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STS7C4F30L

更新時間:2025-07-05 03:48:09

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STS7C4F30L外觀圖

STS7C4F30L

STMicroelectronics FET - 陣列

MOSFET N+P 30V 4/7A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

STS7C4F30L 概述

STS7C4F30L是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款低導通電阻N溝道功率MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有極低的導通電阻和快速開關特性，適用于需要高效能電源管理的應用場合。主要應用于智能手機、平板電腦等便攜式設備的電池流管使用。其優(yōu)越的熱性能和電氣特性使得它在空間受限且對效率要求較高的環(huán)境中表現出色。使用時應注意遵循推薦的PCB布局指南以確保良好的散熱效果。建議在柵極串聯一個小電阻來控制開關速度，并防止振蕩。在實際應用中，應根據具體需求選擇合適的驅動電壓，通常為4.5V或10V，以達到最佳導通電阻性能。

STS7C4F30L 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
STripFET™
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7A，4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
22 毫歐 @ 3.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
23nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1050pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
497-3232-2

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