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STGF14NC60KD

更新時間:2025-05-22 15:20:53

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STGF14NC60KD外觀圖

STGF14NC60KD

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT N-CH 600V 11A TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

STGF14NC60KD 概述

STGF14NC60KD是由意法半導體生產的功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具備低導通電阻和高開關速度特性，適用于高效能電源轉換應用。其主要應用于不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器及工業(yè)電機驅動等領域。在實際使用中，建議關注其最大漏源電壓為600V，確保散熱設計良好以維持穩(wěn)定工作溫度。當用于高頻開關電源設計時，需仔細選擇柵極驅動電阻值，以優(yōu)化開關速度并減少電磁干擾。電路設計時應遵循制造商推薦的PCB布局指南，保證電氣性能和可靠性。

STGF14NC60KD 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STGF14NC60KD View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
PowerMESH™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.5V @ 15V，7A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
11A
功率 - 最大
28W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件
其它名稱
497-5115-5

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SI2301DS

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