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STFI13N80K5

更新時間:2025-06-10 09:35:21

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STFI13N80K5 概述

STFI13N80K5是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh K5技術(shù)，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能。其最大漏源電壓(Vds)為800V，連續(xù)漏極電流(Id)可達13A，在高溫條件下仍能保持穩(wěn)定工作。該MOSFET適用于高壓電源轉(zhuǎn)換應用，如不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動及高頻開關(guān)電源。在實際應用中，建議將柵極電阻(Rg)設(shè)置在合理范圍內(nèi)以優(yōu)化開關(guān)速度并減少振鈴現(xiàn)象。布局時盡量縮短源極引線長度，減小寄生電感影響。電路設(shè)計中需注意確保足夠的散熱措施，推薦使用適當?shù)纳崞骰騊CB銅箔面積進行散熱，保證器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。

STFI13N80K5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
MDmesh? K5
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
12A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
450 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
870 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
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封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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