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  ...時)及5.5mΩ(在4.5V時)的超低導通電阻。這些值比最接近的同類30V器件低27%(在10V時)和28%(在4.5V時)，比最接近的同類25V SO-8器件分別低28%和15%。30-V Si7135DP的導通電阻為 3.9mΩ(在10V時)和6.2mΩ(在4.5V時)，比最接近的同類器件分別低13%(在10V時)和19.5%(在4.5V 時)。 這次推出的兩款MOSFET均采用PowerPAK SO-8封裝，可容許比其它SO-8封裝器件高60%的最大漏電流和高75%的最大功率損...

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