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  產(chǎn)品說明： NUS3116整合了主電池開關(guān)、墻式充電開關(guān)和USB充電開關(guān)于一身，優(yōu)化手持電子產(chǎn)品的充電性能和節(jié)省彌足珍貴的電路板占用空間。 NUS3116集成了主電源開關(guān)-12V、-6.2A的μCool單P溝道MOSFET，處理主電池開關(guān)功能；還集成了兩個內(nèi)部低飽和PNP晶體管，處理雙溝道充電功能。其中，主開關(guān)MOSFET的最大漏-源極導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))為40m，盡量降低便攜電子產(chǎn)品電池工作期間的功率損耗。而...

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  ...牌：IR 封裝：TO-220 FET型：MOSFET N通道，金屬氧化物 FET特點：標(biāo)準(zhǔn)型 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @25°C：1.2歐姆@3.7A, 10V 漏極至源極電壓(Vdss)：600V 電流-連續(xù)漏極(Id) @25°C：6.2A Id時的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA 閘電荷(Qg) @ Vgs：42nC @ 10V 在Vds時的輸入電容(Ciss)：1036pF @ 25V 功率-最大：125W 安裝類型：通孔 封裝/外殼：TO-220-3 包裝：管件 安裝類型：...

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  ...線圈分別為N2s和N2b。濾波電感L1的兩個共模繞組依次為L1a和Llb。利用L1a和Llb的互感能增加L1的等效電感量，對共模干擾具有更強的抑制作用。N2a上的電壓經(jīng)過VD2、L1a和Cl5整流濾波，可獲得+12V、6.2A的穩(wěn)壓輸出。VD2選用MURl610A型超快恢復(fù)二極管，平均整流電流Id=16A，反向耐壓URM=100V，反向恢復(fù)時間trr=35ns，采用TO～220封裝。VD6和VD5均為續(xù)流二極管。N2b的電壓通過VD3、L1b和C2，整...