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STP2NK60Z

更新時間:2025-07-13 02:08:52

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詢價

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STP2NK60Z外觀圖

STP2NK60Z

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220

封裝:TO-220-3

STP2NK60Z 概述

STP2NK60Z是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220絕緣封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為600V，適用于高壓應用場合。典型應用場景包括開關電源、電機驅動、照明設備以及家用電器中的功率轉換電路。在設計時應注意其最大功耗和結溫限制，確保散熱設計合理。在實際應用中，建議搭配適當?shù)臇艠O驅動電路以保證MOSFET的可靠開啟與關閉，避免因柵極振蕩導致的誤動作或損壞。使用時需注意靜電防護，防止靜電擊穿柵極氧化層。

STP2NK60Z 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP2NK60Z View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8 歐姆 @ 700mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
170pF @ 25V
功率 - 最大
45W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-4377-5

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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