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STP24NM65N

更新時間:2025-07-10 10:18:36

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STP24NM65N外觀圖

STP24NM65N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 19A TO-220

封裝:TO-220-3

STP24NM65N 概述

STP24NM65N是一款由意法半導體生產的N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高效能的開關應用，具備低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（Vds）為650V，適合高壓應用環(huán)境。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、開關模式電源（SMPS）及工業(yè)自動化設備中的功率轉換電路。在實際應用中，此MOSFET常用于需要高效率和可靠性的場合。由于其具有較低的柵極電荷（Qg），可以實現(xiàn)更低的開關損耗，提高整體系統(tǒng)效率。使用時應注意適當?shù)纳岽胧?，確保工作溫度在安全范圍內。電路設計時需考慮合適的柵極驅動電路，以保證MOSFET穩(wěn)定運行并充分發(fā)揮其性能。例如，在半橋或全橋拓撲結構中，通過合理的PCB布局減少寄生電感對MOSFET性能的影響。

STP24NM65N 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP24NM65N View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
19A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫歐 @ 9.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
70nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2500pF @ 50V
功率 - 最大
160W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-7026-5

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STP200NF03
SJA1000T

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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