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STP19NB20

更新時間:2025-06-12 13:56:54

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STP19NB20外觀圖

STP19NB20

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 200V 19A TO-220

封裝:TO-220-3

STP19NB20 概述

STP19NB20是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。它采用TO-220封裝，適用于多種電源管理應用。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，這使得它在高效電源轉換器設計中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器以及電機驅動等需要高效率和良好熱性能的場合。在電路設計時，需注意其最大漏源電壓為200V，確保實際工作電壓不超過這一限制。同時，在進行PCB布局時，應盡量減小源極與柵極之間的走線電感，以防止寄生振蕩并提高整體穩(wěn)定性。對于散熱設計，考慮到其功耗，建議使用適當?shù)纳崞鱽砭S持正常工作溫度。

STP19NB20 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
19A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1000pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-2650-5

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