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STU3N80K5

更新時間:2025-06-14 09:08:15

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只做原裝，現(xiàn)貨庫存

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ST原裝現(xiàn)貨可原廠訂貨樣品免費送

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深圳市泰佳興電子有限公司
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大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務

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深圳市米數(shù)科技有限公司
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深圳市永貝爾半導體有限公司
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STU3N80K5 概述

3N80K5是意法半導體生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh K5技術，具有低導通電阻和低柵極電荷的特點，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓為800V，適合于高壓應用場合。典型的應用場景包括服務器電源、電信設備電源、太陽能逆變器以及各種工業(yè)電源系統(tǒng)。在設計中使用STU3N80K5時，需要注意其散熱管理，確保在高功率工作條件下能夠有效散熱。推薦使用適當?shù)纳崞?，并考慮PCB布局以優(yōu)化熱性能。此外，在驅(qū)動電路設計時應考慮到其較低的柵極電荷，這有助于降低開關損耗，提高整體效率。對于需要高效、可靠功率轉(zhuǎn)換的設計，這款MOSFET是一個理想的選擇。

STU3N80K5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
87現(xiàn)貨
系列
SuperMESH5?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3.5 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
9.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-251（IPAK）
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

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廣東微爾科技有限公司

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STU3030NL
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STU309D
STU309DH
STM32F103ZET6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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