1uf 或10uf 的去高頻電容往往是有利的，即使是用電池供電的系統(tǒng)也需要這種電容。 每10 片左右的集成電路要加一片充放電電容，或稱為蓄放電容，電容大小可選10uf。最好不用電解電容，電解電容是兩層溥膜卷起來的，這種卷
igh voltage 電介質(zhì):np0,x7r,y5v 額定電壓:200v,250v,500v,630v，1kv,2kv,3kv （4）高頻電容/high q & low esr(hh series) 電介質(zhì):np0 尺寸:0402,0603 電容值:0.5pf~3300pf 額定電壓:16v,25v,50v （5）排容/capacitorarrays 電介質(zhì):np0,x7r,y5v 尺寸:0603x4 電容值:10pf~0.1uf
放電電容，或1個蓄能電容，可選10μf左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴(yán)格，可按c=1/f，即10mhz取0.1μf，100mhz取 0.01μf。 一般來說，容量為uf級的電容，象電解電容或鉭電容，他的電感較大，諧振頻率較小，對低頻信號通過較好，而對高頻信號，表現(xiàn)出較強的電感性，阻抗較大，同時，大電容還可以起到局部電荷池的作用，可以減少局部的干擾通過電源耦合出去；容量為0.001~0.1uf的電容，一般為陶瓷電容或云母電容，電感小，諧振頻率高，對高頻信號的阻抗較小，可以為高頻干擾信號提供一條旁路，減少外界對該局部的耦合干擾。 旁路是把前級或電源攜帶的高頻雜波或信號濾除；去藕是為保正輸出端的穩(wěn)定輸出（主要是針對器件的工作）而設(shè)的“小水塘”，在其他大電流工作時保證電源的波動范圍不會影響該電路的工作；補充一點就是所謂的藕合：是在前后級間傳遞信號而不互相影響各級靜態(tài)工作點的元件。 有源器件在開關(guān)時產(chǎn)生的高頻開關(guān)噪聲將沿著電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供一個局部的直
如圖所示為電容器測量電路，可測量1uf以內(nèi)的電容量，分為5個量程：100pf、1000pf、0.01uf、0.1uf和1uf.電路中ica的輸出脈沖的下跳變沿經(jīng)cs、rs微分后去觸發(fā)icb.icb輸出的平均值電壓或電流正比于cx,平均值電流將由電表指示。w1用于調(diào)整滿刻度，cx接1uf或0.1uf標(biāo)準(zhǔn)容量電容器，調(diào)w1使表頭指示滿度值。w2~w4是調(diào)零電阻器，因為7556輸出直流失調(diào)電壓對各量程的影響略有不同，故分開調(diào)零。 來源:陰雨
用二塊5g37可接成btl放大電路，在同樣的工作電壓下，輸出功率比單塊集成電路在設(shè)計電路排線時，退耦電容最好接在8腳附近，并注意接地線的布局，否則可能因低頻自激而損壞集成電路。另外如發(fā)現(xiàn)有低頻自激，可在場聲器兩端與地之間分別接入一只容量為0.1uf的電容，而將原10歐電阻的0.1uf電容器拆除。該電路在12v電源電壓時可得到3w以上的輸出功率。 5g37作btl功率放大的應(yīng)用實例如圖所示。電路中，在二塊5g37前用一只3dg6晶體管作分向電路。通過適當(dāng)調(diào)節(jié)r3和r4的阻值，使a和b二點具有相等的信號幅值，便能在負(fù)載rl上獲得較小失真的輸出波形。由于二塊電路與負(fù)載直耦，因此必須仔細(xì)調(diào)節(jié)直流偏置電阻r1和r2（或r1′和r2′），使5g37電路輸出端（6腳）直流電為嚴(yán)格相等，這樣可防止負(fù)載流過直流電流。 來源:陰雨
本充電器制作簡單，工作穩(wěn)定可靠，調(diào)節(jié)范圍寬；不用大功率大電流可控硅，可對6v：24v任何電瓶充電，r6、c4使負(fù)載近似為阻性。r1：100k、r2：1k、r3：3k、r4：470k（可變）、r5：360歐姆、r6：360歐姆、c1：0.1uf /160v、c2：0.1uf /160v、c3：0.01uf /600v、c4：0.01uf /600v、st：觸發(fā)雙向二極管、雙向可控硅：10a/600v、變壓器：100w左右220v/30v、整流橋：15a/100v、電流表：10a、電壓表：50v。 摩托車用電瓶充電器電路 來源:xiangxueqin
本充電器制作簡單，工作穩(wěn)定可靠，調(diào)節(jié)范圍寬；不用大功率大電流可控硅，可對6v：24v任何電瓶充電，r6、c4使負(fù)載近似為阻性。r1：100k、r2：1k、r3：3k、r4：470k（可變）、r5：360歐姆、r6：360歐姆、c1：0.1uf /160v、c2：0.1uf /160v、c3：0.01uf /600v、c4：0.01uf /600v、st：觸發(fā)雙向二極管、雙向可控硅：10a/600v、變壓器：100w左右220v/30v、整流橋：15a/100v、電流表：10a、電壓表：50v。 來源:亮涼
