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STF12N65M5

更新時間:2025-05-17 22:40:18

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市博偉奇電子有限公司
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深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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深圳市科翼源電子有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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連接器原裝現(xiàn)貨可開增值稅票

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STF12N65M5外觀圖

STF12N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP

封裝:TO-220-5 整包

STF12N65M5 概述

STF12N65M5是意法半導體生產(chǎn)的一款高壓N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M5技術(shù)，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達12A，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。典型應用場景包括開關(guān)電源、太陽能逆變器、不間斷電源系統(tǒng)以及各種工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品的電源管理電路中。在實際應用中，建議選擇適當?shù)臇艠O驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并注意布局布線以減少寄生電感影響。此外，為了確保器件可靠工作，需在電路設(shè)計時考慮足夠的散熱措施并正確設(shè)置保護電路。

STF12N65M5 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STF12N65M5 View All Specifications
產(chǎn)品培訓模塊
5th Generation High Voltage Mosfet Technology
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
430 毫歐 @ 4.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
900pF @ 100V
功率 - 最大
25W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-5 整包
供應商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件
其它名稱
497-10569-5

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