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STGP10NC60K

更新時間:2025-05-17 14:01:29

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STGP10NC60K外觀圖

STGP10NC60K

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT N-CH 600V 20A TO-220

封裝:TO-220-3

STGP10NC60K 概述

STGP10NC60K是由意法半導體生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源、不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器等高效功率轉換應用。在電路設計中，它通常用于需要快速開關和低損耗的場合。例如，在同步整流電路中，STGP10NC60K可以顯著降低傳導損耗并提高整體效率。使用時應注意其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達10A。建議配合合適的柵極驅動電路以確保最佳性能，避免因柵極振蕩導致的誤操作或損壞。散熱設計也至關重要，需根據實際工作條件選擇適當的散熱器。

STGP10NC60K 規(guī)格參數

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
PowerMESH™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.5V @ 15V，5A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
20A
功率 - 最大
60W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-5119-5

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