摩托車用電瓶充電器電路 這個電路的優(yōu)點在于：工作穩(wěn)定可靠，調(diào)節(jié)范圍寬；不用大功率大電流可控硅，可對6v：24v任何電瓶充電，r6、c4使負(fù)載近似為阻性。 具體指標(biāo)為：r1：100k、r2：1k、r3：3k、r4：470k（可變）、r5：360歐姆、r6：360歐姆、c1：0.1uf /160v、c2：0.1uf /160v、c3：0.01uf /600v、c4：0.01uf /600v、st：觸發(fā)雙向二極管、雙向可控硅：10a/600v、變壓器：100w左右220v/30v、整流橋：15a/100v、電流表：10a、電壓表：50v。 來源:朦煙
抽頭：1． 主功率繞組：雙電源25v ~ 28v（交流電壓），則整流后能得到+/- 34 ~ +/- 38v的直流電壓電流8a。用大于10a的整流橋全橋雙電源整流。用容量大于25000uf，耐壓50v以上的電容濾波；另外，另外并聯(lián)1000uf，10uf， 1uf的幾個小電容，其中1uf的電容要用cbb電容。2． 模擬電源繞組雙電源 15v（交流電壓），則整流后能得到 +/- 21v左右的電壓電流 0.3a。雙電源全橋整流。用1000uf的電容濾波，耐壓25v以上，另外再并聯(lián)10uf，0.1uf的小電容。再用 7815和7915三端穩(wěn)壓器穩(wěn)壓到+/-15v（也可用7812和7912穩(wěn)壓到+/- 12v），三端穩(wěn)壓器要加散熱器散熱。穩(wěn)壓后，再加100uf和0.1uf的電容濾波。3． 數(shù)字電源繞組：單電源9v（交流電壓），則整流后得到 +12v左右的電壓。電流0.3a。單電源全橋整流。用1000uf的電容濾波，耐壓16v以上，另外再并聯(lián)10uf，0.1uf的小電容。再用7805三端穩(wěn)壓器穩(wěn)壓到+5v，三端穩(wěn)壓器要加散熱器散熱。穩(wěn)壓后，再加100uf和0.1uf的電容濾波。所以，
re1 繼電器線圈端加續(xù)流二極管,2 繼電器線圈端加0.1uf電容(最好是用瓷片電容)3 在電機端也加一個0.1uf的瓷片電容4 單片機的p1.0口也要加一個0.1uf的去耦電容5 可以將9013改為most管控制以上幾點一定行.
謝謝圈圈~~~~可是....我又有問題了：1，常見芯片的電源腳要接個0.1uf的到地電容，說是為了電源濾波。因不了解電路工作時負(fù)載是如何對電源產(chǎn)生影響的，也就不是不明白為何電源處會有紋波出現(xiàn)（紋波通常指高頻吧？所以用小電容0.1uf）？2，好像我上面說的芯片都是指數(shù)字芯片吧？那么如果是模擬芯片電源處是否應(yīng)0.1uf并10uf到地？3，為何芯片會有模擬和數(shù)字之分？什么樣的是模擬？什么樣的為數(shù)字？4，通常用磁珠或零歐姆的電阻來隔開模擬地與數(shù)字地，以及模擬電源與數(shù)字電源。這是何因？？呵呵，想不明白，也沒找到詳細(xì)的資料，懇請指點！
請教有經(jīng)驗的高手，關(guān)于1.8v和3.3v電源濾波的問題我將2119應(yīng)用在開關(guān)電源上。2119的3.3v和1.8v電源的供電電源上有尖峰干擾導(dǎo)致死機。我在每個電源的引腳上均加了個0.1uf的電容，加粗了地線，但還是濾不掉。我對使用電容來濾波的方法不熟悉，請問：將0.1uf的電容換成更大的，如0.47uf的，或者10uf的，對濾波是更好還是更壞？我看大家最常用的，都用0.1uf的，不知道什么原因，同樣是用陶瓷、鉭電容或聚笨電容，為什么不用大些的呢。
時，通常采用屏蔽電纜。對于高頻和數(shù)字信號，屏蔽電纜兩端都接地。低頻模擬信號用的屏蔽電纜，一端接地為好。對噪聲和干擾非常敏感的電路或高頻噪聲特別嚴(yán)重的電路應(yīng)該用金屬罩屏蔽起來。(7) 用好去耦電容。好的高頻去耦電容可以去除高到1ghz的高頻成份。陶瓷片電容或多層陶瓷電容的高頻特性較好。設(shè)計印刷線路板時，每個集成電路的電源，地之間都要加一個去耦電容。去耦電容有兩個作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，提供和吸收該集成電路開門關(guān)門瞬間的充放電能；另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容為0.1uf的去耦電容有5nh分布電感，它的并行共振頻率大約在7mhz左右，也就是說對于10mhz以下的噪聲有較好的去耦作用，對40mhz以上的噪聲幾乎不起作用。1uf，10uf電容，并行共振頻率在20mhz以上，去除高頻率噪聲的效果要好一些。在電源進(jìn)入印刷板的地方和一個1uf或10uf的去高頻電容往往是有利的，即使是用電池供電的系統(tǒng)也需要這種電容。每10片左右的集成電路要加一片充放電電容，或稱為蓄放電容，電容大小可選10uf。最好不用電解電容，電解電容是兩層溥膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時表現(xiàn)為電感
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